1、模擬電路基礎(chǔ)測試題Vgs和Vds滿足關(guān)系式作負(fù)載將決定放大器的截止頻9. 理想運放分析法的實質(zhì)是條件在其應(yīng)用電路中能夠滿足。:填空題侮題1分，共15分）1. PN結(jié)的基本特性是特性2. 雙極型晶體管（BJT）的特征頻率是指使下降為1時的頻率。3. 某放大器的電壓增益 Av =倍。該增益換算成分貝應(yīng)為分貝4. 當(dāng)N溝道結(jié)型場效應(yīng)管（JFET內(nèi)的溝道預(yù)夾斷時,5. 在集成放大器內(nèi)部電路中，為了提高電壓增益，常采用6. 零點漂移是放大器的一個特有的現(xiàn)象。7. 當(dāng)放大器小信號模型中只有一個獨立電容時，該電容的 率。8. 如果要使放大器的輸入電阻增加，可以采用負(fù)反饋。10. 放大器增益的對數(shù)頻率特性曲線

2、又稱為11. 變?nèi)荻O管利用反偏二極管的工作失真12. 當(dāng)放大器輸出信號的頻率分量與輸入信號不完全相同時，放大器出現(xiàn)了13. 乙類功放在小信號工作時，因 失真使得輸出波形畸變更嚴(yán)重。14. 要使負(fù)載變化是放大器的輸岀電壓的變化減小，可對放大器采用負(fù)反饋。15. 當(dāng)集成放大器內(nèi)部需要微電流時，采用微電流恒流源要優(yōu)于采用基本鏡像恒流源。原因之一是：R-上的電三：單項選擇題(每題 1分，共10分)1. 圖1所示硅二極管電路中的Vi(t)是振幅等于2v的低頻正弦電壓。該電路中，電阻壓Vo(t)的波形應(yīng)該為()。N7,2. 測得某放大器中一支BJT的三個電極的直流電壓為：，+和。由此可以判斷，該管是 （

3、）A. NPN硅管 B. NPN錯管 C. PNP硅管 D. PNP錯管3. 在下面關(guān)于放大器的四鐘說法中，只有（）是肯定正確的。A.放大器有功率放大功能B.放大器有電壓放大功能C.放大器有電流放大功能D.放大器的增益帶寬積為常數(shù)4. FET共漏（CD）放大器與BJT放大器中的（）組態(tài)性能相似。C jt s C Ti TA. CCC. CB5. 圖2是OTL功放原理電路，該電路最大輸岀功率的理論值為（）W。p c c C.9.6. 接上題。在選擇功率管T1和T2時，每管的集電極最大耗散功率Pcm必須大于（）W C C CA.3.6 B. 1.8 C. .7. 接5題。在靜態(tài)時，OTL功放中與負(fù)

4、載串聯(lián)的電容中的電壓應(yīng)該為（）伏。A. 1.5a B. 3 C. 6 a D. 128. 將圖3電路中的電阻（）換成電容，電路的功能改變?yōu)槲⒎蛛娐贰?9. 如果用電壓比表示用信號流圖畫岀的反饋放大器（圖4）的環(huán)路傳輸T,則T=（）:;Ia.Vi/VfB.Vf/ ViC. Vs /VfD. Vf /Vs10. 在下面4種基本放大器組態(tài)中，電路（）的小信號范圍最小。A. CE放大器* B. CS放大器C. CE差動放大器D. CS差動放大器11. 晶體管特性曲線不能用來 （）。 A.判斷管子的質(zhì)量B.估算晶體管的一些參數(shù)C.分析放大器的頻率特性D.圖解分析放大器的指標(biāo)12. 通用集成運算放大器內(nèi)部

5、電路不具有（）的特性。A.開環(huán)增益高B.輸入電阻大C.深度負(fù)反饋D.輸岀電阻小13. 在圖3所示運放應(yīng)用電路中，稱為“虛地”的點是（）點。c c r c14. 在以下關(guān)于深負(fù)反饋的論述中，（）是錯誤的。A.深負(fù)反饋，放大器增益與晶體管參數(shù)幾乎無關(guān)B.深負(fù)反饋，放大器不易自激C.深負(fù)反饋，放大器中頻段增益穩(wěn)定性很高 D.深負(fù)反饋，放大器的通頻帶展寬15. 差動放大器一端的輸入電壓V=1mV，且差模輸入電壓等于共模輸入電壓，則另一端輸入電壓 V=（）mV23一.選擇題（60分）1. 某放大電路在負(fù)載開路時的輸岀電壓為4V,接入12千歐的負(fù)載電阻后，輸岀電壓降為3V,這說明放大電路的輸岀電阻為 _。

