1、薄膜混合電路的制造工藝吳亞軍(陜西國防工業(yè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院 電子信息學(xué)院 微電3101班 西安市戶縣 710300)摘要：薄膜混合電路（HIC）是微電子技術(shù)的一個方面，微電子技術(shù)主要是微小型電子元件器件組成的電子系統(tǒng)。主要依靠特定的工藝在單獨的基片之上(或之內(nèi))形成無源網(wǎng)絡(luò)并互連有源器件，從而構(gòu)成的微型電子電路。薄膜電路以其元件參數(shù)范圍寬、精度高、穩(wěn)定性能好、溫度頻率特性好，并且集成度較高、尺寸較小，但工藝設(shè)備昂，生產(chǎn)成本高。它與半導(dǎo)體集成電路相互補充、相互滲透，已成為集成電路的一個重要組成部分，廣泛應(yīng)用于低頻微波電路等眾多領(lǐng)域，對電子設(shè)備的微型化起到了重要的推動作用。 Thin film hyb

2、rid circuit ( HIC ) is an aspect of microelectronic technology, microelectronics technology is mainly small electronic components devices composed of electronic system. Mainly depends on the specific process on a separate substrate ( or within ) the passive network interconnection formed and active

3、devices, thus constituting the miniature electronic circuit. Thin film circuit element parameters to its wide range, high precision, good stability, temperature good frequency characteristic, and high integration level, small size, but the process equipment expensive, high production cost. It and se

4、miconductor integrated circuit mutual complement, mutual penetration, has become integrated circuit is an important component, is widely applied in many fields such as low frequency microwave circuit, the electronic equipment miniaturization played an important role in promoting關(guān)鍵詞：薄膜混合電路（HIC）、微電子技術(shù)

5、(microelectronic technology)、微型電子電路(miniature electronic circuit)引言：集成電路電路分為薄厚膜集成電路、半導(dǎo)體集成電路和混合集成電路。而近年來隨著半導(dǎo)體技術(shù)和微電子技術(shù)的蓬勃發(fā)展，電子信息技術(shù)日益向微型化、高集成化、高速數(shù)據(jù)傳輸和高電流、高頻化微波化等眾多領(lǐng)域發(fā)展。這對電子元器件提出了尺寸微小、高頻、高可靠性和高集成度的要求，工作頻率和速度的提高進(jìn)一步縮短信號在系統(tǒng)內(nèi)部的傳輸延遲時間，小型電子元器件及印制板組裝技術(shù)制造工藝的不斷更新，電子技術(shù)取得了飛速的發(fā)展。厚膜混合電路的優(yōu)勢在于性能可靠，設(shè)計靈活，投資小，成本低，多應(yīng)用高電壓、

6、大電流、大功率的場合。厚膜混合電路采用的是絲網(wǎng)印刷和高溫?zé)Y(jié)形成無源網(wǎng)絡(luò)。薄膜混合電路元件參數(shù)范圍寬、精度高、穩(wěn)定性能好、溫度頻率特性好、集成度較高多用于低頻微波場合。薄膜電路采用的是真空蒸發(fā)、磁控濺射等工藝方法。 1 薄膜混合電路的綜述薄膜集成電路是將整個電路的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件以及它們之間的互連引線，全部用厚度在微米以下的金屬、半導(dǎo)體、金屬氧化物、多種金屬混合相、合金或絕緣介質(zhì)薄膜，并通過真空蒸發(fā)、濺射和電鍍等工藝制成的集成電路。薄膜集成電路中的有源器件，即晶體管有兩種材料結(jié)構(gòu)形式：一種是薄膜場效應(yīng)硫化鎘或硒化鎘晶體管，另一種是薄膜熱電子放大器。更多的實用化的薄膜集成電

