此文檔收集于網絡，如有侵權，請聯系網站刪除 MEMS濕法腐蝕工藝和過程 摘要：通過光刻膠或硬掩膜窗口進行的濕法化學腐蝕在MEMS器件制造的許多工藝過程中大量存在。本章針對400多種襯底和淀積薄膜的組合介紹了800多種濕法腐蝕配方, 著重介紹了在大學和工業界超凈間中常見的實驗室用化學品。另外給出了600多個有關選擇或開發制造MEMS器件的新配方的文獻。也給出了近40個內部整合的材料和腐蝕特性的圖表，方便讀者迅速尋找和比較這些配方。有關目標材料和腐蝕特性的縮略語為方便比較都進行了統一。腐蝕速率和對其他材料的腐蝕選擇性也給出了。除了重點討論在MEMS領域常用的硅和其他常用材料外，III-V化合物半導體和更新的材料也有涉及。本章討論主題涉及濕法腐蝕原理與過程；整合濕法腐蝕步驟的工藝方法；濕法腐蝕過程的評估和開發及側重安全的設備和向代工廠轉移的預期；氧化物，氮化物，硅，多晶硅，和鍺各向同性腐蝕；標準金屬腐蝕；非標準絕緣介質，半導體和金屬腐蝕；光刻膠去除和硅片清洗步驟；硅化物腐蝕；塑料和聚合物刻蝕；硅各向異性刻腐蝕，體硅和鍺硅自停止腐蝕；電化學腐蝕和自停止；光助腐蝕和自停止；薄膜自停止腐蝕；犧牲層去除；多孔硅形成；用于失效分析的層顯；缺陷判定；針對濕法化學腐蝕的工藝和過程，給出了幾個實際的案例。對器件設計人員和工藝研發人員，本章提供了一個實際和有價值的指導，以選擇或發展一個對許多類型MEMS和集成MEMS器件的腐蝕。 8.1引言 很少有微機械化或集成化的器件是在沒有進行一些濕法化學處理的情況下開發或制造的。不管器件是否是電氣的，機械的，電子的，集成的，光學的，光電子學的，生物的，聚合的，微流控的傳感器或執行器，有關這些器件的制造工藝或過程的替換決定將對最終的技術和商業成功有重要影響。這些器件通常在硅襯底、化合物半導體、玻璃、石英、陶瓷或塑性材料上制造，可能涉及在這些材料上淀積一層或多層薄膜并光刻和腐蝕。這些層和淀積順序受工藝和用于開發和制造該器件的工藝單元限制，隨著層數的增長變的越來越復雜和相互影響。 濕法腐蝕是使用液態腐蝕劑系統化的有目的性的移除材料，在光刻掩膜涂覆后（一個曝光和顯影過的光刻膠）或者一個硬掩膜（一個光刻過的抗腐蝕材料）后緊接該步腐蝕。這個腐蝕步驟之后，通常采用去離子水漂洗和隨后的掩膜材料的移除工藝。濕法腐蝕可替換工藝包括干法刻蝕，即使用一種或多種低壓力的反應氣體，采用RF感應激勵后進行反應，然后再將反應生成的氣態物質抽出。非等離子干法刻蝕，例如雙氟化疝或氫氟酸的酸性蒸氣腐蝕，擁有各向同性濕法腐蝕的諸多特性，該腐蝕通常在一個有限的腔室內完成。 近乎所有IC,MEMS,MOEMS,MST和NEMS類的器件的產生都很可能與一些濕法腐蝕工藝有關。整個工藝流程可被描述為一系列步驟或者序列，這些濕法腐蝕常用于選擇性的去除淀積薄膜的一部分，剝去諸如硬掩膜和光刻膠等特定的材料，為以后的加工清洗和準備襯底，去除犧牲層和部分襯底，以及形成三維結構。一個濕法腐蝕工序需要考慮如下一些因素，包括有效的腐蝕劑，腐蝕選擇性，腐蝕速率，各向同性腐蝕，材料的兼容性，工藝的兼容性，花費，設備的可用性，操作人員的安全，技術支持和適當的廢物處理。 盡管器件設計者，工藝設計師，或者制造商在工藝允許的情況下可能偏向使用一個完整的干法處理流程，但是許多標準的處理步驟例如光刻膠的顯影和圓片清洗仍然濕法的。與干法刻蝕相比，濕法腐蝕工序在成本，速度，性能發面更有優勢。干法刻蝕的仿真還不可用，如常用的微結構的選擇性鉆蝕或與晶向相關的腐蝕仿真等。相比濕法腐蝕，人們可能更傾向于選擇干法工藝，在一個裝備好的工藝線或者如果濕法腐蝕效果不好的情況下尤其如此。不管怎樣，對濕法加工來說，其優點是器件可以在相對低成本，低勞務管理費用或者低的技術支持下開發和制造。考慮到干法刻蝕要求在一個昂貴的等離子區或者RIE腐蝕系統里有長的腐蝕時間，濕法腐蝕變得特別有吸引力，需要同時處理整盒圓片（25片裝圓片盒）或更多的圓片時，濕法腐蝕在成本和時間上的效益更突出。 