1、 www.powersystems.eetchina .com電子工程師必備基礎知識手冊電子工程師必備基礎知識手冊(五:半導體器件半導體器件半導體器件半導體器件一、 中國半導體器件型號命名方法中國半導體器件型號命名方法半導體器件型號由五部分(場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN 型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分組成。五個部分意義如下:第一部分:用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管、3-三極管第二部分:用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時:A-N 型鍺材料、B-P 型鍺材料、C-N 型硅材料、D-P 型硅材料。表示三極管時:A-PNP 型鍺材料、B-N

2、PN 型鍺材料、C-PNP 型硅材料、D-NPN 型硅材料。第三部分:用漢語拼音字母表示半導體器件的內型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W、G-高頻小功率管(f>3MHz,Pc<1W、D-低頻大功率管(f<3MHz,Pc>1W、A-高頻大功率管(f>3MHz,Pc>1W、T-半導體晶閘管(可控整流器、 Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN 型管

3、、JG-激光器件。第四部分:用數字表示序號第五部分:用漢語拼音字母表示規格號例如:3DG18 表示NPN 型硅材料高頻三極管二、日本半導體分立器件型號命名方法日本半導體分立器件型號命名方法日本生產的半導體分立器件,由五至七部分組成。通常只用到前五個部分,其各部分的符號意義如下:第一部分:用數字表示器件有效電極數目或類型。0-光電(即光敏二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2 三極或具有兩個pn 結的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn 結的其他器件、依此類推。第二部分:日本電子工業協會JEIA 注冊標志。S-表示已在日本電子工業協會JEIA 注 冊登記的半導體分立器件。第三部分

4、:用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP 型高頻管、B-PNP 型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN 型低頻管、F-P 控制極可控硅、G-N 控制極可控硅、H-N 基極單結晶體管、J-P 溝道場效應管、K-N 溝道場效應管、M-雙向可控硅。第四部分:用數字表示在日本電子工業協會JEIA 登記的順序號。兩位以上的整數-從“11”開始,表示在日本電子工業協會JEIA 登記的順序號;不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號;數字越大,越是近期產品。第五部分: 用字母表示同一型號的改進型產品標志。A、B、C、D、E、F 表示這一器件是原型號產品的改進產品。美國半導體分立器件型號命名方法三、

5、美國半導體分立器件型號命名方法美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業協會半導體分立器件命名方法如下:第一部分:用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、(無-非軍用品。第二部分:用數字表示pn 結數目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn 結器件、n-n 個pn 結器件。第三部分:美國電子工業協會(EIA注冊標志。N-該器件已在美國電子工業協會(EIA注冊登記。第四部分:美國電子工業協會登記順序號。多位數字-該器件在美國電子工業協會登記的順序號。第五部分:用字母表示器件分檔。A、B、C、D、-同一型號器件的不同檔別。如

6、: JAN2N3251A 表示PNP 硅高頻小功率開關三極管,JAN-軍級、2-三極管、N-EIA 注冊標志、3251-EIA 登記順序號、A-2N3251A 檔。國際電子聯合會半導體器件型號命名方法四、國際電子聯合會半導體器件型號命名方法德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家,大都采用國際電子聯合會半導體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成,各部分的符號及意義如下: 第一部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.61.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.01.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg

7、>1.3eV 如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如銻化銦、E-器件使用復合材料及光電池使用的材料第二部分:用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開關混頻二極管、B-變容二極管、C-低頻小功率三極管、D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-開放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管、M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發光器件、R-小功率晶閘管、S-小功率開關管、T-大功率晶閘管、U-大功率開關管、X-倍增二極管、Y-整流二極管、Z-穩壓二極管。第三部分:用數字或字母加數字表示登記號。三位數字-代表

8、通用半導體器件的登記序號、一個字母加二位數字-表示專用半導體器件的登記序號。第四部分:用字母對同一類型號器件進行分檔。A、B、C、D、E-表示同一型號的器件按某一參數進行分檔的標志。除四個基本部分外,有時還加后綴,以區別特性或進一步分類。常見后綴如下:1、穩壓二極管型號的后綴。其后綴的第一部分是一個字母,表示穩定電壓值的容許誤差范圍,字母A、B、C、D、E 分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;其后綴第二部分是數字,表示標稱穩定電壓的整數數值;后綴的第三部分是字母V,代表小數點,字母V 之后的數字為穩壓管標稱穩定電壓的小

