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文檔簡介
1、 應用一種新的tlp測試方法解決esd所引起的系統軟失效問題 劉蕊【摘 要】隨著電子產品的發展,esd引發的問題越來越引起重視。tlp作為一種研究時域esd事件下的集成電路技術和電路行為的方法,被廣泛應用到終端產品防護性能設計、模塊或集成電路芯片的防護性能研究中。本文通過介紹tlp的基本原理提出一種新的測試方法解決了如何通過tlp測試方法進行干擾噪聲注入來評估系統的esd軟失效問題,該方法在手機類產品測試中非常有效。【關鍵詞】esd;tlp;測試方法;系統軟失效0 引言隨著消費類終端手持式產品日益增多、結構更加復雜,且半導體工藝縮小及更小的s
2、mt封裝、更低的電壓等級、更低的電容值及更低的電流等級等,所面臨的esd(electro-static discharge, 靜電放電)挑戰日趨嚴重。靜電是一種客觀存在的自然現象,產生的方式多種,如接觸、摩擦、電器間感應等。靜電的特點是長時間積聚、高電壓、低電量、小電流和作用時間短的特點。當兩個物體接觸時,其中一個趨從于另一個吸引電子,因而二者會形成不同的充電電位。人體自身的動作或與其他物體的接觸,分離,摩擦或感應等因素,可以產生幾千伏甚至上萬伏的靜電。esd對于電路引起的干擾、對元器件、cmos電路及接口電路造成的破壞等問題越來越引起人們的重視。電子設備的esd很早就作為電磁兼容性測試的一項
3、重要內容被寫入國家標準和國際標準。傳輸線脈沖tlp(transmission line pulse)測試是通過將產生的高壓脈沖注入到dut(待測器件),并測量dut在時域的電流電壓波形來研究或評估集成電路esd防護性能的一種方法。本文重點介紹tlp的基本原理以及如何通過tlp測試方法進行干擾噪聲注入來評估系統的esd軟失效問題。1 tlp測試技術tlp 測試之前首先對電路中的一段傳輸線充電,然后將被測器件接入,充電后的傳輸線通過被測器件放電。改變電路的輸入電壓和傳輸線路的長度可以模擬不同能量的esd 脈沖,從而得到器件的esd 大電流抑制能力。tlp 測試先從小電壓脈沖開始,隨后連續增加直到獲
4、得足夠多的數據點,以作出完整的i-v 曲線。通常測試脈沖的幅度會加大到使dut 徹底損傷為止,作而獲得其精確的允許最大脈沖電流,如圖1所示。tlp測試技術或方法同時適用于系統級esd(標準iec61000-4-2)以及集成電路級的hbm esd(標準ansi/esda/jedec js-001-2010)。tlp通常被用于評估esd的硬失效,即增加脈沖電壓的幅值直到dut損壞。應用場景如下:評估esd保護器件性能(比較動態阻抗rdyn和鉗位速度);評估設備和模塊的esd失效等級;當需要不同的脈沖形狀(tlp, hmm, hbm ),脈沖寬度,上升時間或者不同的電流注入等級(40a, 90a,
5、160a )時,可使用tlp測試;評估安全工作區域;觸摸板的擊穿和熔斷敏感度等。3 tlp測試esd軟失效方法本文采用一種新的tlp測試方法,主要用來評估或定位整改esd軟失效問題。以手機產品的esd為例,對金屬外殼或usb連接器空氣放電+-8kv,手機自動重啟。金屬外殼或usb連接器通常和pcb的地連接在一起,即當esd放電到系統地是便會引起失效。嘗試在中斷或復位信號加電容或esd保護器件瞬態抑制二極管tvs(transient voltage suppressor)均為有改善。最終采用tlp測試系統從pcb板上注入不同類型的干擾脈沖來定位并查找板子上的esd敏感區域或走線。不同于硬件失效評
6、估時dut關機狀態,esd軟失效的評估是在dut開機時進行的。如果將tlp系統直接連接到pcb,其寄生參數往往會影響到dut本身的正常工作,于是我們采用串接器件的方法注入脈沖干擾信號。常用的串接器件為電阻、電容或tvs,往往根據脈沖注入點的信號屬性來決定。其主要區別為:電阻串聯對波形改變不大,主要影響幅值;電容串接情況下只有尖端快速脈沖可以通過,尤其適用于高速脈沖信號所引起的系統失效;而tvs串接情況下,第一個尖脈沖會被tvs吸收,只有寬脈沖信號可以通過。tlp測試系統選用的是德國hppi公司的3010c,系統框圖見圖2。測試方法如下:(1)首先將手機板上電,一切功能正常以后,然后逐個將tlp
7、輸出波形注入到pcb上。(2)將tlp的波形直接注入或者串接電阻分別注入到pcb top & bottom層的各個地,電壓從低到高,定位是否存在敏感的地區域。(或結合信號完整性工具,通過諧振仿真分析潛在的熱點,然后對熱點進行重點分析、脈沖波形注入)(3)將tlp的波形分別串接電容或tvs,對各個電源線脈沖注入,如vdd_core, vdd_ddr, vdd_reg, avdd, vcharge等等,定位尋找敏感的電源線。(4)將tlp的波形分別串接電容或tvs,對重點或敏感信號線進行脈沖注入,如reset, interrupt, clk&data等等,定位尋找敏感的電源線。(5
8、)將以上測試結果分析總結,以本測試手機為例,最終發現jtag_rst和vdd_ddr兩個電源或信號線最為敏感,最終解決辦法為在jtag_rst上加1nf電容,并優化vdd_ddr的電源拓撲結構。3 小結tlp測試方法的優點有很多,如:波形簡單且穩定、易于重復產生;脈沖的寬度以及幅度可任意調節,可適用于不同情況下的esd評估;可同時監測dut的電壓、電流以及漏電流等實用信息;還可用于器件的建模并仿真。本應用中,除了tlp的基本優點以外還成功的將tlp應用到系統上電情況下的esd系統軟失效問題,對解決電子產品中遇到的實際esd問題幫助非常大。 【參考文獻】1joost willemen, davi
9、d johnsson, yiqun cao, matthias stecher, “a tlp-based characterization method for transient gate biasing of mos devices in high-voltage technologies”,electrical overstress/ electrostatic discharge symposium (eos/esd), 2010 32nd.2d. pogany ,d. johnsson,s. bychikhi,k. esmark, p. rodin,m. stecher, e. g
10、ornik, h. gossner, “measuring holding voltage related to homogeneous current flow in wide esd protection structures using multilevel tlp”,ieee transactions on electron devices ( volume: 58, issue:2, feb.2011).3david johnsson, harald gossner,“study of system esd codesign of a realistic mobile board”,electrical overstress/electrostatic discharge symposium (eos/esd), 2011 33rd.4benjamin orr,david johnsson, krzysztof domanski, harald gossner, david pommerenke, “a passive coupling circuit for injecting t
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