不管選擇干法還是濕法加工工藝，總是強烈受到在特定的加工環境下設備的可用性及對開發者有用的工藝限制。成功的設計者，開發者和制造商幾乎總是使用或修改趁手的工藝。除非是必須開發新工藝，安裝新設備，或者取得新的工藝技能，一般總是避免額外的需求。理解什么時候要應用干法和濕法這兩個工藝并且在可能的情況下使用標準工藝是很重要的。表8.1總結比較濕法和干法刻蝕之間的一般注意事項。 表8.1濕法和干法刻蝕之間一般比較考慮干法刻蝕濕法腐蝕1存在腐蝕高高2腐蝕速率適中，可變高，可變3腐蝕均勻性適中，可變適中，可變4材料選擇性低，可變謹慎選擇下高5圓片產量適中高6掩膜選擇性適中，可變謹慎選擇下高7使用光刻膠掩膜高某些情況下不能用8光刻圖形分辨率高適中9背面襯底暴露低高10腐蝕可靠性高適中；采用自動化可改進 11腐蝕重復性高適中；采用自動化可改進12培訓和維護適中低13操作者暴露于化學品低適中14單位工藝成本適中低15設備成本高低16設施成本高低 本章開始對濕法腐蝕的原理及工藝過程等進行了概述，然后一節討論濕法腐蝕設施和工藝為本地和遠程用戶服務的評價和開發應用。接下來的兩節介紹在人工和實際部門中采用IC兼容材料和非標準材料的濕法腐蝕工藝，IC兼容材料已經被集成電路制造商普遍接受，非標準材料可能需要單獨或專用設備，設施，后處理或其他特殊考慮。其他部分包括硅的各向異性腐蝕和腐蝕自停止，采用濕法腐蝕液的犧牲層去除，多孔硅形成，及分層濕法腐蝕和缺陷測定濕法腐蝕。濕法腐蝕技術和工藝的進一步討論中可以在許多優秀的書籍和期刊1-30中找到。 8.2濕法腐蝕原理和流程架構 在典型的工藝和制造流程中，半導體和MEMS加工的許多工藝都可歸類為淀積，光刻和腐蝕三類工藝。淀積工藝可能包括某些添加工藝如外延式生長，電子束蒸發，濺射，化學氣相沉積（CVD），低壓化學氣相沉積（LPCVD），有機金屬化學氣相沉積法（MOCVD），等離子增強化學氣相沉積（PECVD）或者包括其他工藝，如熱氧化或離子注入。光刻工藝一般包括旋涂光刻膠和采用接觸對準機，步進機，或使用規定的光致抗蝕劑厚度和曝光時間的電子束光刻機系統的曝光。尤其在薄膜高度變化大的情況下，光刻膠厚度和曝光時間可根據需要進行調節，以確保獲得足夠的特征線條。腐蝕步驟一般基于等離子體或反應離子刻蝕。在干法刻蝕不可用或對一個特定的腐蝕工藝不恰當時，可以在流程中引入濕法腐蝕。通常是設計或開發一個MEMS器件時選擇一個特定的濕法或干法刻蝕工藝，盡管當設備升級或轉移到另一加工平臺時這個選擇可能被修改。 如圖8.1所示，對MEMS器件來說，已經有多種可用的或研制出來的工藝方法，如完全集成或完全定制的工藝，半定制或標準的MEMS工藝，其他已成熟工藝的變種，多個工藝平臺上的工藝單元模塊等。完全集成的MEMS流程可基于已建立的CMOS，BiCMOS工藝，或化合物半導體工藝。完全定制的流程一般是一個專用的工藝，掩膜次數極少，主要用于原型，最初的生產，或高產量的器件。半定制流程包括面向特定器件的MEMS工藝，該工藝可能位于集成電路工藝之前或之后，也可能是圓片級也可能是芯片級。標準MEMS工藝包括可靠的單層和多層多晶工藝，金屬工藝，SOI或LIGA工藝，以及多用戶和多器件工藝。工藝變種包括對已定型工藝相對輕微的調整，如起始材料的變化，薄膜厚度或腐蝕深度的微小變化，從一個標準的流程中消除無關光刻步驟。對于那些愿意將圓片在多個制造平臺之間傳遞的人來說，工藝單元模塊可能在一到多個具有專門加工能力的小工藝平臺加工。這些平臺在諸如薄膜沉積，外延生長或離子注入，光刻和腐蝕，化學機械拋光，和后道工藝切割和包裝等方面有專長。 如果需要，完全集成的和標準的MEMS工藝往往提供給用戶選擇任何腐蝕劑的決定權，因為這些加工工藝在一個特定的平臺中已建立并規范化了。