1、RC充放電原理電容感應按鍵 看過PIC的電容按鍵方案，實際上僅僅是一個充放電過程，可以不用比較器嗎？ 答案是肯定的。一般雙向I/O單片機都可以做RC電容感應按鍵。 這里我們用M48的端口PD0來做一個RC的電容感應按鍵。 C1是分布電容，C2這里作為按鍵感應電容。 工作過程： 1：首先要禁止上拉電阻。 2：PD0輸出高電平，向C1,C2充電。 3：PD0設(shè)置為輸入，判斷C1.C2向R1放電完畢的時間。 4：對比有C2和沒有C2的放電時間，判斷是否有鍵感應。 如圖在只有C1的時候放電波形，放電時間測量為4.1us 如圖在有C2感應的時候放電波形，放電時間測量為5.58us  (可見有按

2、鍵感應比無按鍵感應的放電時間要多1.48us。 面關(guān)鍵的是怎樣測量放電時間： 通常我們設(shè)置一個變量d，通過循環(huán)等待判斷PD0是否=0來使變量d遞增。判斷完畢后，放電時間的短d最終值就小（無按鍵感應），放電時間長的d最終值就大（有按鍵感應）。 判斷代碼： while(PIND_0=0)d+; 對應匯編代碼： main_0： SBIC    0x09, 0x00 RJMP    main_1 INC     R18 RJMP   

3、main_0 main_1： 通過匯編代碼發(fā)現(xiàn)運行判斷一次要時鐘， 當時鐘頻率為1M時候，運行判斷一次要時鐘5us。 1.48/5=0.296   不足1個字。判斷不出來。 當時鐘頻率為8M時候，運行判斷一次要時鐘0.625us。 1.48/0.625=2.368  約2-3個字。這個差值還是太小 當然這里的感應電容是1p，如果感應電容值變大也許能夠識別出來。 這也許就是PIC的方案為什么采用比較器的緣故，硬件判別嘛，肯定要小于5T時鐘。 我們可以采用定時器來代替變量d，這樣運行判斷一次就只需要3T時鐘了（每次判斷前開啟定時器，每次判斷完成后讀

4、取定時器值），判斷代碼如下： /開定時器 while(PIND_0=0);  /讀定時器值 對應匯編代碼： main_0： SBIS    0x09, 0x00 RJMP    main_1 main_1： 通過匯編代碼發(fā)現(xiàn)運行判斷一次要3時鐘， 當時鐘頻率為1M時候，運行判斷一次要3時鐘3us。 1.48/3=0.50  不足1個字。判斷不出來。 當時鐘頻率為8M時候，運行判斷一次要3時鐘0.375us。 1.48/0.375=3.95  約3-4個字。

5、這個差值基本可以了。 可見這里要保證的是時鐘頻率要高。 采用8M頻率，每次差值3-4，采樣100次求和作為1次總采樣。差值就相差300-400，就可以準確判斷感應按鍵了。當然采樣10次或者更多次總采樣后采用求平均值等軟件濾波方法來消除干擾或者誤差更好。 另一種方法就是在10ms時間內(nèi)求得判斷的次數(shù)，有按鍵感應的判斷次數(shù)比無按鍵感應次數(shù)少。基本和PIC的方案差不多。 以上方法筆者都試驗過（見圖），具體的程序，以及溫漂，校準等這里就不詳細講解。 電荷轉(zhuǎn)移（QT）原理電容感應按鍵 如圖： “電荷轉(zhuǎn)移”或叫“QT”的原理是這樣的：傳感電極上的電荷會轉(zhuǎn)移到一個較大的參考取樣電容器上，電荷 在該

6、電容器上積累，持續(xù)多個開關(guān)周期，將參考電容器上的電壓積累到參考電壓的水平，然后控制 邏輯電路會記錄到達該電壓值所需要的周期數(shù)目，并對參考電容器進行放電。 如圖用M48的PD0和PD1端口來實現(xiàn)。 C1是分布電容，C2這里作為按鍵感應電容。C3是參考電容。 工作過程： 1：首先要禁止上拉電阻。 2：PD0=0，PD1為高阻或者為0輸出，放掉C3上電荷。 3：PD1輸入（高阻斷開）PD0輸出高電平，向C1,C2充電。 4：PD0輸入（高阻斷開），PD1輸出低電平C1.C2上的電荷向C3轉(zhuǎn)移。 5：判斷PD0是否為高電平。 6：循環(huán)3-5步驟。 比較：有按鍵感應比無按鍵感應的開關(guān)次數(shù)少。 這種原理是測量C3上的電壓，因此對頻率要求不是很高，但要求I/O腳漏電流越小越好，同時I