1、  766  Ó    Ò 46 » 9 · ±ÜÎ É SLM Û³ SEM Ç Fig.9 Highmagnied SEM images of selectively laser melted powders with ball milling times of 2 h (a, 4 h (b, 8 h (c and 16 h (d 1 9 Table 1 Chemical compositions at dierent positions i

2、n Fig.9 (atomic fraction, % Position in Fig.9 Reinforcing phase a1 b1 c1 d1 Matrix a2 b2 c2 d2 Ti 49.24 47.86 48.92 49.64 61.57 62.04 61.74 60.92 N 50.76 52.14 51.08 50.36 38.43 37.96 38.26 39.08 Si Ý Ê· ¹Ä Ï, ¬ ² TiN Ë´ Ê´É, ´ &#

3、178; Á Æ ´ ( 9c, à ¸¾¶ SLM Ò ( 8c. §²Ý 16 h Ê SLM Ï, TiN Æ «Ï , Ò ¡¾¶ ( 8d Ç 9d. SLM 3 º´½ Á Ë, £À Ò È¸ «Æ Ð ­ , ¸­

4、 Gibbs ¨ G (kJ/mol ½ T (K µ Ti Si3 N4 , 0 12 ¯ ° »¦Á ʾ . ÑÀ Ý2h Æ , Ò ª( ¾ à ²Ö´ µ 5¦3. Ê XRD , Á SLM Ë °º­ ¼È TiN ¾ Ti Si Æ, SLM 

5、0; ˾ à ´ ¬ Ê ¬ (Ñ ²ÝÏ Å . ² Ê SLM Ò Ë, °º TiN ¬¾¶Ñ ¹ Ti Si Ë ( 8a; ´ ²Ù, TiN ¾ à ¥ ª , Ë ¥ 9a. ² Ý 4 h Ê SLM Ï, Ti

6、N ¾¶ ¥Æ´ ( 8b, ´ ² Ë , ² , Ù ª ( 9b. ²Ý 8 h Ê 5 3 5 3 1 2 Ti + 1 5 Si3 N4 = 5 Ti5 Si3 + 5 N2 (g G0 = 25.07 0.06T (T 1685 K G0 = 5.07 0.042T (T > 1685 K 2 Ti + 1 3 Si3 N4 = TiSi + 3 N2 (g G0 = 160.25 0.1298T (T 1685 K G0 = 110.0

7、2 0.0998T (T > 1685 K 4 3 Ti + 1 7 Si3 N4 = 7 TiN + 7 TiSi G0 = 123.21 0.0025T (T 1685 K G0 = 144.74 + 0.0104T (T > 1685 K (1 (2 (3 Ò6 ÜÜ : µÐ Æ (4 µ Ù­ ° Æ Gibbs ¨ ½ . £, ­ ½ ´ 1700 K Ï, ­ (4 G 

8、1;¥, ¬ ¦­ º§ . ¾ Á SLM » ¦ º ¯Â TiSi N , »½ ¦ ´ Ti Õ (1943 K, ÁÁÚÀ Ti¦Si N ß© 9¦1, ª ­ (4 ° º Æ TiN ¾ Ti Si Ê 10 0 3 4 3 4 4 1 Ti

9、 + 1 9 Si3 N4 = 9 TiN + 9 Ti5 Si3 G0 = 135.31 + 0.0087T (T 1685 K G0 = 152.31 + 0.0087T (T > 1685 K Á · Ò TiSi N Ê ° º È TiNTi Si ʾ È 11 ¥ . SLM Á Ë, ´ ¨ Ò Ú ¥ Ú   × ( 11a, Ò ¨ 

10、3;¢ Ø Ê £Õ¢ Ø Ê £Ü Ï È Ë   ˲ÖÓ ­ÑÒ , . ² Ö ½ Ö º Æ ´, Æ Ï ¾ (ß ×£ ¾ , Õ¡¿ ¡¿ ¦¼ Ú &#

11、203;²Ö µ ¿ Õ ½ , Æ×Ò Ö À ¢ Ø Ê £ È ¾ Ï, Ò ¨ ¦ É Ë ¦ » Õ Ã Âà 3 4 5 3 13 50 25 0 -25 , kJ/mol Reaction (1 Reaction (2 Reaction (3 Reaction (4 ¾ 5 3 . &

