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文檔簡介

1、第1章   半導(dǎo)體存器件1.1   在如圖1.4所示的各個電路中,已知直流電壓V,電阻k,二極管的正向壓降為0.7V,求Uo。圖1.4   習(xí)題1.1的圖分析   Uo的值與二極管的工作狀態(tài)有關(guān),所以必須先判斷二極管是導(dǎo)通還是截止。若二極管兩端電壓為正向偏置則導(dǎo)通,可將其等效為一個0.7的恒壓源;若二極管兩端電壓為反向偏置則截止,則可將其視為開路。解   對圖1.4(a)所示電路,由于V,二極管VD承受正向電壓,處于導(dǎo)通狀態(tài),故:(V)對圖1.4

2、(b)所示電路,由于V,二極管VD承受反向電壓截止,故:(V)對圖1.4(c)所示電路,由于V,二極管VD承受正向電壓導(dǎo)通,故:(V)1.2   在如圖1.5所示的各個電路中,已知輸入電壓V,二極管的正向壓降可忽略不計,試分別畫出各電路的輸入電壓ui和輸出電壓uo的波形。分析   在ui和5V電源作用下,分析出在哪個時間段內(nèi)二極管正向?qū)?,哪個時間段內(nèi)二極管反向截止。在忽略正向壓降的情況下,正向?qū)〞r可視為短路,截止時可視為開路,由此可畫出各電路的輸入、輸出電壓的波形。圖1.5   習(xí)題1.2的圖解

3、60;  對圖1.5(a)所示電路,輸出電壓uo為:ui5V時二極管VD承受正向電壓導(dǎo)通,UD=0,uo=5V;ui<5V時二極管VD承受反向電壓截止,電阻R中無電流,uR=0,uo=ui。輸入電壓ui和輸出電壓uo的波形如圖1.6(a)所示。            圖1.6   習(xí)題1.2解答用圖對圖1.5(b)所示電路,輸出電壓uo為:ui5V時二極管VD承受正向電壓導(dǎo)通,UD=0,uo= ui;ui<

4、;5V時二極管VD承受反向電壓截止,電阻R中無電流,uR=0,uo=5V。輸入電壓ui和輸出電壓uo的波形如圖1.6(b)所示。對圖1.5(c)所示電路,輸出電壓uo為:ui5V時二極管VD承受反向電壓截止,電阻R中無電流,uR=0,uo= ui;ui<5V時二極管VD承受正向電壓導(dǎo)通,UD=0,uo=5V。輸入電壓ui和輸出電壓uo的波形如圖1.6(c)所示。1.3   在如圖1.7所示的電路中,試求下列幾種情況下輸出端F的電位UF及各元件(R、VDA、VDB)中的電流,圖中的二極管為理想元件。(1)V。(2),V。(3)V。圖1.7 

5、  習(xí)題1.3的圖分析   在一個電路中有多個二極管的情況下,一些二極管的電壓可能會受到另一些二極管電壓的影響,所以,在判斷各個二極管的工作狀態(tài)時,應(yīng)全面考慮各種可能出現(xiàn)的因素。一般方法是先找出正向電壓最高和(或)反向電壓最低的二極管,正向電壓最高者必然導(dǎo)通,反向電壓最低者必然截止,然后再根據(jù)這些二極管的工作狀態(tài)來確定其他二極管承受的是正向電壓還是反向電壓。解   (1)因為V而UCC=6V,所以兩個二極管VDA、VDB承受同樣大的正向電壓,都處于導(dǎo)通狀態(tài),均可視為短路,輸出端F的電位UF為:(V)電阻中的電流為:

6、(mA)兩個二極管VDA、VDB中的電流為:(mA)(2)因為,V而UCC=6V,所以二極管VDB承受的正向電壓最高,處于導(dǎo)通狀態(tài),可視為短路,輸出端F的電位UF為:(V)電阻中的電流為:(mA)VDB導(dǎo)通后,VDA上加的是反向電壓,VDA因而截止,所以兩個二極管VDA、VDB中的電流為:(mA)(mA)(3)因為V而UCC=6V,所以兩個二極管VDA、VDB承受同樣大的正向電壓,都處于導(dǎo)通狀態(tài),均可視為短路,輸出端F的電位UF為:(V)電阻中的電流為:(mA)兩個二極管VDA、VDB中的電流為:(mA)1.4   在如圖1.8所示的電路中,試求下列幾種情況下輸出

7、端F的電位UF及各元件(R、VDA、VDB)中的電流,圖中的二極管為理想元件。(1)V。(2)V,。(3)V。圖1.8   習(xí)題1.4的圖分析   本題與上題一樣,先判斷出兩個二極管VDA、VDB的工作狀態(tài),從而確定出輸出端F的電位,再根據(jù)輸出端F的電位計算各元件中的電流。解   (1)因為V,所以兩個二極管VDA、VDB上的電壓均為0,都處于截止?fàn)顟B(tài),電阻R中無電流,故:(mA)輸出端F的電位UF為:(V)(2)因為V,V,所以二極管VDA承受的正向電壓最高,處于導(dǎo)通狀態(tài),可視為短路,輸出端F的電位UF