9、數值。2、整流二極管后綴是數字,表示器件的最大反向峰值耐壓值,單位是伏特。3、晶閘管型號的后綴也是數字,通常標出最大反向峰值耐壓值和最大反向關斷電壓中數值較小的那個電壓值。如:BDX51-表示NPN 硅低頻大功率三極管,AF239S-表示PNP 鍺高頻小功率三極管。五、歐洲早期半導體分立器件型號命名法歐洲早期半導體分立器件型號命名法歐洲有些國家,如德國、荷蘭采用如下命名方法。第一部分:O-表示半導體器件第二部分:A-二極管、C-三極管、AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩壓管、RP-光電器件。 第三部分:多位數字-表示器件的登記序號。第四部分:A、B、C-表示同一型號器件的變型產品。俄

10、羅斯半導體器件型號命名法由于使用少,在此不介紹。一、半導體二極管參數符號及其意義半導體二極管參數符號及其意義CT-勢壘電容Cj-結(極間電容, 表示在二極管兩端加規定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容Cjv-偏壓結電容Co-零偏壓電容Cjo-零偏壓結電容Cjo/Cjn-結電容變化Cs-管殼電容或封裝電容Ct-總電容CTV-電壓溫度系數。在測試電流下,穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比 CTC-電容溫度系數Cvn-標稱電容IF-正向直流電流(正向測試電流。鍺檢波二極管在規定的正向電壓VF 下,通過極間的電流;硅整流管、硅堆在規定的使用條件下,在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流(平均值,硅開

11、關二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流;測穩壓二極管正向電參數時給定的電流IF(AV-正向平均電流IFM(IM-正向峰值電流(正向最大電流。在額定功率下,允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發光二極管極限電流。IH-恒定電流、維持電流。Ii- 發光二極管起輝電流IFRM-正向重復峰值電流IFSM-正向不重復峰值電流(浪涌電流Io-整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流IF(ov-正向過載電流IL-光電流或穩流二極管極限電流ID-暗電流IB2-單結晶體管中的基極調制電流IEM-發射極峰值電流IEB10-雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流IEB20-雙基極單

12、結晶體管中發射極向電流ICM-最大輸出平均電流 IFMP-正向脈沖電流IP-峰點電流IV-谷點電流IGT-晶閘管控制極觸發電流IGD-晶閘管控制極不觸發電流IGFM-控制極正向峰值電流IR(AV-反向平均電流IR(In-反向直流電流(反向漏電流。在測反向特性時,給定的反向電流;硅堆在正弦半波電阻性負載電路中,加反向電壓規定值時,所通過的電流;硅開關二極管兩端加反向工作電壓VR 時所通過的電流;穩壓二極管在反向電壓下,產生的漏電流;整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。IRM-反向峰值電流IRR-晶閘管反向重復平均電流IDR-晶閘管斷態平均重復電流IRRM-反向重復峰值電流IRSM-反向不

13、重復峰值電流(反向浪涌電流Irp-反向恢復電流Iz-穩定電壓電流(反向測試電流。測試反向電參數時,給定的反向電流Izk-穩壓管膝點電流IOM-最大正向(整流電流。在規定條件下,能承受的正向最大瞬時電流;在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極管的最大工作電流IZSM-穩壓二極管浪涌電流IZM-最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極管允許通過的電流iF-正向總瞬時電流iR-反向總瞬時電流ir-反向恢復電流Iop-工作電流Is-穩流二極管穩定電流f-頻率n-電容變化指數;電容比Q-優值(品質因素vz-穩壓管電壓漂移di/dt-通態電流臨界上升率dv/dt-通態電壓臨界上升率PB-承受

14、脈沖燒毀功率PFT(AV-正向導通平均耗散功率PFTM-正向峰值耗散功率PFT-正向導通總瞬時耗散功率Pd-耗散功率 PG-門極平均功率PGM-門極峰值功率PC-控制極平均功率或集電極耗散功率Pi-輸入功率PK-最大開關功率PM-額定功率。硅二極管結溫不高于150 度所能承受的最大功率PMP-最大漏過脈沖功率PMS-最大承受脈沖功率Po-輸出功率PR-反向浪涌功率Ptot-總耗散功率Pomax-最大輸出功率Psc-連續輸出功率PSM-不重復浪涌功率PZM-最大耗散功率。在給定使用條件下,穩壓二極管允許承受的最大功率RF(r-正向微分電阻。在正向導通時,電流隨電壓指數的增加,呈現明顯的非線性特性

