1、主講人：朱雄志電子技術的發展1904年弗萊明利用這個效應制成了電子二極管，首先被用于無線電檢波。1906 年美國的德弗雷斯在弗萊明的二極管放進了第三個電極柵極而發明了電子三極管，從而建樹了早期電子技術上最重要的里程碑。但是電子管畢竟成本高，制造繁，體積大，耗電多在1948年6月30日，貝爾實驗室首次在紐約向公眾展示了晶體管（肖克利、巴丁和布拉頓）。1948年11月，肖克利構思出一種新型晶體管，其結構像“三明治”夾心面包那樣，把N型半導體夾在兩層P型半導體之間。由于當時技術條件的限制，研究和實驗都十分困難。直到1950年，人們才成功地制造出第一個PN結型晶體管。集成電路將晶體管、電阻、電容等各種

2、電子元器件以相將晶體管、電阻、電容等各種電子元器件以相互聯系的狀態集成到半導體材料（主要是硅）互聯系的狀態集成到半導體材料（主要是硅）或者絕緣體材料薄層片子上，再用一個管殼將或者絕緣體材料薄層片子上，再用一個管殼將其封裝起來，構成一個完整的、具有一定功能其封裝起來，構成一個完整的、具有一定功能的電路或系統。這種有一定功能的電路或系統的電路或系統。這種有一定功能的電路或系統就是就是集成電路集成電路. 1958年年9月月12日，美國，德克薩日，美國，德克薩斯州達拉斯市，德州儀器公司的實驗室里，工斯州達拉斯市，德州儀器公司的實驗室里，工程師杰克程師杰克基爾比成功地實現了把電子器件集成基爾比成功地實現

3、了把電子器件集成在一塊半導體材料上的構想。這一天，被視為在一塊半導體材料上的構想。這一天，被視為集成電路的誕生日，而這枚小小的芯片，開創集成電路的誕生日，而這枚小小的芯片，開創了電子技術歷史的新紀元。了電子技術歷史的新紀元。集成電路分類 1.小規模集成電路（SSI）：10100元件片 如各種邏輯門電路、集成觸發器 2.中規模集成電路（MSI）：1001000元件片，如譯碼器、編碼器、寄存器、計數器 3.大規模集成電路（LSI）：1000 105元件片，如中央處理器，存儲器。4.超大規模集成電路（VLSI）：105元件以上片 如CPU現代電子技術的發展70年代中期以后，出現了以微電子技術為核心的

4、新興技術群。以微電子技術為基礎的信息技術是新技術革命的主導技術和主要標志。它開辟了人類歷史上的新時代信息時代。今天，信息技術已滲透到社會生產和生活的一切領域，并產生了巨大而深遠的影響。信息產業正逐步取代傳統工業而躍居主導地位。從某種意義上說，人類社會己進入了信息時代。主要以三種技術為主：（一）數字信號處理器DSP（二）嵌入式系統ARM （三）EDA技術分立電子元件：一、電阻（用R表示）1.參數： 標稱阻值與誤差 額定功率 溫度系數2.符號：3.阻值讀法：（1）.直標法：電阻的阻值直接標注在電阻的外面。 例：1K5%（2）.色環標注法：用顏色來代表某一數字。色 環 識 讀 方 法 顏色 第1色環

5、第1位數 第2色環第2位數 第3色環倍數 第4色環誤差 第1色環第1位數 第2色環第2位數 第3色環第3位數 第4色環倍數 第5色環誤差 黑 00100000100棕 111011111011% 紅 221022221022%橙 33103333103黃 44104444104綠 551055551050.5% 藍 661066661062.25%紫771077771070.1%灰 88108888108白 99109999109金 10-15% 10-1銀 10-210%10-2無色 20%二、電容（用C表示）1.符號：2.單位：電容的基本單位是：F （法），此外還有F（微法）、pF（皮法）