8、為:(V)電阻中的電流為:(mA)VDA導(dǎo)通后,VDB上加的是反向電壓,VDB因而截止,所以兩個二極管VDA、VDB中的電流為:(mA)(mA)(3)因為V,所以兩個二極管VDA、VDB承受同樣大的正向電壓,都處于導(dǎo)通狀態(tài),均可視為短路,輸出端F的電位UF為:(V)電阻中的電流為:(mA)兩個二極管VDA、VDB中的電流為:(mA)1.5   在如圖1.9所示的電路中,已知V,V。試用波形圖表示二極管上的電壓uD。分析   設(shè)二極管為理想元件,則二極管導(dǎo)通時uD=0,二極管截止時因電阻R中無電流,因此,判斷出二極管VD在ui和E作用下

9、哪個時間段內(nèi)導(dǎo)通,哪個時間段內(nèi)截止,即可根據(jù)uD的關(guān)系式畫出其波形。解   設(shè)二極管為理想元件,則當(dāng)0,即eV時二極管導(dǎo)通,uD=0;當(dāng),即V時二極管截止,V。由此可畫出uD的波形,如圖1.10所示。              圖1.9   習(xí)題1.5的圖            

10、         圖1.10   習(xí)題1.5解答用圖1.6   在如圖1.11所示的電路中,已知V,。穩(wěn)壓管VDZ的穩(wěn)定電壓V,最大穩(wěn)定電流mA。試求穩(wěn)壓管中通過的電流IZ,并判斷IZ是否超過IZM?如果超過,怎么辦?分析   穩(wěn)壓管工作于反向擊穿區(qū)時,電流雖然在很大范圍內(nèi)變化,但穩(wěn)壓管兩端的電壓變化很小,所以能起穩(wěn)壓的作用。但與穩(wěn)壓管配合的電阻要適當(dāng),否則,要么使穩(wěn)壓管的反向電流超過允許值而過熱損壞,要么使穩(wěn)壓管因

11、為沒有工作在穩(wěn)壓區(qū)而不能穩(wěn)壓。圖1.11   習(xí)題1.6的圖解   設(shè)穩(wěn)壓管VDZ工作正常,則電阻R1和R2中的電流分別為:(mA)(mA)穩(wěn)壓管中通過的電流IZ為:(mA)可見。如果IZ超過IZM,則應(yīng)增大R1,也可減小R2。但R2一般是負(fù)載電阻,不能隨意改變,若R1不能變,則應(yīng)限制R2的最大值,或另選穩(wěn)壓管。1.7   有兩個穩(wěn)壓管VDZ1和VDZ2,其穩(wěn)定電壓分別為5.5V和8.5V,正向壓降都是0.5V,如果要得到0.5V 、3V 、6V、9V和14V幾種穩(wěn)定電壓,這兩個穩(wěn)壓管

12、(還有限流電阻)應(yīng)該如何連接,畫出各個電路。分析   穩(wěn)壓管工作在反向擊穿區(qū)時,管子兩端電壓等于其穩(wěn)定電壓;穩(wěn)壓管工作在正向?qū)顟B(tài)時,管子兩端電壓等于其正向壓降。因此,可通過兩個穩(wěn)壓管的不同組合來得到不同的穩(wěn)定電壓。解   應(yīng)按如圖11.12(a)(e)所示各個電路連接,可分別得到上述幾種不同的穩(wěn)定電壓,圖中的電阻均為限流電阻。圖1.12   習(xí)題1.6的圖1.8   在一放大電路中,測得某晶體管3個電極的對地電位分別為-6V、-3V、-3.2V,試判斷該晶體管是NPN型還

13、是PNP型?鍺管還是硅管?并確定3個電極。分析   晶體管的類型(NPN型還是PNP型,硅管還是鍺管)和管腳可根據(jù)各極電位來判斷。NPN型集電極電位最高,發(fā)射極電位最低,即,;PNP型集電極電位最低,發(fā)射極電位最高,即,。硅管基極電位與發(fā)射極電位大約相差0.6或0.7V;鍺管基極電位與發(fā)射極電位大約相差0.2或0.3V。解   設(shè)晶體管3個電極分別為1、2、3,即V、V、V。因為2、3兩腳的電位差為0.2V,可判定這是一個鍺管,且1腳為集電極。由于集電極電位最低,可判定這是一個PNP型管。又由于2腳電位最高,應(yīng)為發(fā)射極,而3腳為基極。

14、因為發(fā)射極與基極之間的電壓V,基極與集電極之間的電壓V,可見發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏,晶體管工作在放大狀態(tài)。綜上所述,可知這是一個PNP型的鍺晶體管。1.9   晶體管工作在放大區(qū)時,要求發(fā)射結(jié)上加正向電壓,集電結(jié)上加反向電壓。試就NPN型和PNP型兩種情況討論:(1)UC和UB的電位哪個高?UCB是正還是負(fù)?(2)UB和UE的電位哪個高?UBE是正還是負(fù)?(3)UC和UE的電位哪個高?UCE是正還是負(fù)?分析   晶體管工作在放大區(qū)時,要求發(fā)射結(jié)上加正向電壓,集電結(jié)上加反向電壓。對NPN型晶體管,電源的接法應(yīng)使3個電極的電位關(guān)系為。對P