用戶可能不知道或不需要知道這些腐蝕工藝的詳細信息。一個完全集成的工藝范例是將集成電路工藝與認可的兼容MEMS工藝混合在一起。全定制的MEMS工藝選擇濕法和干法刻蝕工藝最自由，對于早期的器件開發，器件只需要幾個光刻版，非常高產量的器件尤其如此。半定制工藝允許MEMS工藝放在已經制造的有源器件（即CMOS）工藝之前，更多放在之后，給開發人員選擇濕法或干法刻蝕工藝的機會，以滿足特定的薄膜刻蝕的要求。工藝變化可包括對腐蝕步驟進行修改，以滿足薄膜腐蝕的要求。工藝單元的用戶在濕法工藝的選擇和使用方面最有發言權。 圖 8.1 針對MEMS器件的工藝方案，包括全集成工藝、對標準集成電路或MEMS工藝的修改、半定制和全定制工藝、標準（如多器件和多用戶）MEMS工藝及工藝單元。濕法腐蝕工藝可以由所選工藝方案決定，對適合標準和全集成工藝的器件尤其如此。特殊的濕法腐蝕工藝可能需要選擇工藝參數、半定制、全定制或工藝單元。許多公司提供代工服務，代工范圍包括從任何地方單步加工工藝、工藝模塊到成熟的已建立流程。一些較大的代工廠提供MEMS服務，如有變更，請參考文獻31。例如，用戶可能會提交一個CAD設計到外包服務，該服務可以提供對各種材料的頂部進行多層電鍍形成多層金屬結構32。通過網上搜索，或與行業專家和代工廠的代表交流可以找到一些提供工藝單元的代工廠。圖8.2 濕法腐蝕選擇和開發原則包括：確定有效性，顯示出重復性和可靠性，如果可能采用已有工藝，確保工藝兼容和評估成本 選擇濕腐蝕工藝模塊需要多方面的考慮，其中一些如圖8.2所示。對特定器件的一般工藝流程開發之后，腐蝕工藝要進行評估看是否應該是濕法或干法刻蝕。 濕法腐蝕的第一選擇原則是，基于腐蝕選擇性，腐蝕速率，側壁上的工藝要求確定候選的腐蝕液或腐蝕工藝的有效性。選擇性必須足夠高以便在對掩膜材料損傷最小的情況下能刻蝕所想要刻的材料，并且任何暴露出來的要刻蝕材料必須被刻干凈。在可能的情況下，腐蝕速率應選擇在2-5分鐘左右完成腐蝕：腐蝕時間要足夠長以便將插入圓片和潤濕的影響降到最小，時間又要足夠短，以保持工作流程恰當和降低工藝單元成本。專用腐蝕，如犧牲層腐蝕或襯底的各向異性刻蝕，可能需要幾個小時或更長時間。 選擇濕法腐蝕時，側壁可以是一個重要的考慮因素。濕法腐蝕和干法刻蝕相比，能顯著鉆蝕掩膜圖案。在濕法腐蝕中，精細線條，如相鄰線和間隔等可能會完全消失。對暗場掩膜來說，鉆蝕也會導致器件特征尺寸變寬，影響設計規則，并在某些情況下限制了芯片尺寸。在某些情況下，一般用濕法腐蝕產生的斜側壁是有利的，它能允許后續薄膜沉積和圖案有更好的臺階覆蓋。 濕法腐蝕的第二個選擇原則是，可證明重復性，可靠性，濕法腐蝕的魯棒性。舉例來說，一個挑剔的腐蝕工藝要求操作者特別關注，甚至輕微的腐蝕變化就可以毀掉整個工藝。一個良好的濕法腐蝕工藝必須有過腐蝕的能力，允許5-15或以上的過腐蝕余量，同時對器件性能和產量的影響微乎其微。一個理想的濕法腐蝕有自停止特性的過腐蝕能力，對其他暴露材料有近無限的選擇性。腐蝕工藝的一個更有利的優點是對操作者控制的腐蝕有一個可見的腐蝕終止點和能在線驗證被腐蝕薄膜或底膜的薄膜厚度，這確保了所選材料在目標區域內徹底被腐蝕掉。 濕法腐蝕通常對腐蝕溫度，腐蝕液濃度，以前的使用量，腐蝕劑年齡，腐蝕劑的蒸發或在腐蝕液中的稀釋，腐蝕劑要腐蝕的晶圓數量、包括基板背面的暴露面積的百分比，特征尺寸，薄膜的成分，薄膜形貌，退火歷史，表面污染，表面殘留物，孵化時間，攪拌，室內照明，對每一個可靠的腐蝕工藝控制的認真態度等都敏感。 如果腐蝕太慢；對其他掩膜材料和襯底的選擇性不足；缺乏均勻性;針對后續襯底加工存在污染問題;產生不想要的化合物；殘留物，或蝕點；引起裂縫，腫脹，脫皮，或掩膜層的過度鉆蝕；或需要笨重的存儲，處理， 處置，安全和設施考慮，可以考慮取消用該腐蝕液。雖然濕法腐蝕可能提供比干法刻蝕更高的對掩膜材料的選擇性，但他們也可能對膜的組成和退火更敏感。 