7、路采用混合工藝，即用薄膜技術(shù)在玻璃、微晶玻璃、鍍釉和拋光氧化鋁陶瓷基片上制備無源元件和電路元件間的連線，再將集成電路、晶體管、二極管等有源器件的芯片和不使用薄膜工藝制作的功率電阻、大容量的電容器、電感等元件用熱壓焊接、超聲焊接、梁式引線或凸點倒裝焊接等方式，就可以組裝成一塊完整的集成電路。在同一個基片上用蒸發(fā)、濺射、電鍍等薄膜工藝制成無源網(wǎng)路,并組裝上分立的微型元件、器件,外加封裝而成的混合集成電路。所裝的分立微型元件、器件，可以是微型元件、半導(dǎo)體芯片或單片集成電路。 按無源網(wǎng)路中元件參數(shù)的集中和分布情況，薄膜集成電路分為集中參數(shù)和分布參數(shù)兩種。前者適用范圍從低頻到微波波段，后者只適用于微波波

8、段。1.1薄膜混合電路的特點薄膜混合集成電路與厚膜混合集成電路相比較，其薄膜混合電路的特點是所制作的元件參數(shù)范圍寬、精度高、溫度頻率特性好，可以工作到毫米微波段。并且集成度較高、尺寸較小。但是所用工藝設(shè)備比較昂貴、生產(chǎn)成本比較高。薄膜混合集成電路適用于各種電路，特別是要求精度高、穩(wěn)定性能好的模擬電路。與其他集成電路相比，它更適合于微波電路。1.1.1薄膜混合電路的制造工藝主要工藝 薄膜混合集成電路所用基片有多種，最常用的是玻璃基片,其次是微晶玻璃和被釉陶瓷基片,有時也用藍(lán)寶石單晶硅基片。為了實現(xiàn)緊密組裝和自動化生產(chǎn)，一般使用標(biāo)準(zhǔn)基片。在基片上形成薄膜有多種方法。制造薄膜網(wǎng)路常用物理汽

9、相淀積（PVD)法,有時還有陽極氧化或電鍍法。在物理汽相淀積法中，最常用的是蒸發(fā)工藝和濺射工藝。這兩種工藝都是在真空室中進(jìn)行的，所以統(tǒng)稱為真空成膜法。用這兩種方法，可以制造無源網(wǎng)路中的無源元件、互連線、絕緣膜和保護(hù)膜。陽極氧化法可以形成介質(zhì)膜，并能調(diào)整電阻膜的阻值。在制造分布參數(shù)微波混合集成電路時，用電鍍法增加薄膜微帶線的厚度，以減少功耗。1.1.2薄膜混合電路的制作材料 在薄膜電路中主要有四種薄膜：導(dǎo)電、電阻、介質(zhì)和絕緣薄膜。導(dǎo)電薄膜用作互連線、焊接區(qū)和電容器極板。電阻薄膜形成各種微型電阻。介質(zhì)薄膜是各種微型電容器的介質(zhì)層。絕緣薄膜用作交叉導(dǎo)體的絕緣和薄膜電路的保護(hù)層。各種薄膜的作

10、用不同，所以對它們的要求和使用的材料也不相同。 對導(dǎo)電薄膜的要求除了經(jīng)濟(jì)性能外，主要是導(dǎo)電率大，附著牢靠，可焊性好和穩(wěn)定性高。因尚無一種材料能完全滿足這些要求，所以必須采用多層結(jié)構(gòu)。常用的是二至四層結(jié)構(gòu),如鉻-金(Cr-Au)、鎳鉻-金(Ni Cr-Au)、鈦-鉑-金(Ti-Pt-Au)、鈦-鈀-金(Ti-Pd-Au)、鈦-銅-金(Ti-Cu-Au)、鉻-銅-鉻-金(Cr-Cu-Cr-Au)等。微型電容器的極板對導(dǎo)電薄膜的要求略有不同，常用鋁或鉭作電容器的下極板，鋁或金作上極板。對電阻薄膜的主要要求是膜電阻范圍寬、溫度系數(shù)小和穩(wěn)定性能好。最常用的是鉻硅系和鉭基系。在鉻硅系中有鎳-鉻(Ni-Cr

