1、2.1二極管二極管2.2三極管三極管2.3晶閘管晶閘管2.4場效應管場效應管2.1 二極管二極管專門用于穩壓的二極管專門用于穩壓的二極管 二極管外形特征：二極管外形特征： 1）二極管共有兩個引腳）二極管共有兩個引腳,兩個引腳軸向伸出；兩個引腳軸向伸出； 2）二極管的體積不大）二極管的體積不大,比比一般電阻要小些；一般電阻要小些； 3）部分二極管的外殼上）部分二極管的外殼上標有二極管電路符號標有二極管電路符號.正極，電流從正極，電流從正極流向負極正極流向負極此三角形表此三角形表示電流方向示電流方向電流方向電流方向負極負極n二極管外形特征和電路符號二極管外形特征和電路符號 二極管電路符號識圖信息二

2、極管電路符號識圖信息二極管只有兩個引腳二極管只有兩個引腳: :電路符號中已表示出了這兩個引腳；電路符號中已表示出了這兩個引腳；電路符號中表示出二極管的正負極性電路符號中表示出二極管的正負極性: :三角形底邊這端為正極，三角形底邊這端為正極，另一端為負極。另一端為負極。二極管導通和截止工作狀態判斷方法二極管導通和截止工作狀態判斷方法電壓極性及狀態電壓極性及狀態工工 作作 狀狀 態態正向偏置電壓足夠大正向偏置電壓足夠大 二極管正向導通，兩引腳間電阻很小二極管正向導通，兩引腳間電阻很小.正向偏置電壓不夠大正向偏置電壓不夠大二極管不足以正向導通，兩引腳間內阻二極管不足以正向導通，兩引腳間內阻還比較大還

3、比較大.反向偏置電壓不太大反向偏置電壓不太大 二極管截止，兩個引腳之間的內阻很大二極管截止，兩個引腳之間的內阻很大.反向偏置電壓很大反向偏置電壓很大二極管反向擊穿，兩引腳之間內阻很小，二極管反向擊穿，兩引腳之間內阻很小，二極管無單向導電性，二極管損壞二極管無單向導電性，二極管損壞.+-+-參數名稱參數名稱符號符號解解 說說最大整流電流最大整流電流 Im是指二極管長時間正常工作下，允許通過二極管的最大正向電流值。反向電流反向電流Ico是指二極管加上規定的反向偏置電壓情況下，同過二極管的反向電流值。最大反向工作最大反向工作電壓電壓Urm二極管工作時承受最大的反向電壓值，它約等于反向擊穿電壓的一半。

4、最高工作頻率最高工作頻率 Fm二極管保持良好的工作特性的最高頻率。二極管主要參數二極管主要參數常見二極管常見二極管二極管正負引腳表示方法二極管正負引腳表示方法電路符號極性標注電路符號極性標注正極正極負極負極外殼上標出外殼上標出電路符號電路符號色點標注色點標注正極正極負極負極常見的標注形式常見的標注形式負極引腳負極引腳正極引腳正極引腳銀色環表示銀色環表示負極引腳負極引腳外形特征識別二外形特征識別二極管極性方法極管極性方法正極正極負極負極 以以O O為坐標原點，以加在為坐標原點，以加在二極管兩端的電壓二極管兩端的電壓U U為橫軸、流過為橫軸、流過二極管的電流為縱軸建立直角坐二極管的電流為縱軸建立直

5、角坐標系，各軸的方向表示施與二極標系，各軸的方向表示施與二極管的電壓和電流方向。第一象限管的電壓和電流方向。第一象限曲線反映了二極管的正向特性；曲線反映了二極管的正向特性；第三象限曲線反映其反向特性。第三象限曲線反映其反向特性。 給二極管加的正向電壓小于某一定值給二極管加的正向電壓小于某一定值U1 （硅：（硅：0.6V，鍺：，鍺：0.2）時，正向電流很小，且小于）時，正向電流很小，且小于I1 。當正向電壓大與。當正向電壓大與U1后后，正向電流正向電流I隨隨U的微小增大而劇增。將的微小增大而劇增。將U1稱為起始電壓。稱為起始電壓。 給二極管加的反向電壓小于某一定值給二極管加的反向電壓小于某一定值