6、，另外還有一個用的比較少的單位，那就是：nF（納法），由于電容F 的容量非常大，所以我們看到的一般都是F、nF、pF的單位，而不是F的單位。1F=106uF=109nF=1012pF3.電解電容的極性認識：正極負極4.電容器的參數：（1）.耐壓（額定電壓）：指電容器允許施加的最大電壓（2）.標稱容量：指電容器的額定容量5.電容器參數識別方法：（1）直標法將容量、耐壓、誤差直接標在電容體上。（2）文字符號法示例： 0.33 PF 寫成 P33 2.2 PF 2P2 1000 PF 1n 6800 PF 6n8 0.047 F 47n 3.3 F 33 4700 F 4n7（3）數碼表示法示例：

7、102 即為 1000P 221 220P 224 220000P=0.22F特殊情況：當第3位數字用“9”表示時，是用有效數字乘上10-1。示例： 229表示2210-1=2.2PF6.超級電容器：又叫雙電層電容器、電化學電容器、黃金電容、法拉電容，通過極化電解質來儲能。它是一種電化學元件，但在其儲能的過程并不發生化學反應，這種儲能過程是可逆的，也正因為此超級電容器可以反復充放電數十萬次。三、電感器；（用L表示）1.單位：電感量的基本單位是亨利（簡稱亨），用字母“H”表示。常用的單位還有毫亨（mH）和微亨（H），它們之間的關系是：1H=1000mH1mH=1000H2.用途：（1）儲能：將電

8、能轉變為磁能（2）阻礙電流變化：（3）有“對交流電起阻礙作用，對直流電無阻礙作用”的特性。在板卡中，電感多被用在儲能、濾波、延遲和振蕩等幾個方面，是保障板卡穩定、安全運行的重要元件。3.電感器參數：（1）額定電流：額定電流是指電感器有正常工作時反允許通過的最大電流值。若工作電流超過額定電流，則電感器就會因發熱而使性能參數發生改變，甚至還會因過流而燒毀。（2）電感量：是表示電感器產生自感應能力的一個物理量。（3）品質因數：品質因數也稱Q值或優值，是衡量電感器質量的主要參數。它是指電感器在某一頻率的交流電壓下工作時，所呈現的感抗與其等效損耗電阻之比。電感器的Q值越高，其損耗越小，效率越高。（4）分

9、布電容：分布電容是指線圈的匝與匝之間、線圈與磁心之間存在的電容。電感器的分布電容越小，其穩定性越好。4.電感器參數標注：(1)直標法電感器采用直標法標注時，一般會在外殼上標注電感量、誤差和額定電流值。在標注電感量時，通常會將電感量值及單位直接標出。在標注誤差時，分別用I、II、III表示+5%、+10%、+20%。在標注額定電流時，用A、B、C、D、E分別表示50mA、150mA、300mA、0.7A和1.6A。(2)色標法色標法是采用色點或色環標在電感器上來表示電感量和誤差的方法。色碼電感器采用色標法標注，其電感量和誤差標注方法同色環電阻器，單位為mH。色碼電感器的各種顏色含義及代表的數值與

10、色環電阻器相同。色碼電感器顏色的排列順序方法也與色環電阻器相同。色碼電感器與色環電阻器識讀不同僅在于單位不同，色碼電感器單位為H。四、半導體元件：（一）二極管：1.結構：由一個PN結構成。按結構可分為點接觸、面接觸、平面接觸。面接觸、平面接觸主要用于整流 點接觸主要用于作為開關使用2.特性：具有單向導電性正向特性正向特性在電子電路中，將二極管的正極接在高電位端，負極接在低電位端，二極管就會導通，這種連接方式，稱為正向偏置。必須說明，當加在二極管兩端的正向電壓很小時，二極管仍然不能導通，流過二極管的正向電流十分微弱。只有當正向電壓達到某一數值（這一數值稱為“門坎電壓”，又稱“死區電壓”，鍺管約為