濕法腐蝕的第三個選擇原則是盡可能地使用現有的工藝。加工中心一般都會有某些材料(如二氧化硅)和金屬(如鋁)的濕法腐蝕能力，針對所要的薄膜厚度，可以根據需要適當修改工藝參數。對特定的工藝如襯底的各向異性腐蝕可能有專用的腐蝕槽位。對某些特殊的腐蝕要求，如廣泛使用的犧牲層腐蝕，聰明的做法是修改現有工藝和設備，只需實現所需的腐蝕特性。那些已經開發出專用腐蝕液以制造某個器件的人員知道要進行開發，特性檢測和規范化專用腐蝕液需要花費大量的時間和精力。 濕法腐蝕的第四個選擇原則是確保與器件加工及要開發器件的加工中心的其他方面的兼容性。通過圓片傳遞路徑或公共承片臺和腐蝕槽的圓片操作可能產生的和其他器件，設備和工藝的交叉污染將對其他器件產生不期望的損害。開發人員需要確保在一個特定的器件工藝流程中后續工藝是兼容的，要考慮后續淀積工藝的臺階覆蓋和光刻膠旋涂，易碎器件的操作，切片要求和封裝需求。 在考慮到上述濕法腐蝕選擇的原則之后如存在多個選項，下一步就是要考慮開發，制造和技術轉讓，設備和設施的維護，與地面空間的高度，工藝控制，和供應相關的所有成本。使用現有的設施內的已有工藝的成本一般最低，因為現有工藝腐蝕費用通常是最合理的，不需要花費額外的資本或開發努力。 那些已經開發或正在開發的半導體或MEMS器件的人認識到加工工序和器件設計之間需要廣泛的互動。如果腐蝕工序不能進行調整以達到預期的效果，針對整個工藝方案的的調整可能會有所幫助。另外，器件設計可以經常進行調整，以容納腐蝕或其他工藝過程的不當限制。8.2.1表面反應和反應物/副產品傳輸 腐蝕系統通常由腐蝕燒杯或大小足以垂直地容納一個或多個圓片的水槽組成，在一個腐蝕周期中圓片完全浸在腐蝕液中，如圖8.3所示。可包括加熱器，熱電偶和攪拌器。水槽往往有用于維持酸/堿中和系統的排水管，一個專用的氫氟酸收集系統，或溶劑收集箱。 腐蝕液可用外部的化學品儲存設施從腐蝕瓶或永久安裝的輸送系統倒入水槽。對所用的腐蝕液而言腐蝕槽和液體分布系統是由惰性材料構成的，如全氟烷基（PFA），阻燃聚丙烯（PP），高密度聚乙烯（HDPE），聚四氟乙烯（PTFE或Teflon特氟龍），模壓聚偏二氟乙烯（PVDF），或石英27，33等。不銹鋼腐蝕槽偶爾也適用于溶劑，有時也適用于氫氧化鉀的腐蝕劑。 PFA腐蝕槽和支架可用于氫氧化鉀腐蝕。為了安全和溢出控制，腐蝕槽可放置在另一個水箱或水槽內。為了保護操作者，水箱及水槽通常要用安裝在濕法工作臺上的防濺出的架空廢液收集裝置連接。 圖 8.3 腐蝕槽(a)用于存放腐蝕液，經常有一個加熱器，熱電偶，攪拌器和用于排出腐蝕劑的閥門。一個單獨的漂洗槽(b)允許在晶圓旋轉或吹干燥前用去離子水充分地沖洗晶圓。 一個專用的支架或放有包含碳纖維，聚丙烯，全氟烷基，聚四氟乙烯或Teflon特氟龍，聚偏氟乙烯，或石英的PEEK的暗盒（未畫出），在腐蝕和沖洗過程中可用于晶圓傳輸。 濕法工作臺上可能有定時器，燈和風扇開關，加熱控制器，報警系統，和一個或多個專用的腐蝕清洗池和漂洗槽。 漂洗槽也有類似的構造而且有豐富的去離子水噴霧或泡沫噴灑在晶圓上，稀釋和去除晶圓上的腐蝕液。 漂洗池在水箱底部可能會有下拉門用來在多個傾倒沖洗周期中迅速排出漂洗水。一些腐蝕工序要求晶圓腐蝕和漂洗要在同一個池中（即稀釋沖洗），然而晶圓從腐蝕池到沖洗池一般都是通過手動或自動臂來運送的。晶圓支架或暗盒還必須對腐蝕劑沒作用而且通常專用于特定的濕法工作臺或腐蝕工藝以避免交叉污染的可能性。 液體腐蝕工藝的通用模型如圖8.4所示。當在腐蝕液中的反應物與被腐蝕材料暴露在外的表面化學反應時發生腐蝕，同時伴隨著又重新溶解到腐蝕液中或以氣體形式釋放的副產品。腐蝕速率受在腐蝕液中反應物的濃度，擴散到裸露表面的反應物的局部運輸，腐蝕液和正在刻蝕的材料之間的分界面的反應速率，表面上的反應產物的去除率及在刻蝕池內的反應產物的濃度等多方面影響。 