15、。在某一正向電壓下,電壓增加微小量V,正向電流相應增加I,則V/I 稱微分電阻RBB-雙基極晶體管的基極間電阻RE-射頻電阻RL-負載電阻Rs(rs-串聯電阻Rth-熱阻R(thja-結到環境的熱阻Rz(ru-動態電阻R(thjc-結到殼的熱阻r -衰減電阻r(th-瞬態電阻Ta-環境溫度Tc-殼溫td-延遲時間tf-下降時間tfr-正向恢復時間tg-電路換向關斷時間tgt-門極控制極開通時間Tj-結溫 Tjm-最高結溫ton-開通時間toff-關斷時間tr-上升時間trr-反向恢復時間ts-存儲時間tstg-溫度補償二極管的貯成溫度a-溫度系數p-發光峰值波長 -光譜半寬度-單結晶體管分壓比

16、或效率VB-反向峰值擊穿電壓Vc-整流輸入電壓VB2B1-基極間電壓VBE10-發射極與第一基極反向電壓VEB-飽和壓降VFM-最大正向壓降(正向峰值電壓VF-正向壓降(正向直流電壓VF-正向壓降差VDRM-斷態重復峰值電壓VGT-門極觸發電壓VGD-門極不觸發電壓VGFM-門極正向峰值電壓VGRM-門極反向峰值電壓VF(AV-正向平均電壓Vo-交流輸入電壓VOM-最大輸出平均電壓Vop-工作電壓Vn-中心電壓Vp-峰點電壓VR-反向工作電壓(反向直流電壓VRM-反向峰值電壓(最高測試電壓V(BR-擊穿電壓Vth-閥電壓(門限電壓VRRM-反向重復峰值電壓(反向浪涌電壓VRWM-反向工作峰值電

17、壓V v-谷點電壓Vz-穩定電壓Vz-穩壓范圍電壓增量 Vs-通向電壓(信號電壓或穩流管穩定電流電壓av-電壓溫度系數Vk-膝點電壓(穩流二極管VL -極限電壓雙極型晶體管參數符號及其意義二、雙極型晶體管參數符號及其意義Ccb-集電極與基極間電容Cce-發射極接地輸出電容Ci-輸入電容Cib-共基極輸入電容Cie-共發射極輸入電容Cies-共發射極短路輸入電容Cieo-共發射極開路輸入電容Cn-中和電容(外電路參數Co-輸出電容Cob-共基極輸出電容。在基極電路中,集電極與基極間輸出電容Coe-共發射極輸出電容Coeo-共發射極開路輸出電容Cre-共發射極反饋電容Cic-集電結勢壘電容CL-負

18、載電容(外電路參數Cp-并聯電容(外電路參數BVcbo-發射極開路,集電極與基極間擊穿電壓BVceo-基極開路,CE 結擊穿電壓BVebo- 集電極開路EB 結擊穿電壓BVces-基極與發射極短路CE 結擊穿電壓BV cer-基極與發射極串接一電阻,CE 結擊穿電壓D-占空比fT-特征頻率fmax-最高振蕩頻率。當三極管功率增益等于1 時的工作頻率hFE-共發射極靜態電流放大系數hIE-共發射極靜態輸入阻抗hOE-共發射極靜態輸出電導h RE-共發射極靜態電壓反饋系數hie-共發射極小信號短路輸入阻抗hre-共發射極小信號開路電壓反饋系數hfe-共發射極小信號短路電壓放大系數hoe-共發射極小

19、信號開路輸出導納 IB-基極直流電流或交流電流的平均值Ic-集電極直流電流或交流電流的平均值IE-發射極直流電流或交流電流的平均值Icbo-基極接地,發射極對地開路,在規定的VCB 反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流Iceo-發射極接地,基極對地開路,在規定的反向電壓VCE 條件下,集電極與發射極之間的反向截止電流Iebo-基極接地,集電極對地開路,在規定的反向電壓VEB 條件下,發射極與基極之間的反向截止電流Icer-基極與發射極間串聯電阻R,集電極與發射極間的電壓VCE 為規定值時,集電極與發射極之間的反向截止電流Ices-發射極接地,基極對地短路,在規定的反向電壓VCE 條件

