1、集成邏輯門(mén)電路的應(yīng)用。6.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)半導(dǎo)體基礎(chǔ)（1）摻雜特性。半導(dǎo)體對(duì)雜質(zhì)敏感，通過(guò)控?fù)诫s特性。半導(dǎo)體對(duì)雜質(zhì)敏感，通過(guò)控制摻雜的方法可以精確控制半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力，制摻雜的方法可以精確控制半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力，制造出不同用途的半導(dǎo)體器件。制造出不同用途的半導(dǎo)體器件。 半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的一種物質(zhì)。常用的半導(dǎo)體材料有硅（的一種物質(zhì)。常用的半導(dǎo)體材料有硅（si）、）、鍺（鍺（ge）、砷化鎵（）、砷化鎵（gaas）等。）等。 （2）熱敏特性。半導(dǎo)體對(duì)溫度敏感，溫度升熱敏特性。半導(dǎo)體對(duì)溫度敏感，溫度升高則導(dǎo)電能力顯著增強(qiáng)，利用這一特性可制造高則導(dǎo)電能

2、力顯著增強(qiáng)，利用這一特性可制造熱敏電阻。熱敏電阻。（3）光敏特性。半導(dǎo)體對(duì)光敏感，接受光照光敏特性。半導(dǎo)體對(duì)光敏感，接受光照則導(dǎo)電能力明顯增強(qiáng)，利用這一特性可制造光則導(dǎo)電能力明顯增強(qiáng)，利用這一特性可制造光敏電阻。敏電阻。又又名本征半導(dǎo)體名本征半導(dǎo)體。 晶體原子之間靠共價(jià)鍵鏈接，共價(jià)晶體原子之間靠共價(jià)鍵鏈接，共價(jià)鍵具有很強(qiáng)的結(jié)合力。鍵具有很強(qiáng)的結(jié)合力。 在絕對(duì)溫度零度時(shí)（即在絕對(duì)溫度零度時(shí)（即0k，相當(dāng)，相當(dāng)于于-273.15），價(jià)電子無(wú)法擺脫共價(jià)），價(jià)電子無(wú)法擺脫共價(jià)鍵的束縛，不能自由移動(dòng)。此時(shí)半導(dǎo)鍵的束縛，不能自由移動(dòng)。此時(shí)半導(dǎo)體不能導(dǎo)電。體不能導(dǎo)電。 室溫下，價(jià)電子獲得足夠能量，足室溫下，

3、價(jià)電子獲得足夠能量，足以擺脫共價(jià)鍵的束縛，成為自由電子，以擺脫共價(jià)鍵的束縛，成為自由電子，同時(shí)在原共價(jià)鍵相應(yīng)的位置上出現(xiàn)一同時(shí)在原共價(jià)鍵相應(yīng)的位置上出現(xiàn)一個(gè)空位，稱(chēng)為空穴（個(gè)空位，稱(chēng)為空穴（hole）。自由電）。自由電子與空穴是成對(duì)出現(xiàn)的，稱(chēng)為電子空子與空穴是成對(duì)出現(xiàn)的，稱(chēng)為電子空穴對(duì)。這種現(xiàn)象稱(chēng)為本征激發(fā)。穴對(duì)。這種現(xiàn)象稱(chēng)為本征激發(fā)。 所以，在半導(dǎo)體中，有兩種能夠運(yùn)載電所以，在半導(dǎo)體中，有兩種能夠運(yùn)載電荷從而形成電流的帶電粒子（稱(chēng)為載流荷從而形成電流的帶電粒子（稱(chēng)為載流子）：自由電子和空穴。子）：自由電子和空穴。（1）n型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 在硅或鍺的晶體中摻入少量的在硅或鍺的晶體中摻入少量的五