在液固界面的反應更是出奇地復雜。腐蝕可能涉及一個復合的氧化還原反應，先產生正在被腐蝕的材料的氧化物質，然后被腐蝕掉讓新鮮的材料暴露，該過程連續進行實現腐蝕。 二次效應可能發生，有時甚至占據主導地位，如從一個高深寬比特征的界面或從非潤濕掩膜材料上產生的水蒸氣壁壘。不需要的副產品，如鹽殘余物或在刻蝕表面形成的其他固體構成物，能產生腐蝕壁壘，這些壁壘減緩甚至能停止腐蝕。當氣泡一直黏著在表面時，氣體的局部演化能產生一個減緩腐蝕速率的微掩膜效應，從而導致形成粗糙的表面和可能的小丘形狀的構成物。當晶圓部分清洗，然后重新插進伴有不充分的攪拌的腐蝕池中時，疏忽，局部腐蝕速率減少等可能會出現帶有粘性或低溶解度的腐蝕劑。 為了達到增強腐蝕速率的目的，往往通過：增加反應物的濃度，在高溫下進行腐蝕，使用攪拌器以協助腐蝕流，改變腐蝕池來得到新的腐蝕液和排出累積的副產品，并盡量減少可能發生直接接觸晶圓的支架或接近另一個晶圓的腐蝕障礙物。一般模型的速率限制方法通常需要確定增強哪項最具影響。盡管通過精心挑選的腐蝕劑和腐蝕劑濃度而得到適度的腐蝕速率，并在室溫下腐蝕往往最方便和最安全，但增加腐蝕液的溫度通常會導致更快的腐蝕。 幾乎所有的濕法腐蝕，包括各向異性腐蝕，當使用覆光刻膠或有圖案特征的硬掩膜層時都存在某鐘程度的鉆蝕。一個理想的刻蝕，最好實現方法是干法刻蝕而不是濕法腐蝕，可以把光刻圖形特征轉換成具有較高的保真度和最小的特征失真的腐蝕層。濕法腐蝕由于其固有的腐蝕任何暴露的表面的特性，在底部會以相似的速率腐蝕側壁。各向同性腐蝕產生一個橫向的鉆蝕距離，大小和腐蝕深度相同，這將產生一個如圖8.4所示的有著大約與左手邊的側向圖的刻蝕深度相等的曲線。鉆蝕可以通過設計補償掩膜或電子束直寫工具上的相應功能的寬度調整的方式來得到補償。鉆蝕問題可以采用具有更垂直和最小橫向刻蝕速率的干法刻蝕來代替濕法以減小對精細線條特征的影響。用各向異性材料或各向異性腐蝕劑，側壁輪廓變得更加棱角分明。對于各向同性的情況下，當腐蝕劑腐蝕到底層的腐蝕停止層時，腐蝕劑會有很少的局部消耗而且橫向腐蝕變得更迅速，這往往能得到平整的側壁。圖 8.4 通過掩膜層腐蝕到底層腐蝕停止層的液體傳輸機制示意圖。 腐蝕劑中提供的反應物與暴露部分的被刻蝕層不均勻地反應，導致該被刻蝕層產生一個或更多重新溶解在腐蝕液中或以氣體形式釋放的副產品。不足的反應物或副產品的過度集中會不規則地減緩腐蝕，尤其是緊湊的幾何結構更明顯。對大多數薄膜和非晶材料，反應是各向同性的，從上表面看顯示出圓角，從側面側壁看的腐蝕剖面顯示圓形腐蝕坑。當腐蝕到底部的腐蝕停止層，反應物消耗減小，橫向腐蝕加快，造成一個更加棱角分明，更平坦的側壁。具有高內應力的掩膜層或在上表面具有偏離形貌的腐蝕層將使掩膜層和腐蝕層之間的界面處腐蝕明顯加快，這將有效地加快鉆蝕。掩膜層的缺陷可能會導致不必要的局部腐蝕。圖示為暗視場的掩膜層；盡管腐蝕的材料的量通常更大，亮場掩膜層也會發生類似的影響和現象。其他現象如高張應力掩膜層可能造成在圖形開口附近的掩膜層有輕微的分離，這將導致在刻蝕過程中掩膜層會有輕微的剝落。這種剝落會加速分界面處的鉆蝕和產生如圖8.4中心附近的所示淺角度側面形貌。當長寬比（相對掩膜厚度的鉆蝕距離）增加時，壓應力掩膜也可能會通過機械屈曲產生抬升，這進一步增加了腐蝕速率。 橫向腐蝕速率可以通過修改腐蝕層的特征的方式加速，如降低薄膜的頂部或底部的密度，在頂表面附近產生的高的缺陷密度，或局部注射高濃度的雜質。在腐蝕較深或在需要廣泛的橫向腐蝕的情況下，腐蝕劑可能局部受約束和耗盡，從而減少局部的刻蝕速率。掩膜層的缺陷，如小顆粒，可使腐蝕劑沿顆粒蔓延或通過一個開放的掩膜缺陷明顯的移動來不明顯地刻蝕底層材料，示意圖如圖8.4右側所示。 8.2.2 腐蝕劑的選擇性和掩膜考慮 對濕法腐蝕工藝的選擇和評估的一個主要考慮是腐蝕的選擇性，選擇性定義為要腐蝕材料的腐蝕速率與掩膜或底層材料的腐蝕速率的比值。