11、0.1V，硅管約為0.5V）以后，二極管才能直正導通。導通后二極管兩端的電壓基本上保持不變（鍺管約為0.3V，硅管約為0.7V），稱為二極管的“正向壓降”。反向特性反向特性在電子電路中，二極管的正極接在低電位端，負極接在高電位端，此時二極管中幾乎沒有電流流過，此時二極管處于截止狀態，這種連接方式，稱為反向偏置。二極管處于反向偏置時，仍然會有微弱的反向電流流過二極管，稱為漏電流。當二極管兩端的反向電壓增大到某一數值，反向電流會急劇增大，二極管將失去單方向導電特性，這種狀態稱為二極管的擊穿。二極管伏安特性曲線3、二極管的符號：穩壓二極管普通二極管發光二極管光敏二極管4、二極管極性識別：陰極陽極陽極

12、陰極5、二極管的參數：(1)、最大整流電流IF是指二極管長期連續工作時，允許通過的最大正向平均電流值，其值與PN結面積及外部散熱條件等有關。因為電流通過管子時會使管芯發熱，溫度上升，溫度超過容許限度（硅管為141左右，鍺管為90左右）時，就會使管芯過熱而損壞。所以在規定散熱條件下，二極管使用中不要超過二極管最大整流電流值。例如，常用的IN40014007型鍺二極管的額定正向工作電流為1A。(2)、最高反向工作電壓、最高反向工作電壓URM加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時，會將管子擊穿，失去單向導電能力。為了保證使用安全，規定了最高反向工作電壓值。例如，IN4001二極管反向耐壓為50V，IN

13、4007反向耐壓為1000V。6、其他二極管：（1）發光二極管（LED)：（2）穩壓二極管：使用注意事項：A.必須反向連接，否則起不到穩壓作用。B.使用時要串聯上一個限流電阻，否則會燒毀穩壓二極管。（二）三極管：1、結構：由兩個PN結構成。2、種類：根據材料分可分為硅三極管和鍺三極管按PN結性質可分為PNP型和NPN型。3、符號及三個電極：發射極集電極基極4、三極管的作用：（1）在模擬電子電路中，主要用于放大作用。三極管工作于放大區。（2）在數字電子電路中，主要用于開關作用。三極管工作于截止區和飽和區。截止區相當于開關斷開；飽和區相當于開關閉合。5、三極管的參數：（1）共射電流電流放大系數 和

14、：常用的小功率功率三極管，值一般為20100。過小，管子的電流放大作用小，過大，管子工作的穩定性差，一般選用在4080之間的管子較為合適。（2）極間反向飽和電流ICBO和ICEO（A）集電結反向飽和電流ICBO是指發射極開路，集電結加反向電壓時測得的集電極電流。常溫下，硅管的ICBO在nA（10-9）的量級，通常可忽略。（B）集電極-發射極反向電流ICEO是指基極開路時，集電極與發射極之間的反向電流，即穿透電流，穿透電流的大小受溫度的影響較大，穿透電流小的管子熱穩定性好。3、極限參數（A）集電極最大允許電流ICM （B）集電極最大允許功耗PCM （C）反向擊穿電壓UBR（CEO）貼片電子元件：

15、電子元件科技發展的新特點當前，隨著傳統元件科研生產逐步走向成熟，電子元件科技正步入以新材料、新工藝、新技術帶動下的產品更新升級和深化發展的新時期，呈現出向片式化、小型化方向發展；以低功耗、高可靠滿足國防和尖端裝備新要求；以抗輻射滿足宇航級應用；以無源集成作為無源元件新的增長點；實現無毒無害、綠色環保新目標等五個方面新的發展趨勢和特點。片式化、小型化是電子元件技術發展的主要方向，片式、小型化是電子元件近年發展的主要方向，已成為衡量電子元件技術發展水平的重要標志之一，美、歐、日等發達國家以及亞太、印度等發展中國家和地區，各類電子元件均已有相應的片式化產品。其中，片式電容、片式電阻、片式電感三大無源