4、價(jià)元素五價(jià)元素雜質(zhì)（如磷、雜質(zhì)（如磷、砷、銻等）。砷、銻等）。 雜質(zhì)原子的五個(gè)價(jià)電子與周?chē)柙咏M成共價(jià)鍵時(shí)，雜質(zhì)原子的五個(gè)價(jià)電子與周?chē)柙咏M成共價(jià)鍵時(shí)，多出一個(gè)價(jià)電子，使晶體產(chǎn)生一個(gè)自由電子。多出一個(gè)價(jià)電子，使晶體產(chǎn)生一個(gè)自由電子。 根據(jù)摻入雜質(zhì)的多少，可以控制自由電子的數(shù)量。根據(jù)摻入雜質(zhì)的多少，可以控制自由電子的數(shù)量。由于自由電子的數(shù)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于空穴的數(shù)量，這種半導(dǎo)體由于自由電子的數(shù)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于空穴的數(shù)量，這種半導(dǎo)體導(dǎo)電以自由電子導(dǎo)電為主。將自由電子稱(chēng)為多數(shù)載流子，導(dǎo)電以自由電子導(dǎo)電為主。將自由電子稱(chēng)為多數(shù)載流子，簡(jiǎn)稱(chēng)多子；空穴稱(chēng)為少數(shù)載流子，簡(jiǎn)稱(chēng)少子。簡(jiǎn)稱(chēng)多子；空穴稱(chēng)為少數(shù)載流子，簡(jiǎn)稱(chēng)少子

5、。（3）pn結(jié)結(jié) pn結(jié)是半導(dǎo)體器件的核心。結(jié)是半導(dǎo)體器件的核心。 利用特殊工藝，在一塊純凈的半導(dǎo)體中，一邊制利用特殊工藝，在一塊純凈的半導(dǎo)體中，一邊制成成p型半導(dǎo)體，一邊制成型半導(dǎo)體，一邊制成n型半導(dǎo)體，則在型半導(dǎo)體，則在p型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的交界面上，會(huì)形成具有特殊性能、僅僅數(shù)微型半導(dǎo)體的交界面上，會(huì)形成具有特殊性能、僅僅數(shù)微米的薄層，稱(chēng)為空間電荷區(qū)（又稱(chēng)勢(shì)壘層或阻擋層），米的薄層，稱(chēng)為空間電荷區(qū)（又稱(chēng)勢(shì)壘層或阻擋層），即即pn結(jié)。結(jié)。 pn結(jié)具有單向?qū)щ娦?，加正向電壓時(shí)導(dǎo)通，加反結(jié)具有單向?qū)щ娦裕诱螂妷簳r(shí)導(dǎo)通，加反向電壓時(shí)截止。即：正向?qū)ǎ聪蚪刂痢Ｏ螂妷簳r(shí)截止。即：正

6、向?qū)ǎ聪蚪刂痢?+- 半導(dǎo)體二極管簡(jiǎn)稱(chēng)二極管，是由半導(dǎo)體二極管簡(jiǎn)稱(chēng)二極管，是由pn結(jié)、導(dǎo)線、電極、結(jié)、導(dǎo)線、電極、管殼等部分組成的。管殼等部分組成的。 二極管具有以下特性：二極管具有以下特性：1）正向特性）正向特性 二極管加正向電壓時(shí)，二極管加正向電壓時(shí)，只要電壓有稍微增加，正向只要電壓有稍微增加，正向電流就會(huì)迅速增大很多。二電流就會(huì)迅速增大很多。二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)。極管處于導(dǎo)通狀態(tài)。2）反向特性）反向特性 二極管加反向電壓，二極管加反向電壓，且當(dāng)反向電壓小于且當(dāng)反向電壓小于ubr（反（反向擊穿電壓）時(shí)，反向電流向擊穿電壓）時(shí)，反向電流非常小，幾乎不受反向電壓非常小，幾乎不受反向電壓增大的

7、影響。二極管處于截增大的影響。二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。止?fàn)顟B(tài)。3）反向截止特性）反向截止特性 當(dāng)二極管兩端的反當(dāng)二極管兩端的反向電壓大于反向擊穿電壓向電壓大于反向擊穿電壓ubr時(shí)，反向電流突然劇時(shí)，反向電流突然劇增。二極管反向擊穿。增。二極管反向擊穿。 半導(dǎo)體三極管（雙極型三極管）簡(jiǎn)稱(chēng)三極管，它半導(dǎo)體三極管（雙極型三極管）簡(jiǎn)稱(chēng)三極管，它是利用特殊工藝制成的具有兩個(gè)是利用特殊工藝制成的具有兩個(gè)pn結(jié)的半導(dǎo)體器件。結(jié)的半導(dǎo)體器件。它有三個(gè)電極：基極它有三個(gè)電極：基極b、發(fā)射極、發(fā)射極e、集電極、集電極c。根據(jù)結(jié)。根據(jù)結(jié)構(gòu)不同，三極管可以分為構(gòu)不同，三極管可以分為npn型和型和pnp型兩類(lèi)。型兩類(lèi)。 b