雖然可以證明選擇比低至1或更小也可用于薄膜腐蝕，但100或更高的腐蝕選擇比是更可取的。盡管由于底層材料在過腐蝕階段通常只暴露在溶液中很短的時間而很少關注，在腐蝕過程中針對停止層或其他暴露層的腐蝕選擇性也可能有其重要性。正如在圖8.5 的圖示中描繪的那樣，更高的腐蝕選擇性，通常允許更薄的掩膜層，更深的腐蝕，更薄的腐蝕停止層，以及更好的過腐蝕能力。 腐蝕劑的選擇也許要通過掩膜層來決定，反之亦然。掩膜層阻止腐蝕劑到達覆蓋過的表面而且必須在刻蝕的過程中保持住。厚的掩膜層可以增加可實現的刻蝕深度。掩膜層在刻蝕過程中也可能產生一定程度的橫向腐蝕。這種掩膜圖形的變化可以通過掩護設計時對亮場或暗場掩膜圖形自動添加或減去一個合適的數額來補償。隨著時間的推移，濕法腐蝕劑可能會吸收到掩蔽層中，使其膨脹，開裂，或可能的抬升，從而在意想不到的區域暴露刻蝕層。必須注意襯底背面的薄膜的狀態，因為這部分以及襯底的邊沿一般都直接暴露在腐蝕劑中。通過將光刻膠涂在背面，在背面放置抗腐蝕保護層或使用在腐蝕過程中能限制背面暴露的專用裝置來提供額外的保護。圖 8.5 隨著相比掩膜層或腐蝕停止層的腐蝕液的選擇比增加，掩膜厚度可以更薄，可實現的刻蝕可更深，刻蝕停止層可更薄，而且過腐蝕可更長 如圖8.6所示，在恰當的選擇抗腐蝕掩膜層時需要考慮許多因素。主要考慮是現有的或標準的工藝對器件來說是否適當。由于建立一個新的腐蝕工序需要考慮成本和時間，最好的辦法通常是采用基于光刻膠的標準腐蝕工藝，該工藝可能包括如下步驟：旋轉，預烘，曝光，顯影，后烘，腐蝕，沖洗，干燥和去膠。基本的光刻膠工藝一般都是集成電路兼容的，具有很少的污染風險，提供更好的分辨率，相比于那些可能使用初始光刻膠圖案和腐蝕工藝形成硬掩膜功能的硬膜工藝來說，有更好的特征尺寸控制。光刻膠掩蔽工藝，一旦在加工中心裝備，將降低開發一個新的腐蝕劑的成本。一般光刻膠工藝提供更低的工藝單元成本，包含較少的工藝步驟，整個工藝時間較短，在大多數情況下提供更好的臺階覆蓋，而且在晶圓上旋涂比在晶圓上淀積薄膜來作為硬掩膜層更快。 圖 8.6 使用硬掩膜或光刻膠掩膜的考慮和結果表明：除了需要較高的抗腐蝕能力，更深的腐蝕，或襯底背面保護之外，光刻膠掩膜是一般的選擇在需要的時候光刻膠工藝往往可以按MEMS器件的要求進行修改。例如，可以用更厚的光刻膠簡單的通過放緩旋轉速度或選擇不同的具有較高的粘度和固體含量的光刻膠的方式來改善臺階覆蓋。有時通過增大后烘時間或對負性光刻膠加強UV曝光等方法增強光刻膠掩膜的抗腐蝕特性。在小心的處理和對工藝流程的考慮之后，光刻膠可能會在晶圓的背面旋涂來提供任何必要的掩蔽或背面保護。類似的，背面光刻工藝一樣可以通過對晶圓正面旋涂光刻膠來提供腐蝕保護和腐蝕期間正面的防劃傷保護。 8.2.3直接腐蝕和剝離技術 當一些難以腐蝕的材料，如貴金屬或幾種金屬層需要光刻的時候可能需要剝離技術，此時直接腐蝕是不合適的。 剝離技術是首先在襯底基板上形成一個光刻后的光刻膠層，然后在該圖案層直接用諸如電子束蒸發沉積阻擋層金屬，而不是在已經沉積阻擋層金屬的圓片上旋涂和光刻光刻膠，再直接腐蝕（見圖8.7）。 用某些特定方法剝離光刻膠，例如在裝有溶劑的超聲波槽中，通過超聲振動，所選材料與襯底接觸的地方保留，其余在光刻膠上的浮離或通過沖洗，刷，吹等或從襯底除去。由于在剝離前薄的沉積材料在光刻膠側壁存在，導致剝離過程中可能會出現邊緣鋸齒狀。改進的的剝離技術使用一種相對較薄的兩層抗蝕劑系統，上層的光刻膠抗抗顯影能力強些，下層抗抗顯影能力弱些。 當光刻膠系統曝光及顯影，小的懸浮物出現在下層上方，這將使后續的濺射或電子束沉積薄膜變窄。請注意，對剝離工藝來說，光刻膠圖案是反轉的（即用于直接腐蝕正確的亮場掩膜，在剝離工藝中需要暗場）或采用負性光刻膠。 另外，在精心挑選薄膜疊層后也可實現增強的剝離技術。 