15、NP型晶體管,則應(yīng)使。解   (1)對NPN型晶體管,由可知:,;,。(2)對PNP型晶體管,由可知:,;,。1.10   一個晶體管的基極電流A,集電極電流mA,能否從這兩個數(shù)據(jù)來確定它的電流放大系數(shù)?為什么?分析   晶體管工作在不同狀態(tài)時,基極電流和集電極電流的關(guān)系不同。工作在截止?fàn)顟B(tài)時,;工作在放大狀態(tài)時;工作在飽和狀態(tài)時。解   不能由這兩個數(shù)據(jù)來確定晶體管的電流放大系數(shù)。這是因為晶體管的電流放大系數(shù)是放大狀態(tài)時的集電極電流與基極電流的比值,而題中只給出了基極電流和

16、集電極電流的值,并沒有指明這兩個數(shù)據(jù)的測試條件,無法判別晶體管是工作在放大狀態(tài)還是飽和狀態(tài),所以不能由這兩個數(shù)據(jù)來確定晶體管的電流放大系數(shù)。1.11   若晶體管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都加正向電壓,則集電極電流IC將比發(fā)射結(jié)加正向電壓、集電結(jié)加反向電壓時更大,這對晶體管的放大作用是否更為有利?為什么?分析   晶體管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都加正向電壓時工作在飽和狀態(tài),IC不隨IB的增大而成比例地增大,晶體管已失去了線性放大作用。解   發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都加正向電壓時對晶體管的放大作用不是更為有利,而是反而不利。這是因為

17、這時晶體管工作在飽和狀態(tài),集電極電流IC雖然比發(fā)射結(jié)加正向電壓、集電結(jié)加反向電壓(即放大狀態(tài))時更大,但是IC已不再隨IB線性增大,IB對IC已失去控制作用,所以已沒有放大能力。另一方面,晶體管工作在飽和狀態(tài)時集電極與發(fā)射極之間的電壓V,雖然IC更大,但晶體管的輸出電壓反而更小,所以也不能把電流放大作用轉(zhuǎn)換為電壓放大作用。1.12   有兩個晶體管,一個管子的、A,另一個管子的、A,其他參數(shù)都一樣,哪個管子的性能更好一些?為什么?分析   雖然在放大電路中晶體管的放大能力是一個非常重要的指標(biāo),但并非越大就意味著管子性能越好。衡量一個晶

18、體管的性能不能光看一、兩個參數(shù),而要綜合考慮它的各個參數(shù)。在其他參數(shù)都一樣的情況下,太小,放大作用??;太大,溫度穩(wěn)定性差。一般在放大電路中,以左右為好。ICBO受溫度影響大,此值越小,溫度穩(wěn)定性越好。ICBO越大、越大的管子,則ICEO越大,穩(wěn)定性越差。解   第二個管子的性能更好一些。這是因為在放大電路中,固然要考慮晶體管的放大能力,更主要的是要考慮放大電路的穩(wěn)定性。1.13   有一晶體管的mW,mA,V,試問在下列幾種情況下,哪種為正常工作狀態(tài)?(1)V,mA。(2)V,mA。(3)V,mA。分析  

19、0;ICM、U(BR)CEO和PCM稱為晶體管的極限參數(shù),由它們共同確定晶體管的安全工作區(qū)。集電極電流超過ICM時晶體管的值將明顯下降;反向電壓超過U(BR)CEO時晶體管可能會被擊穿;集電極耗散功率超過PCM時晶體管會被燒壞。解   第(1)種情況晶體管工作正常,這是因為,。其余兩種情況晶體管工作不正常1.14   某場效應(yīng)管漏極特性曲線如圖1.13所示,試判斷:(1)該管屬哪種類型?畫出其符號。(2)該管的夾斷電壓UGS(off) 大約是多少?(3)該管的漏極飽和電流IDSS大約是多少?分析  

20、60;根據(jù)表1.2所示絕緣柵型場效應(yīng)管的漏極特性曲線可知,N溝道場效應(yīng)管當(dāng)UGS由正值向負(fù)值變化時ID減小,P溝道場效應(yīng)管當(dāng)UGS由正值向負(fù)值變化時ID增大;耗盡型場效應(yīng)管在時,增強(qiáng)型場效應(yīng)管在時。解   由圖1.13可知,因為該管當(dāng)UGS由正值向負(fù)值變化時ID減小,且時,所以該管屬N溝道耗盡型場效應(yīng)管,并且夾斷電壓V,漏極飽和電流mA,其符號如圖1.14所示。                    圖1.13   習(xí)題1.14的圖     &

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