11、)、鉻-鈷(Cr-Co)、鎳-鉻-硅(Ni-Cr-Si)、鉻-硅(Cr-Si)、鉻-氧化硅(Cr-SiO)、鎳鉻-二氧化硅（NiCrSiO2）。屬于鉭基系的有鉭(Ta)、氮化鉭(Ta2N)、鉭-鋁-氮(TaAlN)、 鉭-硅(Ta-Si)、鉭-氧-氮(Ta-O-N)、鉭-硅-氧(Ta-Si-O)等。對介質(zhì)薄膜要求介電常數(shù)大、介電強度高、損耗角正切值小,用得最多的仍是硅系和鉭系。即氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、氧化鉭(Ta2O5)和它們的雙層復(fù)合結(jié)構(gòu)：Ta2O5-SiO和Ta2O5-SiO2。有時還用氧化釔(Y2O3)，氧化鉿(HfO2)和鈦酸鋇(BaTiO3)等。為了減小薄膜網(wǎng)路中的

12、寄生效應(yīng)，絕緣薄膜的介電常數(shù)應(yīng)該很小,因而采用氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、氮化硼(BN)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)等，適合于微波電路。2.薄膜混合電路的基片材料2.2.1薄膜基片材料基片是微波電磁場傳輸媒質(zhì)，又是電路的支撐體。其主要性能指標(biāo)：（1）高頻損耗tg，隨溫度T和工作頻率fo升高而增加，在微波頻段工作的材料，其高頻吸收能量P=2fV2rtg。（2） 介電常數(shù)0.22rA/t，r大時電路尺寸可以小，有利集成; 但頻率太高時，有時為了減小加工難度，選r較小的材料。（3） 表面光潔度形響到電路損耗，薄膜的附著力，和線條的分辨率，劃痕等缺陷。（4）基片平整度（基片上最

13、高點與最低點的距離叫平整度）基片翹度：最高點與最低點的距離除的基片的長度，經(jīng)研磨和拋光，翹度可小于0.0001in/in。（5）化學(xué)穩(wěn)定性。基片對酸堿的耐性，對金屬膜是否相互作用。如微晶玻璃就應(yīng)避免Ti/Pt/Au系統(tǒng)。（6） CTE 基片的熱膨脹系數(shù)應(yīng)與管殼材料，元器件材料相匹配，以避免產(chǎn)生應(yīng)力，影響可靠性。（7） 熱導(dǎo)率，決定了基片的導(dǎo)熱性，熱導(dǎo)率高有利于電路的散熱。（8）容易加工2.2.2薄膜電路的基片材料微波電路基片常用的主要有陶瓷基片，有機材料基片和復(fù)合介質(zhì)基片。微波薄膜混合集成電路主要采用的陶瓷基片是：  Al2O3陶瓷基片  微晶玻璃基片&

14、#160; BeO陶瓷基片  AIN陶瓷基片，還有碳化硅，人造金剛石等用的較少。2.2.3薄膜電路的基片材料加工陶瓷打孔用超聲波打孔和激光打孔。（1）激光打孔，位置準(zhǔn)確、可偏程、效率高，可打很小的孔，比如0.2mm，還可打異形孔。只是設(shè)備貴。（2）超聲波打孔 打孔質(zhì)量較好，壁直、圓滑  不僅可打陶瓷，也可打微晶玻璃 可以打0.5mm,0.8mm,1.0mm,1.2mm,1.5mm.2.0mm,2.5mm的孔，  缺點是定位精度差、效率低。主要靠金剛沙研磨，需要把基片粘到玻璃上，打完孔后取下基片，清洗蠟層。（3）劃片。陶瓷片用

15、砂輪化片機，或激光劃片。 微晶玻璃片用金剛刀劃片機劃片。 2.2.4薄膜電路的基片材料清洗(1)去油去蠟1°可以用甲苯煮或超聲（5mim）2°用丙酮超聲25min3°用乙醇超聲25min，微晶玻璃基片可用濃流酸煮至發(fā)煙；(2)去除金屬離子10HCl煮沸、水沖、水煮 10NaOH煮沸3min，水沸微晶玻璃可用王水煮(3)大量沖水(3)乙醇脫水(4)烘干除了濺射前的基片，無明顯油和蠟的片子，可以只用甲苯、丙酮、乙醇超聲，水超聲、烘干即可。超聲時間不要太長，一般不要超過5min。超聲過長，可能影響金屬附著性能。根據(jù)基片清潔情況，可以減少前面步驟。2.2.5薄膜電路的基片

