1、泓域咨詢/佛山功率IC項目商業計劃書佛山功率IC項目商業計劃書xx公司目錄第一章 總論7一、 項目名稱及項目單位7二、 項目建設地點7三、 可行性研究范圍7四、 編制依據和技術原則8五、 建設背景、規模9六、 項目建設進度10七、 環境影響10八、 建設投資估算10九、 項目主要技術經濟指標11主要經濟指標一覽表11十、 主要結論及建議13第二章 項目背景分析14一、 行業發展趨勢（機遇與挑戰）14二、 MOSFET產品的行業基本情況17三、 堅持擴大內需戰略基點高水平參與構建新發展格局19四、 項目實施的必要性22第三章 市場分析23一、 TVS產品的行業基本情況23二、 二極管、晶體管行業

2、的基本情況25第四章 選址方案分析28一、 項目選址原則28二、 建設區基本情況28三、 堅持創新驅動發展增強發展新動能31四、 推動制造業高質量發展加快建設現代產業體系34五、 項目選址綜合評價37第五章 建設內容與產品方案38一、 建設規模及主要建設內容38二、 產品規劃方案及生產綱領38產品規劃方案一覽表38第六章 發展規劃41一、 公司發展規劃41二、 保障措施47第七章 SWOT分析50一、 優勢分析（S）50二、 劣勢分析（W）52三、 機會分析（O）52四、 威脅分析（T）54第八章 勞動安全58一、 編制依據58二、 防范措施61三、 預期效果評價66第九章 節能方案67一、

3、項目節能概述67二、 能源消費種類和數量分析68能耗分析一覽表69三、 項目節能措施69四、 節能綜合評價72第十章 人力資源配置分析73一、 人力資源配置73勞動定員一覽表73二、 員工技能培訓73第十一章 項目投資計劃75一、 投資估算的依據和說明75二、 建設投資估算76建設投資估算表78三、 建設期利息78建設期利息估算表78四、 流動資金80流動資金估算表80五、 總投資81總投資及構成一覽表81六、 資金籌措與投資計劃82項目投資計劃與資金籌措一覽表83第十二章 項目經濟效益84一、 基本假設及基礎參數選取84二、 經濟評價財務測算84營業收入、稅金及附加和增值稅估算表84綜合總成

4、本費用估算表86利潤及利潤分配表88三、 項目盈利能力分析88項目投資現金流量表90四、 財務生存能力分析91五、 償債能力分析92借款還本付息計劃表93六、 經濟評價結論93第十三章 風險風險及應對措施95一、 項目風險分析95二、 項目風險對策97第十四章 招標、投標100一、 項目招標依據100二、 項目招標范圍100三、 招標要求100四、 招標組織方式102五、 招標信息發布103第十五章 項目綜合評價說明104第十六章 附表附錄105建設投資估算表105建設期利息估算表105固定資產投資估算表106流動資金估算表107總投資及構成一覽表108項目投資計劃與資金籌措一覽表109營業收

5、入、稅金及附加和增值稅估算表110綜合總成本費用估算表111固定資產折舊費估算表112無形資產和其他資產攤銷估算表113利潤及利潤分配表113項目投資現金流量表114第一章 總論一、 項目名稱及項目單位項目名稱：佛山功率IC項目項目單位：xx公司二、 項目建設地點本期項目選址位于xx，占地面積約70.00畝。項目擬定建設區域地理位置優越，交通便利，規劃電力、給排水、通訊等公用設施條件完備，非常適宜本期項目建設。三、 可行性研究范圍1、項目背景及市場預測分析；2、建設規模的確定；3、建設場地及建設條件；4、工程設計方案；5、節能；6、環境保護、勞動安全、衛生與消防；7、組織機構與人力資源配置；8

6、、項目招標方案；9、投資估算和資金籌措；10、財務分析。四、 編制依據和技術原則（一）編制依據1、承辦單位關于編制本項目報告的委托；2、國家和地方有關政策、法規、規劃；3、現行有關技術規范、標準和規定；4、相關產業發展規劃、政策；5、項目承辦單位提供的基礎資料。（二）技術原則堅持以經濟效益為中心，社會效益和不境效益為重點指導思想，以技術先進、經濟可行為原則，立足本地、面向全國、著眼未來，實現企業高質量、可持續發展。1、優化規劃方案，盡可能減少工程項目的投資額，以求得最好的經濟效益。2、結合廠址和裝置特點，總圖布置力求做到布置緊湊，流程順暢，操作方便，盡量減少用地。3、在工藝路線及公用工程的技術

7、方案選擇上，既要考慮先進性，又要確保技術成熟可靠，做到先進、可靠、合理、經濟。4、結合當地有利條件，因地制宜，充分利用當地資源。5、根據市場預測和當地情況制定產品方向，做到產品方案合理。6、依據環保法規，做到清潔生產，工程建設實現“三同時”，將環境污染降低到最低程度。7、嚴格執行國家和地方勞動安全、企業衛生、消防抗震等有關法規、標準和規范。做到清潔生產、安全生產、文明生產。五、 建設背景、規模（一）項目背景從產品類型來看，功率半導體可以分為功率器件和功率IC。功率器件屬于分立器件，可進一步分為二極管、晶體管、晶閘管等，其中二極管主要包括TVS二極管、肖特基二極管、整流二極管等，晶體管主要包括M