8、cebcenpn型三極管pnp型三極管三極管常用的有三極管常用的有4種不同的工作狀態(tài)：種不同的工作狀態(tài)： 場(chǎng)效應(yīng)管，是利用電場(chǎng)效應(yīng)控制固體材料導(dǎo)電能力場(chǎng)效應(yīng)管，是利用電場(chǎng)效應(yīng)控制固體材料導(dǎo)電能力的有源器件，它與半導(dǎo)體三極管的區(qū)別在于：場(chǎng)效應(yīng)管的有源器件，它與半導(dǎo)體三極管的區(qū)別在于：場(chǎng)效應(yīng)管是多子導(dǎo)電，只存在一種極性的載流子，所以也稱(chēng)為單是多子導(dǎo)電，只存在一種極性的載流子，所以也稱(chēng)為單極型晶體管。它的優(yōu)點(diǎn)是輸入端電流接近零，所以輸入極型晶體管。它的優(yōu)點(diǎn)是輸入端電流接近零，所以輸入電阻非常高。同時(shí)具有體積小、重量輕、噪聲低、穩(wěn)定電阻非常高。同時(shí)具有體積小、重量輕、噪聲低、穩(wěn)定性好、功耗小等特點(diǎn)。性

9、好、功耗小等特點(diǎn)。 二極管開(kāi)關(guān)工作條件：二極管開(kāi)關(guān)工作條件：截止時(shí)外加反向電壓；截止時(shí)外加反向電壓；飽和飽和/導(dǎo)通時(shí)外加正向電壓。其開(kāi)關(guān)等效模型為：導(dǎo)通時(shí)外加正向電壓。其開(kāi)關(guān)等效模型為：+-erls+-erls+-erlvd基本開(kāi)關(guān)電路飽和 / 導(dǎo)通狀態(tài)截止?fàn)顟B(tài)bcebce飽和/導(dǎo)通狀態(tài)截止?fàn)顟B(tài)becvccvovirbrc基本開(kāi)關(guān)電路 ttl門(mén)電路是晶體管門(mén)電路是晶體管-晶體管邏輯門(mén)電路的簡(jiǎn)稱(chēng)，它是目晶體管邏輯門(mén)電路的簡(jiǎn)稱(chēng)，它是目前使用最為廣泛的一種門(mén)電路。前使用最為廣泛的一種門(mén)電路。 ttl與非門(mén)電路由三部分組成：與非門(mén)電路由三部分組成：1. 輸入級(jí)輸入級(jí) 包括多發(fā)射極晶體管包括多發(fā)射極晶體

10、管vt1和基極電阻和基極電阻r1，形成與門(mén)，形成與門(mén)電路，實(shí)現(xiàn)邏輯電路，實(shí)現(xiàn)邏輯“與與”功能。功能。vt1的發(fā)射極是的發(fā)射極是“與與”輸輸入入 ，vt1的集電極是的集電極是“與與”輸出端。輸出端。2. 中間倒相級(jí)中間倒相級(jí) 包括包括vt2及電阻及電阻r2，r3。主要作用是將。主要作用是將vt2管的基管的基極電流放大，以增強(qiáng)對(duì)輸出級(jí)的驅(qū)動(dòng)能力。極電流放大，以增強(qiáng)對(duì)輸出級(jí)的驅(qū)動(dòng)能力。3. 輸出級(jí)輸出級(jí) 由由vt3，vt4，vt5管和電阻管和電阻r4，r5組成。組成。vt3、vt4組成射極跟隨器電路，同時(shí)與組成射極跟隨器電路，同時(shí)與vt5組成推挽電路，組成推挽電路，提高電路帶負(fù)載能力。提高電路帶負(fù)載

