1、熱發射掃描電鏡技術規格及要求1、 設備組成、布置方式及用途說明1.1 設備名稱：熱發射掃描電鏡1.2 數量： 一套1.3 場發射掃描電鏡主要由以下部分組成：主機：熱場發射掃描電鏡附件：電制冷能譜（EDS）與EBSD一體化系統；離子束鍍膜儀；精密切 割機；半自動研磨/拋光機；振動拋光機。1.4 推薦布置方式：開放式布置。1.5 .電鏡主要用于材料的微觀形貌觀察，要求該設備可以直接對導電（金屬材料、半導體材料）和不導電的材料（陶瓷、塑料、玻璃等）進行觀察，以滿 足研究近似原始狀態下相關樣品的觀察和分析需求；配上能譜儀，可對材料的微區成分進行定性和定量分析及元素線掃描和面分布分析；配上EBSD,可通

2、過實時采集背散射電子以及標定背散射電子衍射花樣，快速獲取逐點的晶體學結構信息，分析研究材料的晶體取向、微觀織構及其相關的材料性能等。1.6 .能通過程序控制實現自動化檢測。2、 技術指標要求2.1 場發射掃描電鏡FESEM場發射掃描電鏡作為最關鍵部件，要求選用國際知名品牌產品。投標文件應對所選用場發射顯微鏡品牌、特色及技術指標 給予詳細描述。1性能參數1.1分辨率二次電子像（SE）15KV1nm1KV1.6nm分析模式（EDS或EBSD分析）15KV3nm背散射電子像（BSE）30KV2.5nm1.2放大倍數_30-800,00 0X放大倍數誤差<3 %調節自動放大倍數修正功能，放大倍數

3、預設功能；連續可調1.3加速電壓0.2-30KV調節連續可調1.4保針電流（束流范 圍）4pA-100nA穩定度優于0.2%/h調節連續可調1.5成像模式二次電子像；背散射電子像調節模式二次電子和背散射電子成像系統可以任意比率混合，自動調節和手動調節亮度、對比度2電子光學系統2.1電子槍（燈絲）標書需詳細描述本產品的電子光學系統特點具有自動對中和啟動電子槍功能；在顯示器中顯示全部發射器參數的狀態信 息；燈絲壽命優于兩年。2.2透鏡控制系統需在標書上詳細說明透鏡控制系統；實現了大小樣品的高分辨率。取代機械 式可調光闌，避免機械上的誤差和人為的誤操作。2.3物鏡光闌物鏡光欄應能自加熱自清潔；無需拆

4、卸鏡筒即可更換物鏡光闌；光闌壽命優 十兩年。2.4電子束位移掃描旋轉、動態聚焦和傾斜校正補充，圖像旋轉連續調整，工作距離改變自 動旋轉補償；樣品傾斜時自動聚焦并修正。3樣品室3.1樣品臺五軸馬達驅動，同時保留各軸手動，移動范圍：X > 50mm ； 丫 > 50mm； Z>25mm； T>-5+70° ; R=360 °連續旋轉，電腦控制全對中旋轉控制，內置 樣品防撞警報器3.2樣品室最大可裝載直徑不小于150mm樣品；兼容性高，預留了 EDS、EBSD以及其他標準擴展接口。3.3重復性重復性：2m;3.4穩定性最小步長：90 nm；漂移：在穩定 2

5、0min后，在360 s內（樣品臺不傾斜）， 樣品臺漂移小于 40 nm ；3.5樣品臺控制樣品臺移動：在屏幕圖形上用鼠標控制及操縱桿控制；靈敏度與放大倍數相 協調；樣品臺導航：由模擬樣品臺移動的 Smart SEM圖形來進行；接觸報警： 與屏幕上的信息同時進行音響報警。4檢測器4.1鏡筒內二次電子檢測個和背散射電子檢測器各一個；樣品室二次電子檢測個和背散射電 子檢測器各一個4.2樣品室紅外CCD相機一個5電腦控制、數字圖像記錄系統和標準應用軟件5.1配置與EDS和EBDS的數據連接通道；5.2具有自動控制功能：自動真空控制、自動調節飽和電流、透鏡光闌對中、自動調焦、加速電壓偏 壓自動補償、電

6、子束大小電流自動調整、自動調整掃描速度（根據信噪比）、自動調整對比度 &亮度、自動消像散。5.3圖像處理：最大像素不小于4096 X 3536像素。圖像顯示：單幅圖像顯示或4幀圖像（SE和BSE,混合像，CCD像）同時顯示，雙分屏顯示（顯示電鏡工作參數）；圖像記錄：TIFF, BMP或JPEG;幾 何量實時測量（任何倍率下誤差低于3%以下）；標準配備多種測量軟件工具；圖像存取和管理軟件；操作軟件內建幫助軟件，協助使用者查詢相關操作步驟；具有產品控制和數據處理的其他標 配功能。5.4電鏡控制操作軟件。6控制和數據處理系統6.1基于以太網架構的數據傳輸系統；Intel雙核控制和操作計算機系