8、OSFET、IGBT、雙極性晶體管等；功率IC屬于集成電路中的模擬IC，可進一步分為AC/DC、DC/DC、電源管理IC、驅動IC等。（二）建設規模及產品方案該項目總占地面積46667.00（折合約70.00畝），預計場區規劃總建筑面積72164.58。其中：生產工程51105.97，倉儲工程8845.26，行政辦公及生活服務設施7699.71，公共工程4513.64。項目建成后，形成年產xx件功率IC的生產能力。六、 項目建設進度結合該項目建設的實際工作情況，xx公司將項目工程的建設周期確定為12個月，其工作內容包括：項目前期準備、工程勘察與設計、土建工程施工、設備采購、設備安裝調試、試車投

9、產等。七、 環境影響項目符合國家和地方產業政策，選址布局合理，擬采取的各項環境保護措施具有經濟和技術可行性。建設單位在嚴格執行項目環境保護“三同時制度”、認真落實相應的環境保護防治措施后，項目的各類污染物均能做到達標排放或者妥善處置，對外部環境影響較小，故項目建設具有環境可行性。八、 建設投資估算（一）項目總投資構成分析本期項目總投資包括建設投資、建設期利息和流動資金。根據謹慎財務估算，項目總投資26150.99萬元，其中：建設投資19993.53萬元，占項目總投資的76.45%；建設期利息219.75萬元，占項目總投資的0.84%；流動資金5937.71萬元，占項目總投資的22.71%。（二

10、）建設投資構成本期項目建設投資19993.53萬元，包括工程費用、工程建設其他費用和預備費，其中：工程費用17309.47萬元，工程建設其他費用2099.99萬元，預備費584.07萬元。九、 項目主要技術經濟指標（一）財務效益分析根據謹慎財務測算，項目達產后每年營業收入50800.00萬元，綜合總成本費用39496.85萬元，納稅總額5229.68萬元，凈利潤8278.87萬元，財務內部收益率24.80%，財務凈現值16637.24萬元，全部投資回收期5.24年。（二）主要數據及技術指標表主要經濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積46667.00約70.00畝1.1總建筑面積72164

11、.581.2基底面積28000.201.3投資強度萬元/畝272.972總投資萬元26150.992.1建設投資萬元19993.532.1.1工程費用萬元17309.472.1.2其他費用萬元2099.992.1.3預備費萬元584.072.2建設期利息萬元219.752.3流動資金萬元5937.713資金籌措萬元26150.993.1自籌資金萬元17181.433.2銀行貸款萬元8969.564營業收入萬元50800.00正常運營年份5總成本費用萬元39496.85""6利潤總額萬元11038.50""7凈利潤萬元8278.87""

12、8所得稅萬元2759.63""9增值稅萬元2205.40""10稅金及附加萬元264.65""11納稅總額萬元5229.68""12工業增加值萬元17448.87""13盈虧平衡點萬元16560.43產值14回收期年5.2415內部收益率24.80%所得稅后16財務凈現值萬元16637.24所得稅后十、 主要結論及建議本項目生產線設備技術先進，即提高了產品質量，又增加了產品附加值，具有良好的社會效益和經濟效益。本項目生產所需原料立足于本地資源優勢，主要原材料從本地市場采購，保證了項目實施后的正常

13、生產經營。綜上所述，項目的實施將對實現節能降耗、環境保護具有重要意義，本期項目的建設，是十分必要和可行的。第二章 項目背景分析一、 行業發展趨勢（機遇與挑戰）1、全球經濟發展態勢和電子系統產品市場將是帶動全球半導體市場發展的主要因素ICInsights發布的麥克林報告（McCleanReport2019）公布了最新的全球半導體市場與全球GDP總量增長的關系圖，指出全球經濟增長狀況是影響全球半導體市場起伏的最主要因素，特別是2010年以后，全球半導體市場增長與全球GDP總量增長呈現高度相關性，2010-2018年的相關系數高達0.86。2016年、2017年、2018年全球GDP總量增速分別為2

14、.4%、3.1%、3.0%左右，而推動全球半導體市場增速分別達3.0%、25%、16%左右。ICInsights預測2019-2023年全球半導體市場增長與全球GDP總量增長的相關系數為0.93。ICInsights認為原因來自兩個，一是越來越多的兼并和收購事件導致主要半導體制造商和供應商數量減少，這是供應基礎的一個重大變化，也說明了該行業愈發成熟，這有助于促進全球GDP成長與半導體市場之間更密切的關聯性。二是消費者驅動的IC市場持續轉型。20年前大約60%的半導體市場是由商務應用程序推動、40%是由消費者應用程序驅動的，如今這兩者所占百分比已經互換。因此，隨著消費者為導向的環境推動電子系統銷

15、售和半導體市場的作用愈顯重要。2、國家出臺多項政策驅動產業繁榮發展國家高度重視半導體行業發展，近年來出臺了多項扶持產業發展政策，鼓勵技術進步。2014年6月，國務院發布國家集成電路產業發展推進綱要，以設計、制造、封裝測試以及裝備材料等環節作為集成電路行業發展重點，提出到2020年，集成電路產業與國際先進水平的差距逐步縮小，全行業銷售收入年均增速超過20%；到2030年，集成電路產業鏈主要環節達到國際先進水平，一批企業進入國際第一梯隊，實現跨越發展。2014年9月24日，國家集成電路產業投資基金股份有限公司（簡稱“大基金一期”）正式設立；2019年10月22日，國家集成電路產業投資基金二期股份有

