1、HYM1302簡歷HYM1302帶31字節非易失性靜態RAM的串行實時時鐘特 點： 可對秒，分，時，日，周，月以及帶閏年補償的年進行計數 用于高速數據暫存的 31 字節非易失性 RAM 寬工作電源電壓范圍：2.0V5.5V 2.5V 時耗電小于 300nA 用于時鐘或 RAM 數據讀/寫的單字節或多字節數據傳送方式 簡單的 3 線接口與單片機通信 TTL 兼容（V CC =5V） 可選的工業溫度范圍-40至+85 封裝形式：DIP8 和 SOP8應 用： 便攜儀器 復費率電度表、IC 卡水表、IC 卡煤氣表 移動電話 傳真機 概述： HYM1302 可慢速充電實時時鐘芯片包含實時時鐘/日歷和

2、31 字節的非易失性靜態RAM。它經過一個簡單的串行接口與微處理器通信。實時時鐘/日歷可對秒，分，時，日，周，月，和年進行計數，對于小于31 天的月，月末的日期自動進行調整，還具有閏年校正的功能。時鐘可以采用 24 小時格式或帶 AM（上午）/PM（下午）的 12 小時格式。31 字節的 RAM 可以用來臨時保存一些重要數據。使用同步串行通信，簡化了 HYM1302 與微處理器的通信。與時鐘/RAM 通信僅需 3 根線： （1）RST（復位） ， （2）I/O（數據線）和（3）SCLK（串行時鐘） 。數據可以以每次一個字節的單字節形式或多達 31 字節的多字節形式傳輸。HYM1302 能在非常

3、低的功耗下工作，消耗小于 1µW 的功率便能保存數據和時鐘信息。 HYM1302 定購信息：器件工作溫度范圍封裝類型HYM13020+70DIP8HYM1302ZSOP8HYM1302N-40+85DIP8HYM1302ZNSOP8方框圖和管腳功能: (圖 1 HYM1302 內部框圖) 管腳說明： HYM1302 最大額定值: 推薦直流運行條件 （T A =070）: 電容 （T A =25）: 交流電特性 （T A =0至 70；V CC =+5V±10%）: HYM1302 電特性:直流電特性 （0至 70；V CC 2.5V 至 5.5V） HYM1302 時序圖

4、：讀數據 時序圖 ：寫數據典型應用電路圖:使用說明 ：串行時鐘芯片的主要組成部分示于圖1:移位寄存器控制邏輯，振蕩器，實時時鐘以及 RAM。工作原理：如圖所示，RST 信號有效后，移位寄存器單元會在 SCLK 同步脈沖信號的控制下從 I/O 上串行接收 8 位指令字節，然后將 8 位指令字節進行串并轉換并送至 ROM 指令譯 HYM1302 碼單元。由 ROM 指令譯碼單元對 8 位指令字節進行譯碼，以決定內部寄存器的地址以及讀寫狀態。然后在接下來的 SCLK 同步脈沖信號的控制下將 8 位數據寫進或者讀出相應的寄存器。數據傳送也可以采用多字節方式，先將 8 位相應的指令字節寫入， 然后在連續

5、的 SCLK 的脈沖信號同步下， 將數據字節連續寫入或讀出日歷/時鐘寄存器 （或者 RAM 單元） 。 SCLK 脈沖的個數在單字節方式下為 8 加 8， 在多字節方式下為 8 加最大可達到 248 的數。1 、 命令字節命令字節示于圖 2:每一數據傳送由命令字節初始化，最高有效位 MSB（位 7）必須為邏輯 1。如果它是零，禁止寫 HYM1302。位 6 為邏輯 0 指定時鐘/日歷數據。邏輯 1 指定 RAM 數據。位 1 至 5 指定進行輸入或輸出的特定寄存器。最低有效位 LSB（位 0）為邏輯 0 指定進行寫操作（輸入） ；邏輯 1 指定進行讀操作（輸出） 。命令字節總是從最低有效 LS

6、B 位 0 開始輸入 。1RAM/CLKA4A3A2A1A0讀/寫圖 2 地址/命令字節2 、 復位和時鐘控制通過把 RST 輸入驅動至高電平來啟動所有的數據傳送。RST 輸入有兩種功能。首先，RST 接通控制邏輯，允許地址命令序列送入移位寄存器。其次，RST 可以中止數據傳送。數據輸入時，在時鐘的上升沿數據必須有效，而數據位在時鐘的下降沿輸出。如果 RST 輸入為低電平，那么所有的數據傳送中止，且I/O 引腳變為高阻。數據傳送在圖 3 中說明。上電時，在 VCC 大于或等于 2.5V 之前，RST 必須為邏輯 0，此外，當把 RST 驅動至邏輯 1 的狀態時，SCLK 必須為邏輯 0。3 、

7、 數據輸入跟隨在輸入寫命令字節的 8 個 SCLK 周期之后，在下 8 個 SCLK 周期的上升沿輸入數據。如果有額外的 SCLK 周期，它們將被忽略。輸入從位 0 開始。4 、 數據輸出跟隨在輸入寫命令字節的 8 個 SCLK 周期之后，在隨后的 8 個 SCLK 周期的下降沿輸出數據字節。注意，被傳送的每一個數據位發生在寫命令字節的最后一位之后的第一個下降沿。只要 RST 保持為高電平，如果有額外的 SCLK 周期，它們將重新發送數據字節。這一操作使之具有連續的多字節方式的讀能力。另外，在 SCLK 的每一個上升沿，I/O 引腳為三態。數據從位 0 開始輸出。5 、 多字節方式 通過對 3

