1、符號說明：VRRM- 反向重復峰值電壓：在控制極斷路和額定結溫的條件下，可以重 復加在可控硅上的交流電壓。此電壓小于反向最高測試電壓 100V 。反向 最高測試電壓， 規定為反向漏電流急速增加， 反向特性曲線開始彎曲時的 電壓。VRSM-反向不重復峰值電壓 ；在控制極斷路和額定結溫的條件下，不允許加 在可控硅上的交流電壓。Vdrm斷態重復峰值電壓；斷態重復峰值電壓是在門極斷路而結溫為額定 值時，允許重復加在器件上的正向峰值電壓.國標規定重復頻率為 50H ,每次持續時間不超高10ms。規定斷態重復峰值電壓Vdrm為斷態不重復峰值電壓(即斷態最大瞬時電壓) UDSM 的 90%.斷態不重復峰值電

2、壓應低于 正向轉折電壓 Ubo。IT(AV)/ IF(AV)-通態/正向平均電流；在環境溫度 +40 C和額定結溫下，導 通角不小于170阻性負載電路中，允許通過的50Hz正弦半波電流的平均值。I T(RMS), I F(RMS通態/正向方均根電流；是指在額定結溫，允許流過器件的最大有 效電流值，用戶在使用中須保證，在任何條件下流過器件的電流有效值，不 超過對應殼溫下的方均根電流值I TSM,I FSM-通態/ 正向浪涌電流；指由于電路異常情況引起的并使結溫超過額定 結溫的不重復性最大正向過載電流(半個正弦波t=10ms, 50Hz)I t-表示可控硅所通過的電流產生的能量，是電流的平方乘以時

3、間，表示可 控硅的發熱特性。Pgm-H極峰值功率；門極觸發電壓與最大觸發電流的乘積；PG（AV）- 門極平均功率；門極觸發電壓與正常觸發電流的乘積；di/dt- 通態電流臨界上升率； 指在額定結溫下，可控硅能承受的最大通態電 流上升率（如果電流上升太快，可能造成局部過熱而使可控硅損壞）VISO-絕緣電壓；芯片與可控硅的底板之間的絕緣電壓。Tj- 工作結溫；可控硅在正常工作條件下允許的 PN 結溫度。Tjm-額定結溫；可控硅在正常工作條件下允許的最高PN 結溫度。Tstg- 儲存溫度；能保證可控硅正常工作的儲存溫度。Md-安裝力矩/ 電極連接力矩 ；在安裝過程中超過此規定，將造成可控硅 的損壞。

4、IDRM- 斷態重復峰值電流； 為晶閘管在阻斷狀態下， 承受斷態重復峰值電 壓 VDRM 和反向重復峰值電壓 VRRM 時，流過元件的正反向峰值漏電流， 該參數在器件允許工作的最高結溫 Tjm 下測出。I RRM - 反向重復峰值漏電流； 為晶閘管在阻斷狀態下承受斷態重復峰值電壓VDrM和反向重復峰值電壓VrrM時流過元件的正反向峰值漏電流該參數在器件允許工作的最高結溫Tjm下測出VTM / VFM 通態/正向峰值電壓；指器件通過規定正向峰值電流Ifm或通態峰值 電流Itm時的峰值電壓也稱峰值壓降，該參數直接反映了器件的通態損耗特 性影響著器件的通態電流額定能力。VGT-門極觸發電壓；在額定結

5、溫、在陽極和陰極加上正向電壓（一般為 6V） 時，使元件從阻斷狀態轉為導通狀態，控制極所需要的最大的直流電壓。也就 是說當觸發電路輸出的的直流觸發電壓不小于Vg就能保證該型號的元件均能可 靠的觸發而導通。Vgd門極不觸發電壓； 在額定結溫、在陽極和陰極加上正向阻斷峰值電壓時， 保證元件處于阻斷狀態所能加在門極上的最大直流電壓。IGD-不觸發電流； 在額定結溫、在陽極和陰極加上正向阻斷峰值電壓時，保證元 件處于阻斷狀態所能允許的，加在門極上的最大觸發電流。IGT-門極觸發電流；在額定結溫、在陽極和陰極加上一定正向電壓（一般為 6時，保證元件從阻斷狀態到導通狀態，加在門極上的最大觸發電流。 dv/dt-斷態電壓臨界上升率； 指在額定結溫的門極斷路的情況下， 不導至可 控硅從斷態到通態轉換的外加電壓最大上升率IH- 維持電流；在門極斷路時。規定環境溫度和元件導通條件下，要保持 元件能處于導