16、限公司（簡稱“大基金二期”）注冊成立。大基金一期和大基金二期重點投資集成電路芯片制造業，兼顧芯片設計、封裝測試、設備和材料等產業，實施市場化運作、專業化管理，充分展現了國家扶持半導體行業的信心，將大力促進行業增長。功率半導體作為半導體行業的重要組成部分，將大受裨益。國家的政策支持為行業創造了良好的政策環境和投融資環境，為功率半導體行業發展帶來了良好的發展機遇，促進行業發展的同時加速產業的轉移進程，國內功率半導體行業有望進入長期快速增長通道。3、下游終端產品的功能多樣化將增加功率器件的產品需求功率器件應用領域十分廣泛，下游終端產品類別繁多，隨著社會發展和技術發展，下游終端產品對電能轉換效率、穩定

17、性、高壓大功率提出了更高的需求，產品設計將更加復雜化，產品功能將更加多樣化。下游終端產品的功能多樣化將增加功率器件的需求，促進功率器件的技術發展，促使功率器件朝著更高性能、更快速度、更小體積方向發展。4、新興產業需求和技術創新將引領半導體行業發展隨著汽車電子、智能制造、人工智能、5G、高端應用處理器、高性能計算、汽車駕駛輔助系統、虛擬貨幣等新興領域的快速發展，相關IC產品將被更為廣泛地應用在各類智能移動終端、工業機器人、新能源汽車、可穿戴設備等新興產品中。這些需求將刺激我國IC產品的技術創新和產業發展，對我國IC設計、制造企業帶來增長機遇。同時，我國功率半導體企業一直緊跟國際先進技術發展，通過

18、持續的技術創新不斷推動產品升級，并積極向中高端市場滲透，與國際廠商展開競爭。隨著計算機、網絡通信、智能家居、汽車電子等行業的技術發展和市場增長，我國功率半導體技術水平也將不斷提升，為國內功率半導體相關企業贏得更多的發展機遇。5、市場空間巨大半導體產業是全球性產業，全球產業景氣度是中國半導體產業發展的大前提，但中國半導體產業的內生力更值得關注。半導體行業發源于歐美，日韓及中國臺灣在產業轉移中亦建立了先進的半導體工業體系。中國半導體起步晚，但近年來，國家高度重視半導體行業的發展，不斷出臺多項鼓勵政策大力扶持包括功率半導體在內的半導體行業。隨著國內大循環、國內國際雙循環格局發展，國內功率半導體產品需

19、求繼續增加，國內功率半導體設計企業不斷成長，未來發展空間巨大。根據顧問機構InternationalBusinessStrategies（IBS）預測，到2030年中國的半導體市場供應將達到5,385億美元。2020-2030年中國市場的半導體供應量來自中國本土企業的比例將逐漸上升，到2030年將達到39.8%。預計到2030年，69%的消費量將來自中國本土公司，需求主要來自數據中心、消費電子、汽車、醫療等應用領域。二、 MOSFET產品的行業基本情況1、MOSFET簡介MOSFET問世于1980年左右，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管，用于將輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變

20、化，起到開關或放大等作用。隨著技術的發展，溝槽結構MOSFET于1990年左右逐步研發成功。2008年，英飛凌（Infineon）率先推出屏蔽柵功率MOSFET。對國內市場而言，MOSFET產品由于其技術及工藝的先進性，很大程度上仍依賴進口，國產化空間巨大。2、MOSFET的市場規模及競爭格局2019年全球MOSFET市場規模達76億美元，2016-2023年復合增速達5%；中國大陸MOSFET市場規模達36億美元，中國市場在全球占比約48%。2020年，全球MOSFET市場規模達80.67億美元，2021年在全球尤其是中國的5G基礎設施和5G手機、PC及云服務器、電動汽車、新基建等市場推動下

21、，全球MOSFET增速將以較高速度增長。預計2021年至2025年，MOSFET每年的增速將不低于6.7%，預計2025年將達到118.47億美元。根據有關數據，2020年，全球MOSFET營收前十的廠商仍然以歐、美、日廠商為主，其中英飛凌以29.7%的市場份額遙遙領先，位居全球功率MOSFET市場第一，前2大廠商英飛凌和安森美營收之和占比為40.9%，前10大公司營收之和占比高達80.4%。3、MOSFET的未來發展趨勢近二十年來，各個領域對功率器件的電壓和頻率要求越來越嚴格，MOSFET和IGBT逐漸成為主流，技術上MOSFET朝著低阻抗發展。中國MOSFET市場規模增長迅速，據統計，20

22、16年-2019年MOSFET市場的復合增長率為12.0%。MOSFET增速與全球功率器件增速接近，占據功率器件22%的市場份額，長期來看仍將保持重要地位。全球功率器件市場規模穩步增長，MOSFET需求長期穩定。三、 堅持擴大內需戰略基點高水平參與構建新發展格局堅持擴大內需戰略基點，把實施擴大內需戰略同深化供給側結構性改革有機結合起來，以需求牽引供給、以供給創造需求，更好利用國內國際兩個市場、兩種資源，高水平參與構建以國內大循環為主體、國內國際雙循環相互促進的新發展格局，努力打造新發展格局重要節點城市。（一）積極擴大有效投資擴大基礎設施投資。聚焦打基礎、惠民生、補短板，深入挖掘投資新增長點，持