16、材料制作示意圖3.薄膜混合電路的薄膜元器件分別介紹薄膜在以下幾種電子元器件中的應(yīng)用 ，薄膜電阻器，薄膜電容器以及薄膜聲表面波器件。3.3.1薄膜電阻器薄膜在無源器件方面中的應(yīng)用最開始于電阻器，薄膜電阻器是用蒸發(fā)的方法將一定電阻率材料蒸鍍于絕緣材料表面制成。一般來講金屬被制成薄膜后會像本征電阻率變高，電阻溫度系數(shù)變小這一有利方向發(fā)展。（1）Ni Cr薄膜電阻。這一電阻是最早被深入研究的金屬薄膜電阻，他具有溫度系數(shù)小，噪聲低，壽命長等特點。常用的Ni Cr薄膜電阻有圓筒形和方形板型。制造過程為：首先在絕緣襯底上由蒸發(fā)和濺射方法淀積Ni Cr合成膜。然后通過修編技術(shù)來調(diào)整阻值圓形電阻用機械方法切割螺

17、旋線來修正阻值，達(dá)到調(diào)阻目的，平行板可采用機械或激光方法來調(diào)阻。最后焊上引線并封裝即可。（2）鉭薄膜電阻鉭是熔點高金屬，但單質(zhì)鉭的溫度系數(shù)及穩(wěn)定性都不太好，所以后來研究了鉭的氮化物（TaN）TaN膜一般是在高純氮氣中利用濺射方法制成，其電阻與Ni Cr薄膜電阻膜相近，其穩(wěn)定性好但是鉭是稀有金屬所以成本會比較高，對大量生產(chǎn)不利，故分立元件推廣不多，但是在會和電路中可獲得非常優(yōu)越的性質(zhì)，被優(yōu)先考慮。（3）技術(shù)陶瓷薄膜電阻雖然Ni Cr薄膜電阻和鉭薄膜電阻的特性都具有非常高的指標(biāo)，但是有一個明顯的缺點是阻值不易做高。為了彌補這一點，可采用技術(shù)和無機物混合即金屬陶瓷，根據(jù)各組成相所占百分比不同，金屬陶

18、瓷分為以陶瓷為基質(zhì)和以金屬為基質(zhì)兩類。陶瓷基金屬陶瓷主要有：氧化物基金屬陶瓷。以氧化鋁、氧化鋯、氧化鎂、氧化鈹?shù)葹榛w，與金屬鎢、鉻或鈷復(fù)合而成，具有耐高溫、抗化學(xué)腐蝕、導(dǎo)熱性好、機械強度高等特點，可用作導(dǎo)彈噴管襯套、熔煉金屬的坩堝和金屬切削刀具。碳化物基金屬陶瓷。以碳化鈦、碳化硅、碳化鎢等為基體，與金屬鈷、鎳、鉻、鎢、鉬等金屬復(fù)合而成，具有高硬度、高耐磨性、耐高溫等特點，用于制造切削刀具 、高溫軸承、密封環(huán)、撿絲模套及透平葉片。氮化物基金屬陶瓷。以氮化鈦、氮化硼、氮化硅和氮化鉭為基體，具有超硬性、抗熱振性和良好的高溫蠕變性，應(yīng)用較少。但是從重復(fù)性和穩(wěn)定性來看目前可實用的僅限于Cr-SiO。C

19、r-SiO金屬陶瓷實用快速爭渡方法制成，其方阻特性隨Cr和SiO的比例變化很大，一般來講，Cr含量越高TCR越小。而方阻隨Si增多而增大。而在實際比例中為1：1，此時方阻約為1K歐姆/，因此用同一圖形做出阻值約為Cr-SiO五倍。但壽命不是十分理想，所以此類材料只用在M歐級電阻上。3.3.2薄膜電容電容器依著介質(zhì)的不同，它的種類很多，例如：電解質(zhì)電容、紙質(zhì)電容、薄膜電容、陶瓷電容、云母電容、空氣電容等。但是在音響器材中使用最頻繁的，當(dāng)屬電解電容器和薄膜(Film)電容器。電解電容大多被使用在需要電容量很大的地方，例如主電源部份的濾波電容，除了濾波之外，并兼做儲存電能之用。而薄膜電容則廣泛被使用