圖 8.7 對某些材料，剝離技術可以替代直接腐蝕，因為這些材料難以腐蝕或者腐蝕劑對其他暴露的材料沒有足夠的選擇性。傳統的腐蝕，如（a）是直接腐蝕暴露的材料，留下未腐蝕的掩膜材料。一般剝離工藝是將需要被去除的材料放置在形成組成圖案的光刻膠頂部并且一起置于襯底上方，如圖（b）所示，底下的光刻膠溶解后就不需要直接腐蝕材料了。在光刻膠側壁或剝離層上的沉積材料已證明難以清除干凈，并可能導致不必要的細線和微粒。在（c）圖中，增強的剝離工藝有一個復合的光刻膠層，其中上方薄光刻膠比下層光刻膠對顯影劑更抗蝕，這樣，產生了一個懸浮邊界以盡量減少側壁沉積和提高腐蝕的穩定性。8.2.4 犧牲層去除對于直接濕法腐蝕或干法刻蝕來講，犧牲層腐蝕是一種特殊的挑戰。犧牲層置于結構層下方，其特征諸如錨區開孔，凹陷，側壁剖面，薄膜厚度和通過薄膜一步步疊加構造結構層。選擇性地去除犧牲層一般通過使用液體腐蝕劑進行大范圍的橫向鉆蝕，并留下部分或更多的獨立的不需要依靠支撐物的部分而完成。犧牲層腐蝕劑對結構層和其他裸露、需要長時間犧牲腐蝕的材料來講必須具有極高的選擇性。缺乏合適的選擇性腐蝕劑將限制可達到的鉆蝕距離并且會限制用于結構層的材料選擇。成功的犧牲腐蝕工藝一般有高過腐蝕能力，使操作者確保能完整去除犧牲層，并使設計師能將短鉆蝕時間和長鉆蝕時間結構應用在同一個器件上。犧牲層去除通常在相對短的向下刻蝕后開始大量的橫向鉆蝕。橫向腐蝕通常在平面內所有的方向各向同性。如8.1 節所述，腐蝕劑會因反應物不足而報廢或對許多要腐蝕產品有害，同時也會減少本來的腐蝕速率。應該放置專門設計的幾何圖形以便使所有部分結構在幾乎相同的時間釋放；然而，即使鉆蝕時間有很大不同，一個強有力的腐蝕劑，犧牲層和結構層組合要保證結構形成中的保真度。在腐蝕過程中，錨定的形狀需要保持固定，犧牲層腐蝕劑不能使結構層從基片分離。腐蝕完成后，很容易檢查的測試結構或器件的功能可以驗證腐蝕過程。用于增強犧牲層腐蝕工藝的性能的方法已能得到加強。例如，對結構層腐蝕孔設計規則的仔細選擇和遵守允許使腐蝕液可以局部接觸犧牲層，減少了徹底釋放犧牲層所需的時間。可以選擇合適的犧牲層以增加腐蝕速率，如快速腐蝕雙層結構，在熱氧化層上重摻雜淀積的氧化層等。一般的濕法腐蝕特別是犧牲層腐蝕需要考慮晶圓背面以便任何沉積的薄膜保持不變，不要在犧牲腐蝕過程中剝落。8.2.5 襯底減薄荷去除濕法腐蝕常用于減薄或選擇性去除襯底材料（圖8.8），主要原因是濕法腐蝕可以大量腐蝕材料，液體腐蝕溶液中濃度很高的反應物遠比低壓等離子刻蝕系統中的反應物多。均勻的襯底去除和減薄一般由帶有化學腐蝕液的物理研磨機制實現，即化學機械過程快速地去除圓片正面或背面的材料。掩膜圖案，如孔，通孔，溝槽，通道和各向異性腐蝕的薄膜等。圓片減薄或襯底腐蝕通常安排在工藝流程的最后，因為圓片隨著減薄越來越易碎，并且嵌入的成本越來越高。圖8.8 濕法化學腐蝕能用于（a）減薄，（b）從背面選擇性腐蝕，或（c）從正面選擇性腐蝕。化學機械拋光或平整化（CMP）將化學腐蝕和機械研磨結合在一起均勻地減薄背面或平整化正面。各向異性腐蝕的薄膜的掩膜圖形，圓片通孔和過孔，或頂部的槽或通道需要合適的腐蝕掩膜，可能是濕法腐蝕也可能是干法刻蝕。圓片變得越來越易碎，在后續的操作或切割芯片時要特別小心。8.2.6 工藝方案的影響濕法腐蝕類型的選擇對工藝方案有直接的影響。正如圖8.9所示，工藝流程一般總結成一系列的光刻次序，每一個包含一個淀積步，一個光刻步，和一個腐蝕步驟。盡管淀積步清晰地由濺射、電子束蒸發、化學氣相淀積、或等離子淀積薄膜組成，但熱氧化、離子注入或起始材料的獲取也包含在此類中。采用光刻版的光刻膠光刻或直寫設備對大部分不管是干法還是濕法腐蝕工藝提供了合適的掩膜。盡管硬掩膜也是用光刻膠光刻工藝制作的，但其可以根據需要獲得更好的抗腐蝕能力。