23、續優化投資結構。重點支持“兩新一重”建設，加強新型基礎設施建設，布局建設信息基礎設施、融合基礎設施、創新基礎設施等，推動建設新能源汽車充電樁、加氫站等新能源基礎設施。加強新型城鎮化建設，廣泛開展“宜居佛山共同締造”行動，加快推進老舊小區改造，加大公共衛生、物資儲備、防災減災設施建設，加大市政工程、環保設施和公共服務等領域補短板投資力度。加強重大工程項目建設，重點推進交通、水利、民生等領域重大項目建設。（二）全面促進消費升級發力提振傳統消費。大力發展消費金融，促進傳統大宗消費健康發展。完善促進汽車消費的政策，推動汽車由購買管理向使用管理轉變，支持推廣新能源汽車，促進汽車消費量質齊升。進一步完善二

24、手車交易流通相關政策，促進二手車市場發展。堅持“房子是用來住的、不是用來炒的”定位，健全多主體供給、多渠道保障、租購并舉的住房制度，滿足居民合理住房需求，促進房地產市場平穩健康發展。多措并舉促進家電、家具等消費，優化家電、家具等產品供給質量和結構，促進供需精準對接。完善廢舊家電回收處理體系，推動家電更新消費。全面促進餐飲消費，深入實施粵菜師傅“1+5”系列工程建設，擦亮佛山美食金字招牌。激發旅游消費活力，豐富旅游產品供給。加快文化、旅游、體育、養老、托幼、家政、教育培訓、醫療保健、康養等高品質服務供給，激發服務消費需求。落實帶薪休假制度，擴大節假日消費，適當增加公共消費。（三）暢通國內大循環提

25、升佛山供給體系質量。深化供給側結構性改革，同時注重需求側管理，強化政策支撐，打通堵點，補齊短板，形成需求牽引供給、供給創造需求的更高水平動態平衡。加快提升產業鏈供應鏈自主可控能力，推動形成新的高質量供給體系，更好滿足人民群眾多樣化、品質化、個性化需求。深入推進佛山制造品質革命，深入實施“以質取勝、標準引領、品牌帶動”三大戰略，打造高水平“質量強市”。開展質量基礎設施“一站式”服務，推進細分行業龍頭企業培育認定工作，挖掘和培育行業“單打冠軍”，打造“中國制造”品質標桿。加快完善試驗驗證、計量、標準、檢驗檢測、認證、信息服務等基礎服務體系，加強標準、計量、專利等體系和能力建設，升級實施標準化戰略，

26、積極構建具有佛山產業特色的新型標準體系，鼓勵企業積極參與國際、國家、行業和地方標準制修訂，加快推進“佛山標準”工作，建立“佛山標準”產品評價體系，以高標準打造中國制造品質標桿。全面推進品牌帶動戰略，鼓勵企業加強品牌建設，扶持企業提高商標創造、管理和保護能力，以我市13個獲批全國知名品牌示范區的制造業區域品牌為基礎，探索建立區域品牌培育、維護機制，創建培育一批有特色、有價值、有底蘊的“佛山品牌”。（四）促進國內國際雙循環完善促進國內國際雙循環的體制機制。立足國內大循環，完善促進國內國際雙循環的體制機制，推動國內外要素資源加快匯聚，順暢流動。充分發揮粵港澳大灣區極點城市區位優勢，充分利用國內國際兩

27、個市場兩種資源，積極推動內需與外需、進口與出口、貨物貿易與服務貿易、貿易與產業協調發展，提高投資和貿易便利化自由化水平。促進內外貿法律法規、監管體制、經營資質、質量標準、檢驗檢疫、認證認可等相銜接。鼓勵企業在深耕傳統國際市場、加大多元化國際市場開拓力度的基礎上積極拓展國內市場，增強對國內需求的適配性。四、 項目實施的必要性（一）現有產能已無法滿足公司業務發展需求作為行業的領先企業，公司已建立良好的品牌形象和較高的市場知名度，產品銷售形勢良好，產銷率超過 100%。預計未來幾年公司的銷售規模仍將保持快速增長。隨著業務發展，公司現有廠房、設備資源已不能滿足不斷增長的市場需求。公司通過優化生產流程、

28、強化管理等手段，不斷挖掘產能潛力，但仍難以從根本上緩解產能不足問題。通過本次項目的建設，公司將有效克服產能不足對公司發展的制約，為公司把握市場機遇奠定基礎。（二）公司產品結構升級的需要隨著制造業智能化、自動化產業升級，公司產品的性能也需要不斷優化升級。公司只有以技術創新和市場開發為驅動，不斷研發新產品，提升產品精密化程度，將產品質量水平提升到同類產品的領先水準，提高生產的靈活性和適應性，契合關鍵零部件國產化的需求，才能在與國外企業的競爭中獲得優勢，保持公司在領域的國內領先地位。第三章 市場分析一、 TVS產品的行業基本情況1、TVS/ESD保護器件簡介普通的TVS二極管在20世紀80年代開始出

29、現，與大多數二極管正向導通的特性不同，其基于反向擊穿特性，通過對浪涌的快速泄放，可以起到對電子產品的保護作用，對初級浪涌防護效果較好。普通TVS二極管也是采用單個PN節結構，主要采用臺面結構技術。21世紀初期以來，隨著半導體芯片制程的發展，集成電路芯片呈現出小型化趨勢，線寬變窄，同時追求更高的集成度和更低的工作電壓，致使集成電路芯片變得更加敏感，極易受到靜電和浪涌沖擊，造成損壞。普通的TVS因性能、精度、靈敏度等方面的限制已無法滿足集成電路芯片發展中新提出的防靜電和浪涌沖擊的保護要求，于是新型的具備漏電小、鉗位電壓低、響應時間快、抗靜電能力強且兼具防浪涌能力等特點的用于ESD（Electro-