20、在模擬信號的交連，電源噪聲的旁路(反交連)等地方。薄膜電容器是以金屬箔當(dāng)電極，將其和聚乙酯，聚丙烯，聚笨乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，從兩端重疊后，卷繞成圓筒狀的構(gòu)造之電容器。而依塑料薄膜的種類又被分別稱為聚乙酯電容(又稱Mylar電容)，聚丙烯電容(又稱PP電容)，聚苯乙烯電容(又稱PS電容)和聚碳酸電容。 薄膜電容器由于具有很多優(yōu)良的特性，因此是一種性能優(yōu)秀的電容器。它的主要等性如下：無極性，絕緣阻抗很高，頻率特性優(yōu)異(頻率響應(yīng)寬廣)，而且介質(zhì)損失很小。基于以上的優(yōu)點，所以薄膜電容器被大量使用在模擬電路上。尤其是在信號交連的部份，必須使用頻率特性良好，介質(zhì)損失極低的電容器，方能確保信號在傳送時

21、，不致有太大的失真情形發(fā)生。在所有的塑料薄膜電容當(dāng)中，又以聚丙烯(PP)電容和聚苯乙烯(PS)電容的特性最為顯著，當(dāng)然這兩種電容器的價格也比較高。然而近年來音響器材為了提升聲音的品質(zhì)，所采用的零件材料已愈來愈高級，價格并非最重要的考量因素，所以近年來PP電容和PS電容被使用在音響器材的頻率與數(shù)量也愈來愈高。讀者們可以經(jīng)常見到某某牌的器材，號稱用了多少某某名牌的PP質(zhì)電容或PS質(zhì)電容，以做為在聲音品質(zhì)上的背書，其道理就在此。 通常的薄膜電容器其制法是將鋁等金屬箔當(dāng)成電極和塑料薄膜重疊后卷繞在一起制成。但是另外薄膜電容器又有一種制造法，叫做金屬化薄膜(Metallized Film)，其制法是在塑

22、料薄膜上以真空蒸鍍上一層很薄的金屬以做為電極。如此可以省去電極箔的厚度，縮小電容器單位容量的體積，所以薄膜電容器較容易做成小型，容量大的電容 器。例如常見的MKP電容，就是金屬化聚丙烯膜電容器(Metailized Polypropylene Film Capacitor)的代稱，而MKT則是金屬化聚乙酯電容(Metailized Polyester)的代稱。 金屬化薄膜電容器所使用的薄膜有聚乙酯、聚丙烯、聚碳酸酯等，除了卷繞型之外，也有疊層型。金屬化薄膜這種型態(tài)的電容器具有一種所謂的復(fù)原作用(Self Healing Action)，即假設(shè)電極的微小部份因為電界質(zhì)脆弱而引起短路時，引起短路部

23、份周圍的電極金屬，會因當(dāng)時電容器所帶的靜電能量或短路電流，而引發(fā)更大面積的溶 融和蒸發(fā)而恢復(fù)絕緣，使電容器再度回復(fù)電容器的作用。 聚脂薄膜在普通應(yīng)用中表現(xiàn)出良好的特性，具有高介電常數(shù)(使其在金屬化薄膜電容器中獲得最高的單位體積電容量)、高絕緣強度、自我復(fù)原特點和良好的溫度穩(wěn)定性。在所有各類薄膜電容器中，聚脂電容器以適度的成本實現(xiàn)了最佳的體積效率，而且是解耦、阻斷、旁路和噪聲抑制等直流應(yīng)用中最流行的選擇。而利用金屬化聚丙烯薄膜制造的電容器則具有低介電損耗、高絕緣阻抗、低介電吸收和高絕緣強度特性，是一種持久的和節(jié)省空間的解決方案，它的長期穩(wěn)定性也很好。這些特點使金屬化聚丙烯薄膜電容器成為交流輸入濾

