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文檔簡介

1、 第五章 結(jié)型場效應(yīng)晶體管5-1 硅N溝道JFET具有圖5-1a的結(jié)構(gòu)以及以下參數(shù)：，和，計(jì)算：（a）自建電勢，（b）夾斷電壓 ，（c）電導(dǎo)G以及（d）在柵極和漏極為零偏壓時(shí)實(shí)際的溝道電導(dǎo)。 解： (a) （b） (c) () (d) ()5-2 試推導(dǎo)N溝道JEFT的電流與電壓、關(guān)系。它的截止面為2a2a，為所包圍，器件長度為L。2a2a 解： = 5-3.解： G2SD = 5-4 計(jì)算并畫出在25、150和-50G時(shí)習(xí)題5-1中JFET的轉(zhuǎn)移特性。采用第一章給出的電子遷移率數(shù)據(jù)。柵電壓的增量采用0.5V 。解：轉(zhuǎn)移特性 ，由此得下表：其中，n、u為查表所得Tu cm/v.sn cm 在T

2、= 25G時(shí)，有0-0.5-1-1.5-24.462.571.260.440.05 在T= 150G時(shí)，有0-0.5-1-1.5-22.431.470.790.390.08 在T= -50G時(shí)，有0-0.5-1-1.5-29.695.953.291.490.42由此可得近似的圖形為：5-5 （a）計(jì)算并繪出在25G時(shí)習(xí)題5-1中JFET的小訊號飽和跨導(dǎo)。 （b）若=50時(shí)，重復(fù)（a）. 解： 其中， 由此可得下表： （v）00.511.522.53（m）4.32 3.062.041.160.371.16 （m）3.552.651.851.090.361.09 由此畫得草圖如下：105-6 (a

3、) 估算習(xí)題5-1中JFET的截止頻率。 (b) 若L=2um，重復(fù)（a）。 (c) 若采用N型GaAs，重復(fù)（b） 解：a) 由 ，即 可得 b） c) GaAs: ， 5-7 計(jì)算在和時(shí)，習(xí)題5-1中JFET的漏極電阻。 解：當(dāng)時(shí)， ，由于 ， 取 ，則 ， 取 ，則 ，( k)5.8下圖為結(jié)型場效應(yīng)晶體管的低頻小信號等效電路圖，其中RS為源極電阻。證明：由于RS的存在，晶體管的跨導(dǎo)變成式中為忽略RS時(shí)的跨導(dǎo)。G+S_SRsDIDS解：有RS存在時(shí)，由回路可知 （2分） 即 所以 即 。 5-9一個(gè)N溝增強(qiáng)型GaAs MESFET在T=300K時(shí)，假設(shè)。N溝道摻雜濃度。計(jì)算溝道厚度a。解：由 有

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