12、#184; TiNTi Si ȼ ²Ð 767  Ô, ÆÏ ( Ë ¡Ë Õ ¹¡ Ó ¦¼Ú¿ º Ë ÃÔÕÓÍ ½ , Æ×Ò Ö Á Ë Ñ º ¢ Ø Ê £ È. º

13、8;Ö , TiSi N Ê Ë Õã¬Ð Ti Ò , «Æ à . ­Ò ¨ Ó Gauss ¹, Ë Õ ³¦ Ù ½ ­ . ËЬ ­ Õ½ ­ ¿ Ö Ã²Ö Í­ Õà Marango

14、ni ,´ Æ Ã Í . ¯Ö, Ê ¦ Si N Ò Õ (2173 K Ti à ¸ , ²ÝÏ Ë £ Á ¢ Ñ Ø ( 5, Â Ë , ¹ ú ÍÖ £ Î Ì, Si N ¢Ñ ˦ º Á Si Ç

15、N( 11b. £ ß § Ò Ú   Á Ö · ,  « Æ  . N ¦ Ti Ê, ´ Õ TiN À Æ Ã ( 6 Ç 11c. £ Ï, TiN Á É° ¯ , Ï Si © ¸ ¡ É Ti Ê, Õã¬

16、08; Ti Si . ¯Ö, Ó´ , TiSi ª ¿ 5 ·ª Ê , Ï Þ µ Ti Si , TiSi, TiSi , Ti Si Ç Ti Si; ¯Ö, Á° Ti¦Si N ß© 9¦1 Å, ª ­ (4 °º­ , ¥ º Æ Ti Si , ÓÍ TiN

17、¾ Ti Si ʾ ( 6 Ç 11d. 5 3 3 4 14 3 4 3 4 5 3 15 5 3 2 5 4 3 3 4 5 3 5 3 4 -50 -75 -100 -125 -150 1000 1200 1400 1600 1800 Ç ´¨²Ý»¦, º   350 r/min¡ Ï 16 h Ǧ , Si N Ti(£ ß © µ 1¦9 ¢ 

18、9; Ê , Si N Ç Ti à ¾ Ë Î ¾ Í (1 3 4 3 4 «¯ G 0 2000 10 Ti Si3 N4 ¬¯ Temperature, K Gibbs § ¼ Fig.10 Relationship between Gibbs free energy G0 and temperature of Ti and Si3 N4 reaction systems »¦£´¨²&#

19、221;È Ê , Á 9Ti+Si N = 4TiN+Ti Si ­ Æ TiN ¾ Ti Si °º Ê ¾ ; TiN ¾ Ã Ê ÔÑ Á È. (3 ² Ý Ï Å Ê Ò ÃÓ Ç ´Ò . £²ÝÏ Õ , Ê Ë ²

20、4; ¾ , Ò ¥ÃÓ Ï 97.2%, Ò Ë TiN Å¥ ª ² . ߬ (2 Si3 N4 Ti 3 4 5 3 5 3 20 nm. Ç ·Ò 11 TiSi3 N4 SLM TiNTi5 Si3 ª Fig.11 Schematic of formation mechanism of TiNTi5 Si3 by selective laser melting of TiSi3 N4 powder sy

21、stem 1 Wang L J, Jiang W, Bai S Q, Wang G, Chen L D. J Inorg Mater, 2004; 19: 1436 ( , , , , . , 2004; 19: 1436 2 Pierson H O. Handbook of Refractory Carbides and Nitrides: Properties, Characteristics, Processing and Applications. Park Ridge, NJ: Noyes Publications, 1996: 181 3 Greil P. Adv Mater, 2

22、002; 14: 709 4 Tjong S C, Ma Z Y. Mater Sci Eng, 2000; R29: 49 5 Kruth J P, Levy G, Klocke F, Childs T H C. CIRP Ann Manuf Technol, 2007; 56: 730 Ï¿ § × «Ê ° ÉÛ ½  768 Ù Ù­ ° »Û Ô Ø Ô  Ó    ÝÝ Ä¤ Ô Ò 46 » 6 Lin X, Yang H O, Chen J, Huang W D. Acta Metall Sin, 2006; 42: 361 ( , , , . , 2006; 42: 361 7 Dong C, Zhang S Q, Li A, Wang H M. Acta