11、能力。 當(dāng)電路輸入全為高電平時(shí)，輸出當(dāng)電路輸入全為高電平時(shí)，輸出f為低電平；輸入為低電平；輸入中有一個(gè)或一個(gè)以上為低電平時(shí)，電路輸出為高電平。中有一個(gè)或一個(gè)以上為低電平時(shí)，電路輸出為高電平。其邏輯關(guān)系為：其邏輯關(guān)系為：abcf 集電極開(kāi)路門(mén)簡(jiǎn)稱(chēng)集電極開(kāi)路門(mén)簡(jiǎn)稱(chēng)oc門(mén)。門(mén)。 ar2+vccbr1vt1vt2vt5r3f+ecrl oc門(mén)與普通與非門(mén)相比功能靈活，可以實(shí)現(xiàn)線與門(mén)與普通與非門(mén)相比功能靈活，可以實(shí)現(xiàn)線與功能。所謂線與就是幾個(gè)功能。所謂線與就是幾個(gè)oc門(mén)的輸出端可以直接連門(mén)的輸出端可以直接連接在一起，構(gòu)成一個(gè)公共輸出端，用于實(shí)現(xiàn)輸出信號(hào)接在一起，構(gòu)成一個(gè)公共輸出端，用于實(shí)現(xiàn)輸出信號(hào)的線與

12、邏輯運(yùn)算。的線與邏輯運(yùn)算。 oc門(mén)的特點(diǎn)及使用時(shí)需要注意的問(wèn)題如下：門(mén)的特點(diǎn)及使用時(shí)需要注意的問(wèn)題如下： 1）門(mén)必須外接上拉電阻）門(mén)必須外接上拉電阻rl才能正常工作。才能正常工作。2）多個(gè)）多個(gè)oc門(mén)的輸出可連接在一起構(gòu)成門(mén)的輸出可連接在一起構(gòu)成“線與線與”邏邏輯。輯。3）若改變上拉電阻連接的電源可實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換。）若改變上拉電阻連接的電源可實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換。 三態(tài)輸出門(mén)簡(jiǎn)稱(chēng)三態(tài)（三態(tài)輸出門(mén)簡(jiǎn)稱(chēng)三態(tài)（three state）門(mén)。它除了輸出）門(mén)。它除了輸出高電平、低電平兩種狀態(tài)外，還有第三種狀態(tài)：高阻狀態(tài)，高電平、低電平兩種狀態(tài)外，還有第三種狀態(tài)：高阻狀態(tài)，也稱(chēng)禁止?fàn)顟B(tài)或開(kāi)路狀態(tài)，表示此時(shí)該門(mén)電路與其

13、他電路也稱(chēng)禁止?fàn)顟B(tài)或開(kāi)路狀態(tài)，表示此時(shí)該門(mén)電路與其他電路的傳送無(wú)關(guān)。的傳送無(wú)關(guān)。三態(tài)門(mén)的基本用途是在數(shù)字系統(tǒng)中構(gòu)成總線（三態(tài)門(mén)的基本用途是在數(shù)字系統(tǒng)中構(gòu)成總線（bus）。）。（1）單向總線）單向總線.。三態(tài)門(mén)電路可以實(shí)現(xiàn)同一條傳輸線。三態(tài)門(mén)電路可以實(shí)現(xiàn)同一條傳輸線上分時(shí)傳遞幾個(gè)門(mén)電路信號(hào)。上分時(shí)傳遞幾個(gè)門(mén)電路信號(hào)。電路工作時(shí)，各門(mén)電路控制端電路工作時(shí)，各門(mén)電路控制端僅有一個(gè)處于有效狀態(tài)，各門(mén)僅有一個(gè)處于有效狀態(tài)，各門(mén)電路控制端輪流有效，這樣可電路控制端輪流有效，這樣可以將各門(mén)電路的輸出輪流送至以將各門(mén)電路的輸出輪流送至傳輸線上而不互相干擾。傳輸線上而不互相干擾。（2）雙向總線。利用三態(tài)門(mén)可以實(shí)