20、下,集電極與發射極之間的反向截止電流Icex-發射極接地,基極與發射極間加指定偏壓,在規定的反向偏壓VCE 下,集電極與發射極之間的反向截止電流ICM-集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。IBM-在集電極允許耗散功率的范圍內,能連續地通過基極的直流電流的最大值,或交流電流的最大平均值ICMP-集電極最大允許脈沖電流ISB-二次擊穿電流IAGC-正向自動控制電流Pc-集電極耗散功率PCM-集電極最大允許耗散功率Pi-輸入功率Po-輸出功率Posc-振蕩功率Pn-噪聲功率Ptot-總耗散功率ESB-二次擊穿能量rbb'-基區擴展電阻(基區本征電阻rbb'Cc-基極-集電極時間

21、常數,即基極擴展電阻與集電結電容量的乘積rie-發射極接地,交流輸出短路時的輸入電阻roe-發射極接地,在規定VCE、Ic 或IE、頻率條件下測定的交流輸入短路時的輸出電阻RE-外接發射極電阻(外電路參數RB-外接基極電阻(外電路參數Rc -外接集電極電阻(外電路參數RBE-外接基極-發射極間電阻(外電路參數RL-負載電阻(外電路參數 RG-信號源內阻Rth-熱阻Ta-環境溫度Tc-管殼溫度Ts-結溫Tjm-最大允許結溫Tstg-貯存溫度td-延遲時間tr-上升時間ts-存貯時間tf-下降時間ton-開通時間toff-關斷時間VCB-集電極-基極(直流電壓VCE-集電極-發射極(直流電壓VBE

22、-基極發射極(直流電壓VCBO-基極接地,發射極對地開路,集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓 VEBO-基極接地,集電極對地開路,發射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓 VCEO-發射極接地,基極對地開路,集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓 VCER-發射極接地,基極與發射極間串接電阻R,集電極與發射極間在指定條件下的最高耐壓VCES-發射極接地,基極對地短路,集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓 VCEX-發射極接地,基極與發射極之間加規定的偏壓,集電極與發射極之間在規定條件下的最高耐壓Vp-穿通電壓。VSB-二次擊穿電壓VBB-基極(直流電源電壓(外電路參數Vcc-集電極(直

23、流電源電壓(外電路參數VEE-發射極(直流電源電壓(外電路參數VCE(sat-發射極接地,規定Ic、IB 條件下的集電極-發射極間飽和壓降VBE(sat-發射極接地,規定Ic、IB 條件下,基極-發射極飽和壓降(前向壓降 VAGC-正向自動增益控制電壓Vn(p-p-輸入端等效噪聲電壓峰值V n-噪聲電壓Cj-結(極間電容, 表示在二極管兩端加規定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容 Cjv-偏壓結電容Co-零偏壓電容Cjo-零偏壓結電容Cjo/Cjn-結電容變化 Cs-管殼電容或封裝電容Ct-總電容CTV-電壓溫度系數。在測試電流下,穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比 CTC-電容溫度系數Cv

24、n-標稱電容IF-正向直流電流(正向測試電流。鍺檢波二極管在規定的正向電壓VF 下,通過極間的電流;硅整流管、硅堆在規定的使用條件下,在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流(平均值,硅開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流;測穩壓二極管正向電參數時給定的電流IF(AV-正向平均電流IFM(IM-正向峰值電流(正向最大電流。在額定功率下,允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發光二極管極限電流。IH-恒定電流、維持電流。Ii- 發光二極管起輝電流IFRM-正向重復峰值電流IFSM-正向不重復峰值電流(浪涌電流Io-整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流IF(ov-正

25、向過載電流IL-光電流或穩流二極管極限電流ID-暗電流IB2-單結晶體管中的基極調制電流IEM-發射極峰值電流IEB10-雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流IEB20-雙基極單結晶體管中發射極向電流ICM-最大輸出平均電流IFMP-正向脈沖電流IP-峰點電流IV-谷點電流IGT-晶閘管控制極觸發電流IGD-晶閘管控制極不觸發電流IGFM-控制極正向峰值電流IR(AV-反向平均電流IR(In-反向直流電流(反向漏電流。在測反向特性時,給定的反向電流;硅堆在正弦半波電阻性負載電路中,加反向電壓規定值時,所通過的電流;硅開關二極管兩端加反向工作電壓VR 時所通過的電流;穩壓二極管在反向電壓