30、Staticdischarge，靜電放電）保護的TVS（以下簡稱為“ESD保護器件”）在近十幾年被開發出來并不斷創新、升級。普通的TVS二極管由單個PN節結構形成，結構單一，工藝簡單。ESD保護器件對結構設計和工藝要求更高，結構更加復雜，一般設計成多路PN結集成結構，采用多次外延、雙面擴結或溝槽設計。ESD保護器件能夠確保小型化的集成電路芯片得到有效保護，代表著當前TVS的技術水平和發展方向。目前，功率半導體行業內部分國際企業已將ESD保護器件在內的TVS單獨分類。比如，安世半導體已將ESD保護、TVS單獨分類，將其與二極管、MOSFET、邏輯和模擬IC等產品類別共同列為主要產品類別；安森美將

31、ESD保護單獨分類，與二極管、MOSFET、晶體管等產品類別并列為安森美的主要產品類別；英飛凌、意法半導體、商升特等亦將ESD保護等單獨分類。2、TVS/ESD保護器件的市場規模及競爭格局根據OMDIA發布的研究報告TVS-ESDComponentsMarketAnalysis2021，2020年全球TVS市場規模約為16.21億美元，預計2021年全球TVS市場規模約為18.19億美元。2020年全球ESD保護器件市場規模約為10.55億美元，預計2023年全球ESD保護器件市場規模約為13.20億美元。根據韋爾股份2019年年度報告，在TVS領域，韋爾股份在消費類市場中的出貨量穩居國內第一

32、，其主要競爭對手是外資器件廠家，包括英飛凌（Infineon），安森美（ONSemiconductor），恩智浦半導體（NXP），商升特半導體（Semtech）等。根據韋爾股份2020年年度報告，其2020年TVS銷售額為5.03億元。ESD保護器件的市場目前主要由歐美廠商主導，根據OMDIA發布的研究報告，全球前五大廠商分別為安世半導體（Nexperia）、意法半導體（STMicroelectronics）、商升特（Semtech）、安森美（ONSemiconductor）、晶焱（Amazing）。上述前五大廠商2020年銷售額為7.08億美元，占全球市場份額約為67.12%。3、TVS/E

33、SD保護器件的未來發展趨勢TVS/ESD保護器件的應用領域廣泛，隨著在5G基礎設施和5G手機、電動汽車充電樁、個人電腦、工業電子等市場的推動下，預計TVS/ESD保護器件將以較大幅度增長。在消費類電子領域，由于產品集成度高，技術要求不斷提升，產品更新換代較快，相應地對ESD保護器件的技術創新要求也較高，未來的發展趨勢為小型化、集成化。ESD保護器件通常具有響應時間短、具備靜電防護和浪涌吸收能力強等優點，可用于保護設備電路免受各類靜電及浪涌的損傷，順應了集成電路芯片發展的趨勢和需要，市場前景廣闊。二、 二極管、晶體管行業的基本情況1、二極管、晶體管簡介半導體二極管是一種使用半導體材料制作而成的單

34、向導電性二端器件，其產品結構比較簡單，一般為單個PN節結構，只允許電流從單一方向流過。自20世紀50年代面世至今，陸續發展出整流二極管、開關二極管、穩壓二極管、肖特基二極管、TVS二極管等系列的二極管，廣泛應用于整流、穩壓、檢波、保護等電路中。二極管的應用領域涵蓋了消費類電子、網絡通訊、安防、工業等，是電子工程上用途最廣的電子元器件之一。晶體管是一種使用半導體材料制作而成的三端器件，具有放大、開關、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓或輸入電流控制輸出電流。晶體管根據結構特點和功能主要分為絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransisto

35、r,IGBT)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)和雙極性結型晶體管（Bipolarjunctiontransistor,BJT，俗稱三極管）。 2、二極管、晶體管行業的市場規模及競爭格局2018年全球二極管市場規模達63.93億美元，市場空間廣闊。根據中國電子信息產業統計年鑒數據，中國二極管銷量從2014年的2,856億只增長到了2018年的16,950億只。根據芯謀研究的有關數據，2020年全球二極管營收前十大廠商中以歐、美、日廠商為主。晶體管主要分為雙極性結型晶體管（三極管）、MOS

36、FET和IGBT。根據三種晶體管的市場規模估算，2019年，晶體管總的市場規模約為138.27億美元；2020年，晶體管總市場規模約為147.88億美元。由于雙極性結型晶體管存在功耗偏大等問題，隨著全球節能減排的推行，其市場規模總體趨于衰退，正在被MOSFET所取代；IGBT市場規模則以較高速度增長。市場競爭格局方面，三極管、MOSFET和IGBT三類產品的市場競爭格局有所不同。其中，全球三極管市場比較分散，MOSFET和IGBT市場集中度較高。3、二極管、晶體管行業的未來發展趨勢二極管的應用領域涵蓋了消費類電子、網絡通訊、安防、工業等，隨著市場的擴展而成長。二極管在部分細分領域的中高端產品，

37、對技術創新要求較高，會隨著應用領域的技術要求不斷提升，推動產品的技術升級，尤其是在消費類電子領域。晶體管中，雙極性結型晶體管（三極管）是電流型功率開關器件，價格低、功耗大，在少數價格敏感、感性負載驅動等應用中還有一定需求，但其正在被功率MOSFET替代。近二十年來，消費類電子、網絡通訊、工業、安防等領域對功率器件的電壓和頻率要求越來越嚴格，MOSFET和IGBT逐漸成為主流。中國MOSFET、IGBT市場規模增長迅速。第四章 選址方案分析一、 項目選址原則1、符合城鄉規劃和相關標準規范的原則。2、符合產業政策、環境保護、耕地保護和可持續發展的原則。3、有利于產業發展、城鄉功能完善和城鄉空間資源