6、A:10千歐;B:2千歐;D:3千歐。C:4千歐;2某共射放大電路如圖8.1.1所示，其中Rb=470千歐，Rc=2千歐，若已知lc=1mA ,VCE=7V,VBE= ,be=千歐，？=50，則說明A:Av=Vo/Vi=V CEV be=7/=10;B:Av=Vo/Vi=-IcRc/V be=-1*2/=-3;C:Av=Vo/Vi=-lcRc/lbRi=;rD:Av=Vo/Vi=-?Rc/be=。3. 為了提高內(nèi)阻信號源與低阻負(fù)載能很好的配合，可以在信號源與低阻負(fù)載間接入A:共射電路;B:共基電路:C共集電路:D:共集-共基串聯(lián)電路。4. 在考慮放大電路的頻率失真時，若Vi為正弦波，則 Vo_

7、o廠A:有可能產(chǎn)生相位失真；-B:有可能產(chǎn)生幅度失真和相位失真；r- C一定會產(chǎn)生非線性失真；D:不會產(chǎn)生非線性失真。前者的運放通常工作在5. 工作在電壓比較器中的運放與工作在運算電路中的運放的主要區(qū)別是,A:開環(huán)或正反饋狀態(tài);B:深度負(fù)反饋狀態(tài)；C放大狀態(tài)；D:線性工作狀態(tài)國 & I. 2葩1. 36. 多級負(fù)反饋放大電路在下列情況下容易引起自激A:回路增益|AF|大；匚 B:反饋系數(shù)太小；C閉環(huán)放大倍數(shù)很大；D:放大器的級數(shù)少。7. 某電路有用信號頻率為2kHz，可選用 _。I12 A:低通濾波器；B:高通濾波器；C帶通濾波器；InD:帶阻濾波器。8. 某傳感器產(chǎn)生的是電壓信號（幾乎不能提

8、供電流），經(jīng)放大后希望輸出電壓與信號成正比，這 放大電路應(yīng)選_。A:電流串聯(lián)負(fù)反饋；-B:電壓并聯(lián)負(fù)反饋；C:電流并聯(lián)負(fù)反饋；D:電壓串聯(lián)負(fù)反饋。正弦波振蕩電路如圖所示， 。A:該電路由于無選頻網(wǎng)絡(luò)不能產(chǎn)生正弦波振蕩；-B:該電路由于不滿足相位平衡條件，不能產(chǎn)生正弦波振蕩；C該電路由于滿足條件能產(chǎn)生正弦波振蕩；D:該電路由于滿足條件能產(chǎn)生正弦波振蕩；A:Rc開路;10. 圖所示電路岀現(xiàn)故障，經(jīng)測量得知VE=0,Vc=Vcc故障得可能原因是 。B:Rc短路;AC:Re短路;D:Rb1開路。11. 與甲類功率放大方式比較，乙類 OCL互補(bǔ)對稱功放得主要優(yōu)點是 。A:不用輸出變壓器；B:不用輸岀端大

9、電容；C效率高；D:無交越失真。二.填空計算題（40分）（注:答案清使用加上中文單位。如：歐姆、毫安、微安、伏特、千伏、 赫茲、千赫等）1在三極管多級放大電路中，已知 Av1=20,Av2=-10,Av3=1，總得的電壓增益 Av=_。答案：2. 在差動放大電路中，若Vs1=-8mV,Vs2=10mV,則輸入差模電壓 Vsd為mV。答案：3. 單相橋式整流電路中，若輸岀電壓 V=30V,則輸岀電壓 Vo為_V。答案：4. 如圖8.1.4所示電路中，靜態(tài)時Vo為零.三極管為硅管，VBE=,?=100,試計算Rc的值為答案：5. 如圖 8.1.5 所示電路中，已知 v1=10mV,v2=30mV,求 vo=_.答案：6. 如圖8.1.6所示差動放大電路中，調(diào)零電位器RP的動端處在中點位置，已知?1=?2=50,VBE仁VBE2=,其他參數(shù)如圖所示.求靜態(tài)工作點IB=。答案：7. 如圖8.1.6所示差動放大電路中，調(diào)零電位器RP的動端處在中點位置，已知 ?1=?2=50,VBE仁VBE2=其他參數(shù)如圖所示 .當(dāng)Vs仁Vs2=-10mV時，求Vo=_。答案:8. 在差動放大電路中，若Vs1=-8mV,Vs2=10mV,若差模電壓