16、元件，約占全球片式元件總產量的85%90%。電子元件片式化的同時，小型化也在迅速發展，不僅傳統元件在迅速小型化，片式元件也在迅速小型化。當前片式阻容元件的主流產品的尺寸是0603型、0402型，正朝著外形尺寸更小的0201型和01005型方向發展。貼片元件種類 貼 片 電 阻貼片電阻 貼片排阻 貼片電阻的外包裝 貼 片 電 容無極性貼片電容 貼片電解電容 貼片電容的外包裝貼片二極管、貼片發光管、貼片三極管、貼片穩壓管電子元件焊接技術在電子制作中，元器件的連接處需要焊接。焊接的質量對制作的質量影響極大。所以，學習電子制作技術，必須掌握焊接技術，練好焊接基本功。 元元器件成形器件成形根據印刷電路孔

17、距而定根據印刷電路孔距而定大大約約 8 mm電阻成形如圖圖示用鑷子將電阻引腳彎腳成形引腳間距要與電路板上的焊盤間距一致。n由于體形太高，由于體形太高，電解電容一般橫臥電解電容一般橫臥n用鑷子將其彎成用鑷子將其彎成9090度度電解電容成形n由于體形太高，由于體形太高，電解電容一般橫臥電解電容一般橫臥n用鑷子將其彎成用鑷子將其彎成9090度度電解電容成形常用焊接工具常用焊接工具普通外熱式電烙鐵溫控式電烙鐵 裝裝配電子產品最重要的因素是好的焊接配電子產品最重要的因素是好的焊接技術。技術。 建建議使用議使用25402540瓦的尖頭電烙鐵，烙鐵瓦的尖頭電烙鐵，烙鐵的頂部應的頂部應 保持清潔使之容易上保持

18、清潔使之容易上錫。錫。手工焊接工藝手工焊接工藝1、錫焊的工藝要求 （1）工件金屬材料應具有良好的可焊性； （2）工件金屬表面應清潔： （3）正確選用助焊劑： （4）正確選用焊料； （5）控制焊接溫度和時間，一般情況下，焊接時間應不超過3s；2、助焊劑的作用 （1）除去氧化物：為了是焊料與工件表面的原子能充分接近，必須將妨礙兩金屬原子接近的氧化物和污染物去除，助焊劑正具有溶解這些氧化物、氫氧化物或使其剝離的功能； （2）防止工件和焊料加熱時氧化：焊接時，助焊劑先于焊料之前熔化，在焊料和工件的表面形成一層薄膜，使之與外界空氣隔絕，起到在加熱過程中防止工件氧化的作用； （3）降低焊料表面的張力：使用

19、助焊劑可以減小熔化后焊料表面的張力，增加其流動性，有利于浸潤。助焊劑選用內帶助焊劑的管狀焊錫絲內帶助焊劑的管狀焊錫絲, ,錫錫鉛合金的含量一般為鉛合金的含量一般為50-60%,50-60%,為保為保證焊點的質量證焊點的質量, ,應選擇錫含量在應選擇錫含量在55%55%以上以上, , 。 焊錫絲的直徑有焊錫絲的直徑有 0.5-2.4mm0.5-2.4mm的的8 8種規種規 格格, ,應根據焊點的應根據焊點的 大小選擇焊絲的直大小選擇焊絲的直 徑。徑。 水水清潔塊使用清潔塊使用記住使用記住使用前要用水前要用水浸濕浸濕 清潔塊吸足水，用手擠去一些用清潔塊擦去烙鐵上污物，然后再去熔化焊錫清潔塊雖小，卻對焊接清潔塊雖小，卻對焊接質量起著重要的作用質量起著重要的作用 3.焊接前準備 有助焊劑松香的幫助，上焊錫可以有助焊劑松香的幫助，上焊錫可以更容易一些。要焊的引腳（導線）更容易一些。要焊的引腳（導線）都應預上焊錫都應預上焊錫 注意：上焊錫時，元件要注意：上焊錫時，元件要360度旋轉。度旋轉。使焊錫布滿整個引線使焊錫布滿整個引線上錫上錫 有助焊劑松香的幫助，上焊錫可以有助焊劑松香的幫助，上焊錫可以更容易一些。要焊的引腳（導線）更容易一些。要焊的引腳（導線）都應預上焊錫都應預上焊錫 注意：上焊錫時，元件要注意：上焊錫時，元件要360度旋轉。度旋轉。使焊錫布滿整個引線使