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1、垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL ）制作工藝簡介Beijing Asia Science&Technology VCSEL基本簡介基本簡介垂直腔表面發(fā)射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,即VCSEL) 區(qū)別于邊發(fā)射激光器沿平行于襯底表面、垂直于解理面的方向出射，而是面發(fā)射激光器其出光方向垂直于襯底表面，如下圖：邊發(fā)射激光器（a）面發(fā)射激光器(b)VCSEL基本簡介基本簡介-基本構(gòu)成基本構(gòu)成1977 年，日本東京工業(yè)大學(xué)的伊賀健一(KenichiIga)提出 VCSEL 的概念，其光學(xué)諧振腔與半導(dǎo)體芯片的襯底垂直，能夠?qū)崿F(xiàn)芯片表面的激光發(fā)

2、射。典型的 VCSEL 為頂發(fā)射結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)示意圖如下圖 所示VCSEL的結(jié)構(gòu)示意圖（頂部布拉格反射器（P-DBR）、諧振腔和底部N-DBR）VCSEL的制作總工藝過程的制作總工藝過程工藝過程總流程圖側(cè)向選擇氧化制備工藝流程圖VCSEL的制作總工藝過程的制作總工藝過程工藝制備圖側(cè)向選擇氧化制備工藝流程圖外延材料制備外延材料制備MOCVD側(cè)向選擇氧化制備工藝流程圖n-DBRGaAs substrateactiveP-DBRP-ring VCSEL的制作芯片工藝與關(guān)鍵設(shè)備的制作芯片工藝與關(guān)鍵設(shè)備芯片流片芯片流片過程外延材料制備外延材料制備沉積SiO2側(cè)向選擇氧化制備工藝流程圖n-DBRGaAs su

3、bstrateP-ring contact沉積SiO外延材料制備外延材料制備光刻+腐蝕 做SiO2掩膜側(cè)向選擇氧化制備工藝流程圖n-DBRGaAs substrateP-DBRP-ring 外延材料制備外延材料制備臺面腐蝕側(cè)向選擇氧化制備工藝流程圖n-DBRGaAs substrateactiveP-DBRP-ring 外延材料制備外延材料制備去掩膜側(cè)向選擇氧化制備工藝流程圖n-DBRGaAs substrateactiveP-DBRP-ring 外延材料制備外延材料制備局部氧化側(cè)向選擇氧化制備工藝流程圖n-DBRGaAs substrateactiveP-DBRP-ring 外延材料制備外延材料制備沉積SiO2側(cè)向選擇氧化制備工藝流程圖n-DBRGaAs substrateactiveP-DBRP-ring 外延材料制備外延材料制備光刻、刻蝕、開窗側(cè)向選擇氧化制備工藝流程圖n-DBRGaAs substrateactiveP-DBRP-ring 外延材料制備外延材料制備光刻、電極、出光孔側(cè)向

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