38、合理配置與利用的原則。4、保障公共利益、改善人居環境的原則。5、保證城鄉公共安全和項目建設安全的原則。6、經濟效益、社會效益、環境效益相互協調的原則。二、 建設區基本情況佛山地處珠江三角洲腹地，東倚廣州，毗鄰深圳、香港、澳門，是國家歷史文化名城、我國重要的制造業基地、粵港澳大灣區的重要節點城市、珠三角地區西翼經貿中心和綜合交通樞紐，與廣州共同構成“廣佛都市圈”和粵港澳大灣區三大極點之一，獲全國文明城市、中國最具幸福感城市、中國宜居宜業城市、新一線城市等榮譽。佛山是廣東省地級市，行政區劃面積3797.72平方公里，轄禪城、南海、順德、高明、三水五個區，常住人口815.86萬人，其中戶籍人口473

39、.77萬人。佛山是全國第17個、廣東省第3個經濟總量超萬億元的城市，2020年實現地區生產總值10816.47億元。佛山是工業經濟實力排名全國第6的城市，2020年規模以上工業總產值達2.33萬億元。據2020年中國社科院發布的中國城市競爭力報告，佛山城市綜合經濟競爭力排名全國第14位。展望2035年，我市經濟實力、科技實力、綜合競爭力將大幅躍升，經濟總量和城鄉居民人均收入再邁上新的大臺階，城市能級顯著提升，成為科技創新和成果轉化區域高地，創新型城市建設走在國內城市前列；高質量實現新型工業化、信息化、城鎮化、農業現代化，建成現代化經濟體系，制造業發展層次達到世界制造強國水平，成為為美好生活而制

40、造的城市標桿；人民平等參與、平等發展權利得到充分保障，基本建成法治佛山、法治政府、法治社會；文化、教育、人才、體育、健康等全面進步，市民素質和社會文明程度達到新高度，文化軟實力顯著增強，成為嶺南文旅全球重要目的地；廣泛形成綠色生產生活方式，碳排放率先達峰后穩中有降，生態環境根本好轉，建成美麗佛山；形成區域開放合作和對外開放新格局，對粵港澳大灣區和全省發展的支撐作用更加凸顯，參與國際經濟合作和競爭優勢明顯增強；基本公共服務實現均等化，五區發展差距明顯縮小，城鄉區域發展更加協調；平安佛山建設達到更高水平，社會和諧有序、充滿活力，成為市域治理體系和治理能力現代化的樣本；“人城產文”深度融合，城市更加

41、宜居宜業；人民生活更加美好，人的全面發展、全體人民共同富裕取得更為明顯的實質性進展。經濟實力邁上新臺階。堅持以發展為第一要務，推動經濟運行穩中有進。2020年，全市地區生產總值達10,816.47億元，5年（20162020年，下同）年均增長6.1。產業結構持續優化，三次產業比重優化調整為1.556.442.1；先進制造業增加值占規模以上工業增加值比重提高至50.2。需求拉動總體平穩，固定資產投資5年年均增長7.7；2020年，全市實現社會消費品零售總額3289.09億元，5年年均增長4.9；外貿進出口總額達5060.3億元，5年年均增長4.4。經濟發展質量穩步提高，2020年，實現地方一般公

42、共財政預算收入753.29億元，5年年均增長6.2；市場主體數量增至94萬戶，年均增長14.27；截至2020年年末，全市金融機構本外幣存款、貸款余額分別達1.92萬億元、1.45萬億元，居全省前列。重點領域風險有效防范，完成國有“僵尸企業”出清任務，銀行業不良貸款率穩步下降，政府性債務水平保持安全可控。全市五區連續5年穩居全國綜合實力百強區前50強，區鎮經濟發展活力不斷增強。創新發展實現新突破。獲批建設國家創新型城市，建設面向全球的國家制造業創新中心步伐不斷加快，“一環創新圈”和“1+5+N”創新平臺體系加快構建，三龍灣高端創新集聚區、佛山國家高新技術產業開發區戰略地位日趨凸顯，季華實驗室建

43、設居省實驗室前列，實現引進全職院士零的突破。科技研發投入不斷加大，2020年研發經費支出占地區生產總值比重預計達2.67，較2015年提高0.22個百分點。自主創新能力穩步增強，國家高新技術企業累計達5718家，是2015年的8倍，省重點實驗室增至29家，規模以上工業企業研發機構建有率提高至56；每萬人發明專利擁有量達33.94件；5年累計新增博士后科研工作站（分站）19家。知識產權保護體系更趨完善，建成廣東首家、全國第五家國家級知識產權保護中心。三、 堅持創新驅動發展增強發展新動能堅持創新在現代化建設全局中的核心地位，強化戰略科技力量，瞄準產業發展前沿，面向經濟主戰場、面向重大發展需求、面向

44、人民生命健康，深入實施科技強市戰略、人才強市戰略、創新驅動發展戰略，加快實現科技自立自強，打造面向全球的國家制造業創新中心。（一）強化企業創新主體地位推進高新技術企業規模化發展。持續推進高新技術企業樹標提質，培育及壯大高新技術產業集群。樹立高新技術企業創新發展標桿，遴選創新能力強、規模水平高、成長速度快的標桿高新技術企業，示范帶動全市高新技術企業發展。創新高新技術企業培育模式，培育壯大“眾創空間科技企業孵化器科技企業加速器”一體化的科技企業孵化鏈條，持續孵化、培育、壯大高新技術企業。（二）聚力突破關鍵核心技術打好關鍵核心技術攻堅戰。圍繞人工智能和智能裝備、高端新型電子信息、新材料、新能源汽車、

