1、第七章（選擇、判斷、填空共29題）一、 選擇題1一個容量為1K×8的存儲器有 個存儲單元。A.8 B.8K C.8000 D.81922要構成容量為4K×8的RAM，需要 片容量為256×4的RAM。A.2 B.4 C.8 D.323尋址容量為16K×8的RAM需要 根地址線。A.4 B.8 C.14 D.16 E.16K4若RAM的地址碼有8位，行、列地址譯碼器的輸入端都為4個，則它們的輸出線（即字線加位線）共有 條。A.8 B.16 C.32 D.2565某存儲器具有8根地址線和8根雙向數據線，則該存儲器的容量為 。A.8×3 B.8K&#

2、215;8 C.256×8 D. 256×2566.采用對稱雙地址結構尋址的1024×1的存儲矩陣有 。A.10行10列 B.5行5列 C.32行32列 D.1024行1024列7隨機存取存儲器具有 功能。A.讀/寫 B.無讀/寫 C.只讀 D.只寫8欲將容量為128×1的RAM擴展為1024×8，則需要控制各片選端的輔助譯碼器的輸出端數為 。A.1 B.2 C.3 D.89欲將容量為256×1的RAM擴展為1024×8，則需要控制各片選端的輔助譯碼器的輸入端數為 。A.4 B.2 C.3 D.810只讀存儲器ROM在運行時

3、具有 功能。A.讀/無寫 B.無讀/寫 C.讀/寫 D.無讀/無寫11只讀存儲器ROM中的內容，當電源斷掉后又接通，存儲器中的內容 。A.全部改變 B.全部為0 C.不可預料 D.保持不變12隨機存取存儲器RAM中的內容，當電源斷掉后又接通，存儲器中的內容 。A.全部改變 B.全部為1 C.不確定 D.保持不變13一個容量為512×1的靜態RAM具有 。A.地址線9根，數據線1根 B.地址線1根，數據線9根C.地址線512根，數據線9根 D.地址線9根，數據線512根14用若干RAM實現位擴展時，其方法是將 相應地并聯在一起。A.地址線 B.數據線 C.片選信號線 D.讀/寫線15P

4、ROM的與陳列（地址譯碼器）是 。A.全譯碼可編程陣列 B. 全譯碼不可編程陣列 C.非全譯碼可編程陣列 D.非全譯碼不可編程陣列二、 判斷題（正確打，錯誤的打×） 實際中，常以字數和位數的乘積表示存儲容量。（ ） RAM由若干位存儲單元組成，每個存儲單元可存放一位二進制信息。（ ） 動態隨機存取存儲器需要不斷地刷新，以防止電容上存儲的信息丟失。（ ） 用2片容量為16K×8的RAM構成容量為32K×8的RAM是位擴展。（ ） 所有的半導體存儲器在運行時都具有讀和寫的功能。（ ） ROM和RAM中存入的信息在電源斷掉后都不會丟失。（ ） RAM中的信息，當電源斷掉

5、后又接通，則原存的信息不會改變。（ ） 存儲器字數的擴展可以利用外加譯碼器控制數個芯片的片選輸入端來實現。（ ） PROM的或陣列（存儲矩陣）是可編程陣列。（ ） ROM的每個與項（地址譯碼器的輸出）都一定是最小項。（ ）三、填空題1存儲器的 和 是反映系統性能的兩個重要指標。2PROM的與門陣列是_。或門陣列是_。3ROM的種類很多，但按存儲內容的寫入方式，可分為_，_和_。4動態MOS存儲單元存儲信息的原理是利用柵極_具有_的作用。半導體RAM的典型結構由三部分組成_，_和_。答案一、 選擇題1 BD2 D3 C4 C5 C6 C7 A8 D9 B10 A11 D12 C13 A14 ACD15 B二、 判斷題1. 2. 3. 4. × 5.×6.× 7.× 8. 9.