6、UZ (Urm)時，反向電時，反向電流很小，當反向電壓大與等于流很小，當反向電壓大與等于UZ后后，反向電流反向電流I迅速增大而處迅速增大而處于電擊穿狀態。將于電擊穿狀態。將UZ 稱為反向擊穿電壓。稱為反向擊穿電壓。U1I1OUI反向擊反向擊穿電壓穿電壓正向導正向導通電壓通電壓UZ反向特反向特性曲線性曲線正向正向特性特性曲線曲線二極管正反向特性2.2 三極管三極管 半導體三極管是最重要的半導體器件，是電子電路中的半導體三極管是最重要的半導體器件，是電子電路中的核心器件，被廣泛應用到了各種電子線路中，是電子線路的核心器件，被廣泛應用到了各種電子線路中，是電子線路的靈魂。靈魂。發射極發射極e發射結發

7、射結集電結集電結基區基區發射區發射區集電區集電區基極基極b 雙極型晶體管分有雙極型晶體管分有NPNNPN型和型和PNPPNP型，雖然它們外形各異，型，雖然它們外形各異，品種繁多，但它們的共同特征相同：都有三個分區、兩個品種繁多，但它們的共同特征相同：都有三個分區、兩個PNPN結和三個向外引出的電極：結和三個向外引出的電極：雙極型三極管的基本結構類型和符號NPN型三極管圖型三極管圖符號符號大功率低頻三極管大功率低頻三極管小功率高頻三極管小功率高頻三極管中功率低頻三極管中功率低頻三極管PNP型三極管圖型三極管圖符號符號 根據制造工藝和材料的不同，三極管分有雙極型和單極型根據制造工藝和材料的不同，三

8、極管分有雙極型和單極型兩種類型。若三極管內部的兩種類型。若三極管內部的自由電子載流子和空穴載流子自由電子載流子和空穴載流子同同時參與導電，就是所謂的時參與導電，就是所謂的雙極型雙極型。如果只有。如果只有一種載流子一種載流子參與參與導電，即為導電，即為單極型單極型。(1)發射結必須發射結必須“正向偏置正向偏置”，以利于發射區電子的擴散，以利于發射區電子的擴散，擴散擴散電流即發射極電流電流即發射極電流ie，擴散電子的少數與基區空穴復合，形擴散電子的少數與基區空穴復合，形成基極電流成基極電流ib，多數繼續向集電結邊緣擴散。，多數繼續向集電結邊緣擴散。(2)集電結必須集電結必須“反向偏置反向偏置”，以

9、利于收集擴散到集電結邊緣，以利于收集擴散到集電結邊緣的的多數擴散電子，收集到集電區的電子形成集電極電流多數擴散電子，收集到集電區的電子形成集電極電流ic。IEICIB 整個過程中，整個過程中，發射區向基區發發射區向基區發射的電子數等于射的電子數等于基區復合掉的電基區復合掉的電子與集電區收集子與集電區收集的電子數之和，的電子數之和，即：即： 晶體管實現電流放大作用的晶體管實現電流放大作用的UCE / VIC /mA020 AIB=040 A60 AIB=100 A80 A43211.52.3輸出特性曲線上一般可分為三個區：輸出特性曲線上一般可分為三個區：飽和區飽和區。當。當發射結和發射結和集電結

10、均為正向偏置集電結均為正向偏置時，三極管處于飽和時，三極管處于飽和狀態。此時集電極電狀態。此時集電極電流流I IC C與基極電流與基極電流I IB B之之間不再成比例關系，間不再成比例關系，I IB B的變化對的變化對I IC C的影響的影響很小。很小。截止區。當基極電流IB等于0時，晶體管處于截止狀態。實際上當發射結電壓處在正向死區范圍時，晶體管就已經截止，為讓其可靠截止，常使UBE小于和等于零。 /CSBSCCCCCESCCCSIIRVRVVI臨近飽和基極電流 晶體管工作在放大狀態時，發射結正偏，集電結反偏。在放大區，集電極電流與基極電流之間成倍的數量關系，即晶體管在放大區時具有電流放大作