45、氫能源、中醫藥、生物醫藥、節能環保等領域，研究制定重點領域主干技術路線圖，提出關鍵核心技術清單，制定戰略支撐與保障措施，促進基礎研究與產業技術創新、重大科技成果轉化融通發展，加快突破“卡脖子”技術問題。圍繞前沿引領技術、關鍵共性技術、現代工程技術，探索重大科技任務“佛山發布、揭榜掛帥”的組織實施模式，深入推進產學研合作，鼓勵企業自主開展科技攻關。積極承接國家級和省級科技重大專項、重點研發計劃，深入參與粵港澳大灣區國際科技創新中心建設，強化國際科技合作，匯聚國際一流團隊和科創資源，深度參與國際創新鏈、價值鏈、產業鏈的合作分工。（三）培養集聚創新人才隊伍實施人才引進培育工程。深入實施人才強市戰略，

46、深化人才發展體制機制改革，優化人才引育機制，集聚一批前沿科技領軍人才，吸引一批國際一流戰略科學家、院士等“高精尖”人才，培育一批具有國際競爭力的青年科技人才后備軍。圍繞創新鏈布局產業鏈，引進一批具有核心競爭力的科技創新團隊，深入開展“銀齡專項”試點工作。加強區域人才合作，完善粵港澳大灣區人才多領域合作和交流機制，深入推進廣佛人才全域同城合作；探索海外引才引智新模式，提高人才國際交流與合作水平，加快聚集海外高層次人才。深化科教協同、產教融合，加強創新型、應用型、技能型人才培養。弘揚新時代工匠精神，落實工匠培育政策，大力培養適應產業轉型升級需要的高技能人才隊伍。積極實施十百千萬企業家成長工程，實施

47、人才戰略品牌工程，力爭5年內打造成具有國內外影響力的人才品牌。（四）完善科技創新體制機制加快完善科技資源配置和評價體制。完善科技投入機制，加大財政保障力度，積極健全科研容錯機制，建立起更加科學更加彈性的科研資助體系。持續優化科研任務形成和組織實施模式，健全“企業發展出題+產業需求牽引+多方聯動答題”的重大科技項目攻關機制，賦予各類創新主體更多自主權，鼓勵創新主體自主資助非共識技術創新項目。健全創新激勵機制，探索科研人員職務發明成果權益分享機制。完善優化科研項目評價和管理機制，建立公平公正的科研評價、信用管理和失信懲戒體制，搭建長效的政企科技創新咨詢和雙向反饋機制。（五）優化發展創新功能區強化三

48、龍灣高端創新集聚區創新極核作用。充分發揮緊鄰廣州區位優勢，搶抓我省建設粵港澳大灣區綜合性國家科學中心等歷史性機遇，依托自身產業基礎雄厚的基礎條件，大力培育和引進國家重點實驗室、國家技術創新中心、國家工程研究中心、大科學裝置，優化布局建設重點實驗室、工程實驗室、工程（技術）研究中心、企業技術中心等創新載體，打造高端創新資源集聚新高地。以三龍灣高端創新集聚區為基點，加快向南依次串聯大學城衛星城、順德莘村、南沙新城，向東依次串聯廣州南站、廣州大學城、黃埔臨港經濟區，全面對接廣深港澳科技創新走廊，努力將三龍灣高端創新集聚區打造成為佛山參與粵港澳大灣區國際科技創新中心建設的主陣地、首要平臺。依托佛山中德

49、工業服務區，深化與德國、烏克蘭、以色列、瑞士等在智能制造等重點領域合作，構建完善的國際化協同創新網絡。四、 推動制造業高質量發展加快建設現代產業體系堅持把發展經濟著力點放在實體經濟上，以實施制造業高質量發展“六大工程”為抓手，以打造“2+2+4”產業集群為重點，以鞏固提升戰略性支柱產業和培育壯大戰略性新興產業為要務，推進現代服務業壯大提質，提升金融服務實體經濟水平，加快數字經濟發展步伐，加快構建更具競爭力的現代產業體系。（一）提升制造業產業集群化水平做大做強2個超萬億產業集群。鞏固提升裝備制造、泛家居2個產值超萬億產業集群發展水平，進一步提升產業鏈、供應鏈穩定性和競爭力。充分發揮珠江西岸先進裝

50、備制造產業帶龍頭引領作用，進一步加強與珠江西岸其他城市緊密協作、聯動發展，加快發展智能制造裝備、工業機器人、工作母機等高端裝備制造，提升佛山裝備制造的智能化、集成化水平，建設世界級先進裝備制造業產業集群。堅持以智能家電、家具、陶瓷、建材、綠色照明、高端紡織等領域為重點，延伸發展工業設計、電子商務等泛家居產業服務配套，提升泛家居產業數字化、智能化、綠色化、高端化、個性化發展水平，推動佛山家居名鎮、建陶小鎮、織夢小鎮加快建設，鞏固提升佛山泛家居產業集群在國際國內的知名度和市場份額。（二）發展壯大戰略性產業鞏固提升戰略性支柱產業。加快發展壯大新一代電子信息、智能家電、汽車產業、先進材料、現代輕工紡織

