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1、1會計學PECVD法制備多晶硅薄膜法制備多晶硅薄膜圖1 PECVD設備外觀圖 圖2 直流輝光放電PECVD沉積系統示意圖圖3 直流輝光氣體放電體系模型式中的m可取1、2、3等，r1和r2代表兩個不同反應方向的反應速率。實際發生的過程遠比上式復雜，SiH4生成Si的過程中有許多中間產物，分解反應有幾十個，每個反應都是可逆的。從原理上來講，利用上述反應式是可行的 返回圖4不同襯底的SEM圖象返回SiH4中摻H2可以從幾個方面影響薄膜的晶化狀況。SiH4分解生成SiH3和SiH2等粒子, SiH3是薄膜的主要生長粒子，而SiH2卻對薄膜的質量有害因為SiH2可以和SiH4進行聚合反應生成Si2H6,

2、 SiH2逐步和生成物反應生成SinH2n+2，最終形成紅色粉末，掉落到薄膜表面。影響薄膜的晶化效果和均勻性。 表1 不同氫稀釋下樣品的性質圖5 H的刻蝕作用圖 6 H增強表面擴散的作用圖 7 H的化學退火作用圖 8 氫稀釋濃度和沉積速率的關系返回圖9 不同溫度條件下制備樣品的Raman散射表2 不同溫度下樣品的性質沉積溫度過低，生長粒子SiH3具有較低的表面活性能，不容易擴散找到能量最低的位置成鍵而結晶。但溫度的進一步提高會使薄膜表面的H釋放，將降低生長粒子SiH3的擴散能力。因此，溫度對薄膜結晶狀況的影響存在最優值。返回沉積速率的變化趨勢是硅烷分壓與電子溫度兩種因素相競爭的結果 ,硅烷分壓的上升使成膜基團的產生率升高 ,而電子溫度的下降則使成膜基團的產生率降低。因此，沉積氣壓存在最優值，而且其值與具體的沉積系統密切相關。 返回圖10 沉積速率及晶化率與沉積氣壓的關系返回致謝SiH4中摻H2可以從幾個方面影響薄膜的晶化狀況。SiH4分解生成SiH3和SiH2等粒子, SiH3是薄膜的主要生長粒子，而SiH2卻對薄膜的質量有害因為SiH2可以和SiH4進行聚合反應生成Si2H6, SiH2逐步和生成物反應生成SinH2n+2，最終形成紅色粉末，掉落到薄膜表面

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