1、SMT表面安裝技術系列之表面安裝元器件（電阻）表面安裝元器件稱無端子元器件，問世于20世紀60年代，習慣上人們把表面安裝無源元器件，如片式電阻、電容、電感稱之為SMC(Surface Mounted Component)，而將有源器件，如小外形晶體SOT及四方扁平組件(QFT)稱之為SMD(Surface Mounted De-Vices)。無論是SMC還是SMD，在功能上都與傳統的通孔安裝元件相同，最初是為了減小體積而制造，最點出現在電子表中，使電子表微型化成為可能。然而，它們一經問世，就表現出強大的生命力，體積明顯減小，高頻特性提高、耐振動、安裝緊湊等優點是傳統通孔元器件所無法比擬的，從而

2、極大地刺激了電子產品向多功能、高性能、微型化、低成本的方向發展。例如，片式器件組裝的手提攝 像機，掌上電腦和手機等，不僅功能齊全，而且低，現已在人們日常生活中廣泛使用。同時，這些微型電子產品又促進了SMC和SMD向微型發展。片式電阻電容已由早期的3.2mm×1.6mm縮小到0.2mm×0.3mm,IC的端子中心距已由1.27mm減小到0.3mm，且隨著裸芯片技術的發展，BGA和CSP類高端子數器件已廣泛應用到生產中。此外，一些機電元件，如開關、繼電器、延遲線、熱敏和壓敏電阻，也都實現了片式化。如今，表面安裝元器件品種繁多、功能各異，然而器件的片式化發展卻不平衡，阻容器件，三

3、極管，IC發展快，異型器件，插座，振蕩器發展遲緩，并且片式化的元器件，又未能標準化，不同國家以至不同廠家均有不同的差異，因此，在設計選用元器件時，一定要弄清楚元器的型號、廠家及性能等，以避免出現互換性差的缺陷。當然，表面安裝元器件也存在著不足之處，例如，元器件與PCB表面非常貼近，與基板間隙小，給清洗造成困難，元器體積小，電阻、電容一般不設標記，一旦弄亂就不易搞清楚，特別是元器件與PCB之間熱膨脹系數的差異也是SMT產品中應注意的問題。表面安裝電阻表面安裝電阻最初為矩形片狀，20世紀80年代初出現了圓柱形，隨著表面安裝器件(SMD)和機電元件等向集成化，多功能化方向發展，又出現了電阻網絡(Re

4、sistor Net-works)、電容網絡(Capacitor Networks)、阻溶混合網絡、混合集成電路(Hybrid IC)等短小，扁平端子的復合器件，它與分立元器件相比，具有小型化，無端子(或扁平、短小端子)、尺寸標準化、特別適合在印制電路板上進行表面安裝等特點。(1)矩形片式電阻1、結構 矩形片式電阻由于制造工藝不同有兩種類型， 一類是膜型(RN型)，另一類是薄膜型(RK型)。厚膜型是在扁平的高純度Al2O3基板上印一層二氧化釕基漿料，燒結后經光刻而成；薄膜型電阻 是在基體上噴射一層鎳鉻合金而成，性能穩定，阻值精度高，但價錢較貴，由于在電阻層上涂覆特殊的玻璃釉涂層，故電阻在高溫，

5、高濕下性能非常穩定。片式電阻有三層端焊，俗稱三層端電極，最內層為銀鈀合金，它與陶瓷基 有良好的結合力，中間為鎳層，它是防止在焊接期間銀層的浸析，最外層為端焊，不同的國家采用不同的材料，日本通常采用Sn-Pb合金，厚度為1mil，美國則采用Ag-Pd合金。2、性能 國產RI11型片式電阻的技術特性如表6-2所示表6-2 RI11型片式電阻的技術特征型號特性參數RI11-1/16RI11-1/10RI11-1/8使用環境溫度/55+125額定環境溫度/70額定功耗/W最高使用電壓/V100150200最高過載電壓/V200300400標稱阻值范圍/M1.010 阻值允許偏差F(±1%)，