51、、軟件與信息服務、超高清視頻顯示、生物醫藥與健康、現代農業與食品等戰略性支柱產業集群，引導產業由集聚發展向集群發展全面提升，推動產業集群質量變革、效率變革、動力變革。加強產業集群網絡化協作，促進集群產業鏈上下游企業開展縱向分工協作，構建大中小企業創新協同、供應鏈互通的新型產業生態。堅持以質量品牌提檔升級帶動產業集群提質增效，大力推進品質革命，培育一批國內領先的產業集群區域品牌和世界一流的企業品牌，提升支柱產業供給質量，促進集群價值鏈整體躍升。（三）提高金融服務實體經濟水平完善現代金融組織體系。穩步推進地方金融管理體制改革，做大做強地方法人金融機構，支持法人農村商業銀行加快打造地方性現代商業銀行

52、，推動南海農村商業銀行、順德農村商業銀行上市，大力引進和培育信托公司、消費金融公司、證券公司、期貨公司、保險公司、第三方支付、地方資產管理公司等法人金融機構，支持符合條件的民間資本依法發起設立民營金融機構，積極引進持牌金融機構，構建多層次多功能金融市場體系。做大金融后臺服務組織體系，支持更多金融機構在佛山設立研發中心、銀行卡中心、培訓中心、金融科技實驗中心等，為金融機構前臺服務提供支撐。深化區域金融改革創新，加快推動五區金融錯位發展，謀劃建設廣東金融高新技術服務區“一區多園”格局。（四）加快數字經濟發展步伐推動數字技術賦能佛山制造轉型升級。深入開展“2+2+4”產業集群數字化賦能行動，以產業集

53、群建設為主戰場，以信息技術與實體經濟特別是制造業深度融合為主路徑，研究制定重點行業和關鍵領域的數字化發展戰略和創新發展路線圖。堅持智能制造主攻方向，深入實施“機器換人”計劃，推動工業機器人、智能加工設備等智能裝備在制造業廣泛應用，提高智能制造水平，到2025年累計推廣工業企業應用機器人達3.2萬臺。完善標準體系，強化試點示范，引進和培育一批系統解決方案提供商，加快工業設備和企業上云用云步伐。抓好工業大數據發展，實施企業“上云用數賦智”促進行動，推進利用5G、云計算、大數據、區塊鏈、工業互聯網、國際二維碼等技術賦能制造業，推動制造業加速向數字化、網絡化、智能化發展。突出開展“5G+工業互聯網”的

54、應用推廣，扶持建設一批數字化車間、智能工廠、燈塔工廠、智慧園區。發展服務型制造，廣泛推廣大規模個性化定制、網絡化協同制造，拓展傳統制造業價值空間。加快建設廣東福能大數據產業園、東平云谷、騰訊工業互聯網粵港澳大灣區基地、工業富聯佛山智造谷、順德（龍江）數字產業城、紅崗科技城、潤澤（佛山）國際數據港、佛山藍灣云計算產業項目等重點園區和載體，以重大項目夯實產業數字化發展基礎，力爭成為全國制造業數字化轉型示范區。五、 項目選址綜合評價項目選址應符合城鄉建設總體規劃和項目占地使用規劃的要求，同時具備便捷的陸路交通和方便的施工場址，并且與大氣污染防治、水資源和自然生態資源保護相一致。第五章 建設內容與產品

55、方案一、 建設規模及主要建設內容（一）項目場地規模該項目總占地面積46667.00（折合約70.00畝），預計場區規劃總建筑面積72164.58。（二）產能規模根據國內外市場需求和xx公司建設能力分析，建設規模確定達產年產xx件功率IC，預計年營業收入50800.00萬元。二、 產品規劃方案及生產綱領本期項目產品主要從國家及地方產業發展政策、市場需求狀況、資源供應情況、企業資金籌措能力、生產工藝技術水平的先進程度、項目經濟效益及投資風險性等方面綜合考慮確定。具體品種將根據市場需求狀況進行必要的調整，各年生產綱領是根據人員及裝備生產能力水平，并參考市場需求預測情況確定，同時，把產量和銷量視為一致

56、，本報告將按照初步產品方案進行測算。產品規劃方案一覽表序號產品（服務）名稱單位單價（元）年設計產量產值1功率IC件xxx2功率IC件xxx3功率IC件xxx4.件5.件6.件合計xx50800.0021世紀初期以來，隨著半導體芯片制程的發展，集成電路芯片呈現出小型化趨勢，線寬變窄，同時追求更高的集成度和更低的工作電壓，致使集成電路芯片變得更加敏感，極易受到靜電和浪涌沖擊，造成損壞。普通的TVS因性能、精度、靈敏度等方面的限制已無法滿足集成電路芯片發展中新提出的防靜電和浪涌沖擊的保護要求，于是新型的具備漏電小、鉗位電壓低、響應時間快、抗靜電能力強且兼具防浪涌能力等特點的用于ESD（Electro-Staticdischarge，靜電放電）保護的TVS（以下簡稱為“ESD保護器件”）在近十幾年被開發出來并不斷創新、升級。普通的TVS二極管由單個PN節結構形成，結構單一，工藝簡單。ESD保護器件對結構設計和工藝要求更高，結構更加復雜，一般設計成多路PN結集成結構，采用多次外延、雙面擴結或溝槽設計。ESD保護器件能夠確保小型化的集成電路芯片得到有效保護，代表著當前TVS的技術水平和發展方向。第六章 發展規劃一、 公司發展規劃（一）發展計劃