26、下,產生的漏電流;整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。IRM-反向峰值電流IRR-晶閘管反向重復平均電流IDR-晶閘管斷態平均重復電流 IRRM-反向重復峰值電流IRSM-反向不重復峰值電流(反向浪涌電流Irp-反向恢復電流Iz-穩定電壓電流(反向測試電流。測試反向電參數時,給定的反向電流Izk-穩壓管膝點電流IOM-最大正向(整流電流。在規定條件下,能承受的正向最大瞬時電流;在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極管的最大工作電流IZSM-穩壓二極管浪涌電流IZM-最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極管允許通過的電流iF-正向總瞬時電流iR-反向總瞬時電流ir-反向恢

27、復電流Iop-工作電流Is-穩流二極管穩定電流f-頻率n-電容變化指數;電容比Q-優值(品質因素vz-穩壓管電壓漂移di/dt-通態電流臨界上升率dv/dt-通態電壓臨界上升率PB-承受脈沖燒毀功率PFT(AV-正向導通平均耗散功率PFTM-正向峰值耗散功率PFT-正向導通總瞬時耗散功率Pd-耗散功率PG-門極平均功率PGM-門極峰值功率PC-控制極平均功率或集電極耗散功率Pi-輸入功率PK-最大開關功率PM-額定功率。硅二極管結溫不高于150 度所能承受的最大功率PMP-最大漏過脈沖功率PMS-最大承受脈沖功率Po-輸出功率PR-反向浪涌功率Ptot-總耗散功率Pomax-最大輸出功率Psc

28、-連續輸出功率PSM-不重復浪涌功率 PZM-最大耗散功率。在給定使用條件下,穩壓二極管允許承受的最大功率RF(r-正向微分電阻。在正向導通時,電流隨電壓指數的增加,呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下,電壓增加微小量V,正向電流相應增加I,則V/I 稱微分電阻RBB-雙基極晶體管的基極間電阻RE-射頻電阻RL-負載電阻Rs(rs-串聯電阻Rth-熱阻R(thja-結到環境的熱阻Rz(ru-動態電阻R(thjc-結到殼的熱阻r -衰減電阻r(th-瞬態電阻Ta-環境溫度Tc-殼溫td-延遲時間tf-下降時間tfr-正向恢復時間tg-電路換向關斷時間tgt-門極控制極開通時間Tj-結溫Tjm-

29、最高結溫ton-開通時間toff-關斷時間tr-上升時間trr-反向恢復時間ts-存儲時間tstg-溫度補償二極管的貯成溫度a-溫度系數p-發光峰值波長 -光譜半寬度-單結晶體管分壓比或效率VB-反向峰值擊穿電壓Vc-整流輸入電壓VB2B1-基極間電壓 VBE10-發射極與第一基極反向電壓VEB-飽和壓降VFM-最大正向壓降(正向峰值電壓VF-正向壓降(正向直流電壓 VF-正向壓降差VDRM-斷態重復峰值電壓VGT-門極觸發電壓VGD-門極不觸發電壓VGFM-門極正向峰值電壓VGRM-門極反向峰值電壓VF(AV-正向平均電壓Vo-交流輸入電壓VOM-最大輸出平均電壓Vop-工作電壓Vn-中心電

30、壓Vp-峰點電壓VR-反向工作電壓(反向直流電壓VRM-反向峰值電壓(最高測試電壓V(BR-擊穿電壓Vth-閥電壓(門限電壓VRRM-反向重復峰值電壓(反向浪涌電壓VRWM-反向工作峰值電壓V v-谷點電壓Vz-穩定電壓Vz-穩壓范圍電壓增量Vs-通向電壓(信號電壓或穩流管穩定電流電壓av-電壓溫度系數Vk-膝點電壓(穩流二極管VL -極限電壓二、場效應管參數符號意義場效應管參數符號意義Cds-漏-源電容Cdu-漏-襯底電容Cgd-柵-源電容Cgs-漏-源電容Ciss-柵短路共源輸入電容Coss-柵短路共源輸出電容Crss-柵短路共源反向傳輸電容 D-占空比(占空系數,外電路參數di/dt-電流上升率(外電路參數dv/dt