7、統（要求標書需明確配置）；Windows XP 操作系統；中央處理器：CPU : Intel P4 3.2GHz。內存：3.45G ;外界接口：串行、并行、SCSI、USB 2.0接口、網絡；硬盤 1000GB ; CD、DVD刻錄；顯示器：19英寸LCD顯示器 （標書需明確廠家與型號）7真空系統7.1渦輪分子泵，離子泵，前級機械泵；換樣時間：<300秒（高真空模式）；電子槍室真空度10-7Pa數量級;樣品室真空度：高真空模式下10-4Pa數量級。8工作條件和安裝要求3.1電源:220V/50Hz ;運行環境溫度:15-25度；運行環境：相對濕度 <80%;儀器運行的持久性：可連

8、續運行；8.2能在武漢理工大學測試中心一樓安裝，并保證設備的驗收指標要求。9安全保護9.1具有突然真空下降、斷水、斷電、接地故障自動保護10冷卻系統10.1配有循環水冷卻器11其他配件或易損件11.1配置相關配件或易損件（備用燈絲+光闌3套，含技術人員服務費及差旅費）o2.2 附件：電制冷能譜（EDS）與EBSD一體化系統該附件為場發射掃描電鏡關鍵附屬設備，用于材料的微區結構分析。EDS1探測器1.1（*）芯片類型*硅漂移SDD電子制冷探頭（Silicon Drift Detector）,獨立封 裝FET場效應管，圓型硅漂移晶體，超薄窗設計。獨立真空， 僅消耗電能，無需循環水及其他真空泵或風扇

9、制冷，沒有震 動。1.2（*）有效探測面積*不彳氐于30mm2,同等條件下，大大提高計數率。配合場發射 SEM低電壓下工作，可以顯著提高能譜的信號強度及空間分 辨率1.3（*）能量分辨率*（Mn-Ka）:在100,000CPS條件下測量,優于 131V；輕素分辨率：C-K優于52eV1.4最大輸入（輸出）計數能譜儀處理器與計算機采用分立設計，采用1394卡進行通訊。取大輸入計數不小于850,000cps,輸出年大計數率人丁300,000CPS,可處理最大計數率w700,000CPS1.5窗口類型超薄探測窗口1.6兀素分析范圍*Be4U921.7峰背比例優于 15,000:11.8譜峰穩定性1,

10、000cps到100,000cps, Mn Ka峰譜峰漂移小于 1eV,分辨 率變化小于1eV, 48小時內峰位漂移小于 1.5eV。1. 10開機速度具備零峰修正功能，可以快速穩定譜峰，開機5分鐘內即可 得到穩定的定量結果。1. 11無漏磁電子陷阱設計，對掃描電鏡無任何影響2（*）能譜應用軟件廠豕需在標書中需詳細反映廣品軟件特點：能譜應用軟件基于 Windows 7平臺，米用多任務設計，可以同時并行數個任務，并支持分屏顯示及遠程控制。導航器界面設計操作簡便，界面友好，并具有中文和英文操作界面，可以自由切換；定性分析：可自動標識譜峰，除惰性氣體元素外，無禁止自動標定的元素；可進行譜重構，對重疊

11、峰進行 手動峰剝離；定量分析：采用XPP定量修正技術和高帽數字濾波技術，可對傾斜樣品進行修正，并增強對輕元素的修正；具有完備的虛擬標樣庫；具備有標樣定量分析及無標樣定量分析方法；可以得到歸一化和非3化定量結果，可以用化學配位法得到非歸一化結果；其它功能：具備全譜智能面分布/線掃描分析功能，一次采集，能存儲每 一掃描位置（x, y）的所有元素的信息，用戶隨后可以在離線狀態下從圖像上的任何位 置重建譜圖、線掃描和面分布圖.全譜智能面分布圖分辨率4096*4096 o電子圖像分辨率8192*8192.其它功能：可將電鏡圖象傳輸到能譜儀的顯示器上，并以該圖為中心做微區分析，可顯示電子作用區大小 ，可對