11、用。輸出特性三個區域的特點輸出特性三個區域的特點:放大區：放大區：發射結正偏，集電結反偏。發射結正偏，集電結反偏。 即：即： IC= IB , 且且 IC = IB(2) 飽和區：飽和區：發射結正偏，集電結正偏。發射結正偏，集電結正偏。 即：即：UCE UBE ， IBIC，UCE 0.3V=UCES (3) 截止區：截止區： UBE0。PNNgsdvDSvGS工作原理：工作原理： 在柵極電壓作用下，漏在柵極電壓作用下，漏區和源區之間區和源區之間形成導電溝道形成導電溝道。這樣，在漏極電壓的作用下，這樣，在漏極電壓的作用下，源區電子沿導電溝道行進到源區電子沿導電溝道行進到漏區，產生自漏極流向源極

12、漏區，產生自漏極流向源極的的電流電流。改變柵極電壓，控。改變柵極電壓，控制導電溝道的導電能力，使制導電溝道的導電能力，使漏極電流發生變化。漏極電流發生變化。vDSvGSNEMOSFET工作原理PNNgsd（1）vGS=0時時漏區和源區被隔漏區和源區被隔斷斷,沒有導電溝道沒有導電溝道 iD=0vGS溝道形成原理溝道形成原理（2）vGS0且且vGSVT形成導電溝道，形成導電溝道，vDS作用下的漏極作用下的漏極電流隨電流隨vGS增大而增大而增大增大反型層反型層（導電溝道）（導電溝道）VT:開啟電壓開啟電壓形成反型層所需形成反型層所需VGS的值的值vDSiD（1）vDS很小，很小，溝道寬度保持不溝道寬

13、度保持不變，變， vDS增大，增大， iD線性增大線性增大v vDSDS對溝道導電能力的控制對溝道導電能力的控制 v vGSGSVVT T v vDSDS00（2）vDS增加，增加，vGD=VT 時，靠近時，靠近D端的溝道被夾端的溝道被夾斷，稱為予夾斷。斷，稱為予夾斷。（3）夾斷后，即夾斷后，即使使vDS 繼續增加，繼續增加，iD仍呈恒流特性。仍呈恒流特性。vDSPNNgsdvGSiD當當vDS較大時，靠近較大時，靠近d區的導電溝道變窄。區的導電溝道變窄。TDSGSGDVvvvTGSDSVvv當當vDS不太大時，導電不太大時，導電溝道在兩個溝道在兩個N區間是區間是均勻的。均勻的。MOSFET的

14、主要參數1、開啟電壓、開啟電壓VT（增強型（增強型MOS）當當vDS為某一個固定值使為某一個固定值使iD等于一微小電流時，柵源間的等于一微小電流時，柵源間的電壓為電壓為VT。一、直流參數一、直流參數2、夾斷電壓、夾斷電壓VP（耗盡型（耗盡型FET）當當vDS為某一個固定值使為某一個固定值使iD等于一微小電流時，柵源之間等于一微小電流時，柵源之間所加的電壓稱為夾斷電壓所加的電壓稱為夾斷電壓VP。3、飽和漏極電流、飽和漏極電流IDSS（耗盡型（耗盡型FET）在在vGS=0的情況下，當的情況下，當 時的漏極電流。時的漏極電流。PDSVv4、直流輸入電阻、直流輸入電阻RGS在漏源之間短路的條件下，柵源之間加一定電壓時的柵在漏源之間短路的條件下，柵源之間加一定電壓時的柵源直流電阻就是直流輸入電阻源直流電阻就是直流輸入電阻RGS。MOSFET的主要參數1、輸入電阻、輸入電阻rds表明了表明了vDS對對iD的影響。是輸出特性某一點上切線斜