6、G(±2%)，J(±5%)，K(±10%)電阻溫度系統/(10-6/)100+600(<1k)；500+100(>1001k)3、額定功率與外形尺寸的對應關系，如表6-3所示 表6-3 不同的外形尺寸對應的額定功率參數名稱參數大小功率1/161/81/4型號080512061210片式電阻的額定功率是電阻在環境溫度為70時承受的電功率。超過70承受的功率將下降，直到125時負載功能為零。4、精度及分類 在片式電阻中，RN型電阻精度高、電阻 溫度系數小，穩定性好，但阻值范圍比較窄，適用于精度和高頻領域；RK型電阻則是電路中應用得到最廣泛的。根據IEC3標

7、準“電阻器和電容器的優選值及其公差”的規定，電阻值允許偏差為±10%，稱為E12系列，電阻值允許偏差為±5%，稱E24系列，電阻值允許偏差為±1%，稱為E96系列。5、外形尺寸 片式電阻 、電容常以它們的外形尺寸的長寬命名，來標志它們的大小，以in(lin =0.0254M)ey SI制(mm)為單位，如外形尺寸為0.12in×0,06in，記為1206，SI制記為3.2mm×1.6mm。片式電阻外形尺寸見表6-4。 表6-4 片式電阻外形尺寸尺寸號長(L)/mm寬(W)/mm高(H)/mm端頭寬度(T)/mmRC02010.3±0.

8、03 RC0402RC0603RC0805RC01206RC12106、標記識別方法a、元件上的標注。當片式電阻阻精度為5%時，采用3個數字表示。跨接線記為000，阻值小于10，在兩個數字之間補加“R”表示，阻值在10 以上的，則最后一數值表示增加的零的個數。例如4.7記為4R7；0(跨接線)記為000記為101；1M。當片式電阻值精度為1%時，則采用4個數字表示，前面3個數字為有效數字，第四位表示增加的零的個數；阻值小于10的，仍在第二位補加“R”，阻值為100，則在第四位補“0”。例如4.7記為4R70,100記為1000,1M記為1004,10記為10R0。b、料盤上的標注，華達電子片狀

9、阻器標識含義：如RC05K103JT其中，RC為產品代號，表示片狀電阻器05表示型號，02(0402),03(0603),05(0805),06(1206)K表示電阻溫度系數，F：±25；G：±50；H：±100；K：±250；M：±500103表示阻值J表示電阻值誤差，F：±1%；G：±25%；J：±5%；0：跨接電阻T表示包裝，T編帶包裝；B：塑料盒散包裝(2)圓柱形固定電阻圓柱形固定電阻，即金屬電極無端子面元件(Metal Electrode Face Bonding Type)簡稱MELF電阻。MELF 主

10、要有碳膜ERD型，高性能金屬膜ERO用跨接用的0電阻三種。它與片式電阻相比，無方向性和正反面性，包裝使用方便，裝配密度高，固定到印制板上有較高的抗彎能力，特別是噪聲電平和三次諧波失真都比較低，常用于高檔音響電器產品中。1、結構 MELF電阻是在高鋁陶瓷基體上覆上金屬膜或碳膜，兩端壓上金屬帽電有，采用刻螺紋槽的方法調整電阻值，表面涂上耐熱漆密封，最后根據電阻值涂上色碼標志。2、性能 MELF的主要技術特性和額定值見表6-5。表65 MELF的主要技術特性和額定值型號項目碳膜金屬膜ERD21TLRED10TLO（CC-12）（0）RED25TL（RD41B2E）ERO-21LERQ-10L(RN4

11、1C2B)ERO-25L（RN41C2E）使用環境溫度/-55+155-55+150額定功耗/W最高額定電流2A最高使用電壓/V150300150150150最高過載電壓/V200600200300500標稱阻值范圍/11M50m100200k21301k11M阻值允許偏差/（J±5）（J±5）（F±1）（F±1）（F±1）電阻溫度系數/（10-6/）-1300/350-1300/350±10±100±100質量/（g/1000個）1017661017663、標志識別 MELF的阻值以色球標志法表示。(3)片式電位器表面安裝電位器，又稱片式電位器(Chip Potentiometer)。它包括片狀、圓、柱狀、扁平矩形結構等各類電位器，它在電路中起調節分電路電壓和分路電阻的作用，故分別稱之為分壓式電位器和可變電阻器。結構片式電位器有四種不同的外形結構，分別為敞開式結構，防塵式結構，微調式結構和全密封式結構。性能a標稱阻值范圍：100-1Mb阻值允許范圍：±25%c電阻規律：線性d接觸電阻變化：3%或3e分辯率：無限f電阻溫度系數：250×106./g最大電流：100