24、波器、電子鎮(zhèn)流器和緩沖電路等應(yīng)用的重要選擇。聚丙烯薄膜電容器可以提供400VAC或更高的額定電壓，滿足工業(yè)三相應(yīng)用和專業(yè)設(shè)備的要求。它們還可以用于開關(guān)電源、鑒頻和濾波器電路，以及能量存儲和取樣與保持應(yīng)用等。薄膜電容器是電子產(chǎn)業(yè)中的重要元件，盡管相應(yīng)的生產(chǎn)與結(jié)構(gòu)技術(shù)在不斷發(fā)展以提供更大的電容量和更好的電氣性能，但這些器件很少與新產(chǎn)品的新特性有關(guān)。在這種情況下，由于人們往往需要迅速完成設(shè)計和元件選擇，當(dāng)出現(xiàn)特殊需求時，電容器制造商提供一對一式的服務(wù)能夠幫助解決設(shè)計問題和保證干擾濾波器、基本信號調(diào)節(jié)電路和電子鎮(zhèn)流器等基本功能模塊的順利完成。3.3.3薄膜聲表面波器件在聲表面撥器件中，聲表面波的能量集

25、中在壓電基片的表層內(nèi)。該表面層的厚度為一個表面波的波長。因此可以不用壓電單晶或壓電陶瓷作基片，而采用象玻璃那種無壓電性的襯底，在上面覆蓋厚度約一個波長的壓電薄膜就可制作聲表面波器件。在薄膜聲表面波器件中，壓電薄膜和非壓電襯底形成了多層結(jié)構(gòu)，而聲表面波傳播特性則由壓電薄膜和襯底的特性共同決定。即使用同一種壓電薄膜材料，當(dāng)改變薄膜厚度和襯底材料時，聲表面波的聲速、器件的中心頻率及延遲時間、溫度特性也隨之改變。此外，聲表面波的有效機電耦合系數(shù)也隨換能器電極結(jié)構(gòu)和壓電薄膜的厚度而變化。3.3.4薄膜電阻器薄膜在無源器件方面中的應(yīng)用最開始于電阻器，薄膜電阻器是用蒸發(fā)的方法將一定電阻率材料蒸鍍于絕緣材料表

26、面制成。一般來講金屬被制成薄膜后會像本征電阻率變高，電阻溫度系數(shù)變小這一有利方向發(fā)展。（1）Ni Cr薄膜電阻。這一電阻是最早被深入研究的金屬薄膜電阻，他具有溫度系數(shù)小，噪聲低，壽命長等特點。常用的Ni Cr薄膜電阻有圓筒形和方形板型。制造過程為：首先在絕緣襯底上由蒸發(fā)和濺射方法淀積Ni Cr合成膜。然后通過修編技術(shù)來調(diào)整阻值圓形電阻用機械方法切割螺旋線來修正阻值，達(dá)到調(diào)阻目的，平行板可采用機械或激光方法來調(diào)阻。最后焊上引線并封裝即可。（2）鉭薄膜電阻鉭是熔點高金屬，但單質(zhì)鉭的溫度系數(shù)及穩(wěn)定性都不太好，所以后來研究了鉭的氮化物（TaN）TaN膜一般是在高純氮氣中利用濺射方法制成，其電阻與Ni

27、Cr薄膜電阻膜相近，其穩(wěn)定性好但是鉭是稀有金屬所以成本會比較高，對大量生產(chǎn)不利，故分立元件推廣不多，但是在會和電路中可獲得非常優(yōu)越的性質(zhì)，被優(yōu)先考慮。（3）技術(shù)陶瓷薄膜電阻雖然Ni Cr薄膜電阻和鉭薄膜電阻的特性都具有非常高的指標(biāo)，但是有一個明顯的缺點是阻值不易做高。為了彌補這一點，可采用技術(shù)和無機物混合即金屬陶瓷，根據(jù)各組成相所占百分比不同，金屬陶瓷分為以陶瓷為基質(zhì)和以金屬為基質(zhì)兩類。陶瓷基金屬陶瓷主要有：氧化物基金屬陶瓷。以氧化鋁、氧化鋯、氧化鎂、氧化鈹?shù)葹榛w，與金屬鎢、鉻或鈷復(fù)合而成，具有耐高溫、抗化學(xué)腐蝕、導(dǎo)熱性好、機械強度高等特點，可用作導(dǎo)彈噴管襯套、熔煉金屬的坩堝和金屬切削刀具。