14、現(xiàn)信號(hào)的雙向傳輸）雙向總線。利用三態(tài)門(mén)可以實(shí)現(xiàn)信號(hào)的雙向傳輸 （1）電源和地）電源和地 ttl電路對(duì)電源要求較高。電源電壓上升，會(huì)電路對(duì)電源要求較高。電源電壓上升，會(huì)導(dǎo)致門(mén)電路輸出高電平導(dǎo)致門(mén)電路輸出高電平voh升高，使負(fù)載加重、功升高，使負(fù)載加重、功耗增大；電源電壓降低，會(huì)使耗增大；電源電壓降低，會(huì)使voh減小，高電平噪減小，高電平噪聲容限減小。聲容限減小。 另外，為了保證系統(tǒng)正常工作，必須保證電路另外，為了保證系統(tǒng)正常工作，必須保證電路接地的良好性。同時(shí)，為了降低動(dòng)態(tài)尖峰電流對(duì)系統(tǒng)接地的良好性。同時(shí)，為了降低動(dòng)態(tài)尖峰電流對(duì)系統(tǒng)的干擾，通常在電源與地之間接入濾波電容。的干擾，通常在電源與地之

15、間接入濾波電容。（2）電路外引端的連接）電路外引端的連接 正確辨別電路的電源端和接地端，不能接反，正確辨別電路的電源端和接地端，不能接反，否則將燒毀電路。否則將燒毀電路。 各輸入端不能直接與高于各輸入端不能直接與高于5.5v或低于或低于-0.5v的的低內(nèi)阻電源連接，否則會(huì)產(chǎn)生較大電流而燒毀電路。低內(nèi)阻電源連接，否則會(huì)產(chǎn)生較大電流而燒毀電路。 輸出端應(yīng)通過(guò)電阻與低內(nèi)阻電源連接。輸出端應(yīng)通過(guò)電阻與低內(nèi)阻電源連接。 輸出端接有較大容性負(fù)載時(shí)，應(yīng)串入電阻，防輸出端接有較大容性負(fù)載時(shí)，應(yīng)串入電阻，防止電路在接通瞬間，產(chǎn)生較大沖擊電流損壞電路。止電路在接通瞬間，產(chǎn)生較大沖擊電流損壞電路。 除具有除具有oc

16、結(jié)構(gòu)和三態(tài)結(jié)構(gòu)的電路之外，不允結(jié)構(gòu)和三態(tài)結(jié)構(gòu)的電路之外，不允許電路輸出端并聯(lián)使用。許電路輸出端并聯(lián)使用。（3）多余輸入端的處理）多余輸入端的處理 ttl門(mén)電路的輸入端對(duì)地懸空時(shí)，相當(dāng)于接高電門(mén)電路的輸入端對(duì)地懸空時(shí)，相當(dāng)于接高電平。但懸空時(shí)，容易使電路受到外界干擾而產(chǎn)生錯(cuò)誤動(dòng)平。但懸空時(shí)，容易使電路受到外界干擾而產(chǎn)生錯(cuò)誤動(dòng)作。作。因此，因此，ttl與門(mén)、與非門(mén)電路的多余輸入端通常采取與門(mén)、與非門(mén)電路的多余輸入端通常采取接一個(gè)固定高電平，例如接電源接一個(gè)固定高電平，例如接電源vcc的做法。的做法。 ttl或門(mén)、或非門(mén)電路的多余輸入端不能懸空，或門(mén)、或非門(mén)電路的多余輸入端不能懸空，應(yīng)采取直接接地的

17、辦法，以保證電路邏輯的正確性。應(yīng)采取直接接地的辦法，以保證電路邏輯的正確性。 另外，在使用門(mén)電路時(shí)，還應(yīng)注意功耗與散熱問(wèn)另外，在使用門(mén)電路時(shí)，還應(yīng)注意功耗與散熱問(wèn)題。正常情況下，門(mén)電路功耗不能超過(guò)其最大功耗，否題。正常情況下，門(mén)電路功耗不能超過(guò)其最大功耗，否則將出現(xiàn)熱失控而導(dǎo)致邏輯錯(cuò)誤，甚至使集成電路損壞。則將出現(xiàn)熱失控而導(dǎo)致邏輯錯(cuò)誤，甚至使集成電路損壞。 由單極型場(chǎng)效應(yīng)管為主組成的集成電路稱(chēng)做由單極型場(chǎng)效應(yīng)管為主組成的集成電路稱(chēng)做mos集成電路。根據(jù)電路中選用集成電路。根據(jù)電路中選用mos管的不同，管的不同，可以分為三類(lèi)：可以分為三類(lèi)： pmos電路電路。由。由p溝道溝道m(xù)os管構(gòu)成，制造工