8、1（十進制）位地址尋址（地址/命令位于 1 至 5=邏輯 1） ，可以把時鐘/日歷或 RAM 寄存器規定為多字節方式。如前所述，位 6 規定時鐘或 RAM 而位 0 規定讀或寫。在時鐘日歷寄存器中的地址 9 至 31或 RAM 寄存器中的地址 31 不能存儲數據。在多字節方式中讀或寫從地址 0 的位 0 開始。 當以多字節方式寫時鐘寄存器時，必須按數據傳送的次序寫最先 8 個寄存器。但是，當以多字節方式寫 RAM 時，為了傳送數據不必寫所有 31 個字節。不管是否寫了全部 31 個字節，所寫的每一個字節都將傳送至 RAM。 HYM1302 功能字節數脈沖數CLOCK872RAM31256 圖

9、3 數據傳送概要6 、時鐘/ / 日歷 如圖4所示，時鐘/日歷包含在7個寫/讀寄存器內。包含在時鐘/日歷寄存器內的數據是二十進制（BCD）碼。7 、時鐘暫停 秒寄存器的位7定義為時鐘暫停位。當此位設置為邏輯1時，時鐘振蕩器停止，HYM1302 被置入低功率的備份方式，其電源消耗小于100納安（nanoamp）。當把此位寫成邏輯0時，時鐘將啟動。8 、AM- - PM/12- -4 24方式小時寄存器的位7定義為12或24小時方式選擇位。當它為高電平時，選擇12小時方式，在12小時方式下，位5是AM/PM 位，此位為邏輯高電平表示 PM。在24小時方式下，位5是第2個10小時位（20-23時）

10、。9 、寫保護寄存器寫保護寄存器的位7是寫保護位。開始7位（位 0-6）置為零，在讀操作時總是讀出零。在對時鐘或RAM進行寫操作之前，位7必須為零。當它為高電平時，寫保護位禁止對任何其它寄存器進行寫操作。10 、慢速充電（Trickle charge）寄存器這個寄存器控制 HYM1302 的慢速充電特性。圖4的簡化電路表示慢速充電器的基本組成。慢速充電選擇（TCS）位（位4-7）控制慢速充電器的選擇。為了防止偶然的因素使之工作，只有1010模式才能使慢速充電器工作，所有其它的模式將禁止慢速充電器。 HYM1302 HYM1302 上電時，慢速充電器被禁止。二極管選擇（DS）位（位 2-3）選擇

11、是一個二極管還是兩個二極管連接在 Vcc2 與 Vcc1 之間。如果 DS 為 01，那么選擇一個二極管；如果 DS 為 10，則選擇兩個二極管。如果 DS 為 00 或 11，那么充電器被禁止，與 TCS無關。RS 位（位 0-1）選擇連接在 Vcc2 與 Vcc1 之間的電阻。電阻選擇（RS）位選擇的電阻如下： 如果 RS 為 00，充電器被禁止，與 TCS 無關。 二極管和電阻的選擇用戶根據電池和超容量電容充電所需的最大電流決定。最大充電電流可以如下列所說明的那樣進行計算。假定 5V 系統電源加到 Vcc2 而超容量電容接至 Vcc1。再假設慢速充電器工作時在 Vcc2 和 Vcc1 之

12、間接有一個二極管和電阻 R1。因而最大電流可計算如下：Imax =（5.0V-二極管壓降）/R1=（5.0V-0.7V）/2k= 2.2mA 顯而易見，當超容量電容充電時，Vcc2和Vcc1之間的電壓減少，因而充電電流將會減小。11 、 時鐘/ / 日歷多字節 （ Burst ） 方式 時鐘/日歷命令字節可規定多字節工作方式。在此方式下，最先8個時鐘/日歷寄存器可以從地址0的第0位開始連續地讀或寫（見圖 4）。當指定寫時鐘/日歷的多字節方式時，如果寫保護位設置為高電平，那么沒有數據會傳到 8 個時鐘/日歷寄存器（包括控制寄存器）中的任一個。在多字節方式下，慢速充電器時不可訪問的。 HYM130

13、212 、 RAM 靜態 RAM 是 RAM 地址空間中順序尋址的 31 × 8 字節。13 、M RAM RAM 命令字節可規定多字節工作方式。在此方式下，可以從地址 0 的第 0 位開始順序讀或寫 31 字節RAM 寄存器（見圖 5） 。14 、 寄存器概要寄存器數據格式概要示于圖 5.圖 5 寄存器地址/定義15 、 晶振選擇 32.768kHz 的晶振可通過引腳 2 和 3（X1 和 X2）直接連接至 HYM1302。所選晶振規定的負載電容量（CL）應當為 6pF。16 、 電源控制 Vcc1 在單電源與電池供電的系統中提供低電源并提供低功率的電池備份。 Vcc2 在雙電源系統中提供主電源，此時 Vcc1 連接到備份電源，以便在沒有主電源的情況下能保存時間