12、點，矩形，任意多邊形，任意不規則區域等進 行分析；實驗報告：多種輸出格式，單鍵可生成 Word文檔，及HTML格式；離線數據 再處理等軟件包；標書需詳細提供產品功能的軟件特點。3計算機及其附件部分奔騰4主頻3.0G Hz , 2G內存，500G HD , DVD-RW , 22”液晶顯7K器，網卡EBSD1EBSD探測器1.1(*) EBSD 探頭*適用于場發射電鏡的高速EBSD探測器，能與EDS硬件同時使用，高端的高靈敏度 CCD相機，加速電壓大于3 KV, 及 束流大于5 0 0 pA時，可以采集到明顯的衍射花樣。40 X30mm大面積矩形熒光屏；花樣像素分辨率：640X 480 X 12

13、位，高精度馬達驅動；確保掃描電鏡的真空密封；具備安全 保護裝置；配置散射探測器( FSD);可以充分靠近樣品而不 遮擋能譜探頭，無需電亍制冷，CCD相機直接安裝于熒光屏 后，充分靠近樣品。1.2(*)花樣采集速度>106 點/秒(8*8 binning)1.3標定成功率任何掃描速度下，用以多晶銀( Ni)為標樣，測量99%的標 定成功率。1.4(*)取向精準度任何掃描速度下，獲得優于0.3度的取向精準度，并可同時給出數據可用性的量化指標；2(*)數據庫系統具有專用的EBSD和ICSD數據庫；具有人工建立數據庫和添加源于XRD的通用數據庫功能。3(*)軟件功能與能譜聯合使用，具備圖像采集系

14、統：具有SEM成像功能，可支持多種 SEM圖像類型，圖片尺寸不低于4096X4096;具備EBSD花樣自由采集，無標樣自動系統校準功能，擁有 極圖與反極圖，取向分布，相區分與鑒定，能夠分析晶界織 構，以及EDS和EBSD的同步分析，離線數據再處理等軟件 包；標書需詳細提供產品功能的軟件特點。4()計算機提供通訊連接和高性能計算機工作站，保證解析的高速度； 標書需詳細提供產品功能的特點。2.3 附件：離子束鍍膜儀功能：適用于不同材質的試樣表面噴鍍導電層。主要技術指標：1 .樣品能夠快速鍍膜，只產生極小的熱量；2 .控制樣品旋轉和搖擺速率，確保樣品鍍膜均一；3 .樣品載臺適用于各種 SEM羊品；4

15、 .配有測膜厚度裝置(FTM,能夠連續測量沉積速率；5 .提供多種材質(C Pt、Au、Cr)的靶材；6 .隱藏在腔體內的耙材完全與濺射污染物隔離；7 .可選配第二個耙材交換儀器即可再增加兩個耙材，可在保持真空的情況下極短時間內選 擇兩個可用耙材中任意一個。2.4 附件：精密切割機功能：適用于不同材質的試樣取樣，包括陶瓷，金屬，稀土材料，復合材料，生物材料等；能自動完成試樣的切割，并有良好的切割效果， 試樣損傷小；對于失效分析的試樣能精確定位切割。主要技術指標：1 . 工作功率:1/8 HP （92瓦）直流馬達2 . 刀片轉速：0-975 RPM連續可調，步長 1RPM3 . 刀片尺寸：75m

16、m（3英寸）-178mm （7英寸）4 .安裝孔尺寸：1/2”（12.7毫米）5 .最大切割直徑：40毫米6 .自動切割開關，滑動籌碼配重系統（0-500g）7 .數字式樣品定位系統，定位精度0.1mm8 .帶有可拆卸的防護罩，可進行全自動封閉切割9 .內裝切割片精整裝置10 .標準配置包含所有連接管線，工器具及操作手冊11 .耗材配置冷卻液（950ml）及金剛石刀片（152x0.50x12.7 ）。12 .工作環境：220V/單相2.5 附件：半自動研磨/拋光機功能：通過選用不同的研磨/拋光介質，完成從粗磨至精拋的樣品制備過程主要技術指標：13 .磨盤工作功率：750瓦14 .自動工作頭功率：116瓦15 .磨盤直徑：250mm16 .底盤轉速：10-500轉/分鐘，轉動方向可調17 .自動工作頭轉速：30-60轉/分鐘，轉向可調節，以在必要時增加切削速度18 .壓力模式：同時具有單點力（5-45牛頓）和中間力（20-260牛頓）兩種模式19 .觸摸面板控制20 .水流出口，出水大小/方向可調節21 .安全性能：緊急停車旋鈕；22 .所有夾具可方便且快速的與工作頭裝配或拆卸，以滿足頻繁的清洗和顯微觀察要求23 .氣動壓力控制，穩定安全24 .面板控制：壓力*II式，壓力大小，工作頭轉向，工作時間，水流開關25 .外形尺寸及設備重量 :506 X621X6