18、管構(gòu)成，制造工藝簡(jiǎn)單，但工作速度較低。藝簡(jiǎn)單，但工作速度較低。 nmos電路。電路。由由n溝道溝道m(xù)os管構(gòu)成，制造工管構(gòu)成，制造工藝復(fù)雜，但工作速度優(yōu)于藝復(fù)雜，但工作速度優(yōu)于pmos電路。電路。 cmos電路。電路。由由pmos管和管和nmos管構(gòu)成的互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)型管構(gòu)成的互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)型mos電路，優(yōu)點(diǎn)是靜態(tài)功耗低、抗干擾能力強(qiáng)、工作電路，優(yōu)點(diǎn)是靜態(tài)功耗低、抗干擾能力強(qiáng)、工作穩(wěn)定性好、開(kāi)關(guān)速度較高。雖然制作工藝相對(duì)復(fù)雜、成穩(wěn)定性好、開(kāi)關(guān)速度較高。雖然制作工藝相對(duì)復(fù)雜、成本偏高，但由于其優(yōu)點(diǎn)突出，是現(xiàn)在發(fā)展最快、應(yīng)用廣本偏高，但由于其優(yōu)點(diǎn)突出，是現(xiàn)在發(fā)展最快、應(yīng)用廣泛的一種集成電路。泛的一種集成電路。

19、 1. cmos與非門(mén)與非門(mén) 高速高速cmos集成電路集成電路54/74hc00為四為四2輸入與非門(mén)，輸入與非門(mén)，即內(nèi)部集成了四個(gè)即內(nèi)部集成了四個(gè)2輸入與非門(mén)，輸入與非門(mén)， 2. cmos或非門(mén)或非門(mén)高速高速cmos集成電路集成電路54/74hc02為為2輸入四或非門(mén)。輸入四或非門(mén)。 3. cmos反相器（非門(mén)）反相器（非門(mén)）高速高速cmos集成電路集成電路54/74hc04為六非門(mén)。為六非門(mén)。 4. cmos漏極開(kāi)路輸出門(mén)（漏極開(kāi)路輸出門(mén)（od門(mén)）門(mén)） od門(mén)（門(mén)（open drain gate）和）和oc門(mén)一樣，可門(mén)一樣，可以實(shí)現(xiàn)以實(shí)現(xiàn)“線與線與”邏輯，正常工作時(shí)也必須外接上拉電邏輯，正常

20、工作時(shí)也必須外接上拉電阻，同時(shí)通過(guò)改變上拉電阻所接的電源也可實(shí)現(xiàn)電平阻，同時(shí)通過(guò)改變上拉電阻所接的電源也可實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換。其邏輯符號(hào)與轉(zhuǎn)換。其邏輯符號(hào)與oc門(mén)相同。門(mén)相同。5. cmos傳輸門(mén)（傳輸門(mén)（tg門(mén)）門(mén)） tg門(mén)（門(mén)（transmission gate）是一種可控的雙向模擬開(kāi)關(guān)。當(dāng)控制是一種可控的雙向模擬開(kāi)關(guān)。當(dāng)控制信號(hào)信號(hào)c=1時(shí)，時(shí)，mos管導(dǎo)通，管導(dǎo)通，a和和b之間之間呈現(xiàn)低阻狀態(tài)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)接通；當(dāng)呈現(xiàn)低阻狀態(tài)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)接通；當(dāng)控制信號(hào)控制信號(hào)c=0時(shí)，時(shí)，mos管截至，相當(dāng)管截至，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。 （1）電源規(guī)則）電源規(guī)則 電源極性不能接反，否則將會(huì)造成集成電路的電源極性不能接反，否則將會(huì)造成集成電路的永久損壞。另外，電源電壓應(yīng)保持在最大極限電壓范永久損壞。另外，電源電壓應(yīng)保持在最大極限電壓范圍之內(nèi)。電源電壓越高，電路抗