28、碳化物基金屬陶瓷。以碳化鈦、碳化硅、碳化鎢等為基體，與金屬鈷、鎳、鉻、鎢、鉬等金屬復(fù)合而成，具有高硬度、高耐磨性、耐高溫等特點，用于制造切削刀具 、高溫軸承、密封環(huán)、撿絲模套及透平葉片。氮化物基金屬陶瓷。以氮化鈦、氮化硼、氮化硅和氮化鉭為基體，具有超硬性、抗熱振性和良好的高溫蠕變性，應(yīng)用較少。但是從重復(fù)性和穩(wěn)定性來看目前可實用的僅限于Cr-SiO。Cr-SiO金屬陶瓷實用快速爭渡方法制成，其方阻特性隨Cr和SiO的比例變化很大，一般來講，Cr含量越高TCR越小。而方阻隨Si增多而增大。而在實際比例中為1：1，此時方阻約為1K歐姆/，因此用同一圖形做出阻值約為Cr-SiO五倍。但壽命不是十分理想

29、，所以此類材料只用在M歐級電阻上。3.3.4薄膜電容電容器依著介質(zhì)的不同，它的種類很多，例如：電解質(zhì)電容、紙質(zhì)電容、薄膜電容、陶瓷電容、云母電容、空氣電容等。但是在音響器材中使用最頻繁的，當(dāng)屬電解電容器和薄膜(Film)電容器。電解電容大多被使用在需要電容量很大的地方，例如主電源部份的濾波電容，除了濾波之外，并兼做儲存電能之用。而薄膜電容則廣泛被使用在模擬信號的交連，電源噪聲的旁路(反交連)等地方。薄膜電容器是以金屬箔當(dāng)電極，將其和聚乙酯，聚丙烯，聚笨乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，從兩端重疊后，卷繞成圓筒狀的構(gòu)造之電容器。而依塑料薄膜的種類又被分別稱為聚乙酯電容(又稱Mylar電容)，聚丙烯電容(

30、又稱PP電容)，聚苯乙烯電容(又稱PS電容)和聚碳酸電容。 薄膜電容器由于具有很多優(yōu)良的特性，因此是一種性能優(yōu)秀的電容器。它的主要等性如下：無極性，絕緣阻抗很高，頻率特性優(yōu)異(頻率響應(yīng)寬廣)，而且介質(zhì)損失很小。基于以上的優(yōu)點，所以薄膜電容器被大量使用在模擬電路上。尤其是在信號交連的部份，必須使用頻率特性良好，介質(zhì)損失極低的電容器，方能確保信號在傳送時，不致有太大的失真情形發(fā)生。在所有的塑料薄膜電容當(dāng)中，又以聚丙烯(PP)電容和聚苯乙烯(PS)電容的特性最為顯著，當(dāng)然這兩種電容器的價格也比較高。然而近年來音響器材為了提升聲音的品質(zhì)，所采用的零件材料已愈來愈高級，價格并非最重要的考量因素，所以近年

31、來PP電容和PS電容被使用在音響器材的頻率與數(shù)量也愈來愈高。讀者們可以經(jīng)常見到某某牌的器材，號稱用了多少某某名牌的PP質(zhì)電容或PS質(zhì)電容，以做為在聲音品質(zhì)上的背書，其道理就在此。 通常的薄膜電容器其制法是將鋁等金屬箔當(dāng)成電極和塑料薄膜重疊后卷繞在一起制成。但是另外薄膜電容器又有一種制造法，叫做金屬化薄膜(Metallized Film)，其制法是在塑料薄膜上以真空蒸鍍上一層很薄的金屬以做為電極。如此可以省去電極箔的厚度，縮小電容器單位容量的體積，所以薄膜電容器較容易做成小型，容量大的電容 器。例如常見的MKP電容，就是金屬化聚丙烯膜電容器(Metailized Polypropylene Film Capacitor)的代稱，而MKT則是金屬化聚乙酯電容(Metailized Polyester)