在認真審核所選的腐蝕工藝的順序和類型時，必須考慮到每一次光刻序列要確保在工藝的早期不要包含非標準材料；避免那些來自腐蝕槽、承片夾或腐蝕液本身的污染；僅在關鍵的加工工藝完成后才使用受限制的通風柜或其他濕法腐蝕裝置；掩膜材料限定在光刻膠、標準氧化層、多晶硅和用作硬掩膜的金屬層；當污染必須考慮時，結構層限定在標準材料；腐蝕完成后掩膜材料要容易去除；所選薄膜厚度必須與后續加工工藝包括光刻膠覆蓋等兼容；薄膜腐蝕掉后的臺階覆蓋處不能有殘留的細條或顆粒；不能在總流程中太早產生易碎結構導致圓片操作困難。所有這些說明，聰明的器件設計者和工藝工程師經常共同工作，在實現有成本效益的且技術可行的設計和產品目標方面找到平衡。圖8.9 除有例外，適用于集成電路，微/納機電系統，或集成微/納機電系統器件的流程可以簡化成一系列的掩膜光刻序列，每個序列包含沉積步驟，光刻步驟，和腐蝕步驟。復雜的CMOS和BiCMOS工藝可能有兩打或更多掩膜序列，然而許多僅針對微機械的工藝系統流程掩膜數少于五。每個掩膜光刻序列受前序列影響，并影響到后續的序列。每個序列的順序和選擇往往是器件設計的一部分。為了達到預期的效果，流程步驟或設計可以調整。腐蝕序列和其相關的掩膜層和材料層的執行順序的選擇必須考慮許多問題，包括污染，薄膜厚度局限性，正面和背面加工要求，和襯底操作等。8.2.7濕法腐蝕工藝的開發當考慮一個新的濕法腐蝕工藝的開發時：如果有可能則盡量避免這樣做。一個新的腐蝕工藝可能涉及建立新的設施，安裝新設備，設立新的化學處理和安全規程，獲得購買準證，決定化學品貯存和廢棄處理，建立培訓章程，執行操作人員的培訓，提供系統維護，對某些昂貴的圓片有時要花大量的測試時間。修改一個現有的腐蝕工藝，或最好直接利用現有的腐蝕工藝，是一個高度推薦的替代方案。在許多已建立的實驗室或加工中心，擁有大量基于光刻膠和硬掩膜的工藝與材料是可以被使用或修改的。硬掩膜有時是必要的，然而，盡可能使用光刻膠掩模是最好的考慮方案。如果需要一個新的腐蝕液或需要修改一個現有的濕法腐蝕工藝，有關腐蝕工藝和安全考慮的指導準則可從各種信息源頭獲得，這些信息源包括手冊，用戶指導，設備手冊，制造商的推薦，腐蝕劑供應商，光刻膠制造商，網絡，大學網站，出版物，和從有經驗的用戶或工藝專家得到的專業知識等。為了建立擁有合適的服務、充足的通風、適當的廢棄物處理和受控應用的腐蝕實施，大量的努力是必須的。在加工中心可能需要幾個腐蝕操作臺，以適應不同用戶和不同工序流程的需求。這個加工中心應提供護目鏡，口罩，圍裙，在泄漏情況下裝備安全程序和化學品處理的泄漏車。無塵化學處理工作臺上配備合適的燒杯，大容器，支架和片盒等用于控制污染的專用實驗室器皿。盡管其他材料也可以充當室溫下的腐蝕液裝載物，PFA（可溶性聚四氟乙烯）、PTFE（聚四氟乙烯）或石英制實驗室器皿一般都是最好的選擇。雖然希望在室溫下開展腐蝕加工，但也可在加熱的容器中或在電熱板上的燒杯中的開展腐蝕工藝。濕法腐蝕工藝的開發一般需要消耗大量的晶圓去獲得腐蝕材料層和潛在掩膜層的腐蝕速率，以確定在大量晶圓中對其他材料的選擇性，并開展對腐蝕濃度的變化，溶液的溫度，和其他變量的敏感性研究。相比溶液，濕法腐蝕液需要的沖洗量可能需要考核定型。一個流程的傳遞文稿和操作程序應當被定稿和存檔。濕法腐蝕的光敏特性應受到檢查，可能需要在一個有蓋容器中操作。可能需要適當攪拌以提高腐蝕均勻性。充分去除光刻膠和硬掩膜的工藝必須得到驗證。如表 8.2 所列，各種測試設備可以輔助濕法腐蝕的開發和監測。雖然人類裸眼一般不適合鑒別微小光刻圖形之間的薄膜是否腐蝕干凈，但訓練過的裸眼可以有效地看到許多類似閃亮的金屬薄膜的腐蝕是否完成。通過臨時取出腐蝕液中的晶圓，操作者可以簡單地看到在晶圓的正面或背面大量明顯的特征，觀察到在晶圓上的干涉條紋、顏色或光澤變化，以確定腐蝕是否完成。臨時取出腐蝕的晶圓可觀察到疏水性的變化。然而，過于頻繁地取出晶圓檢查可能會減緩腐蝕，并在某些情況下由于晶圓被暴露在空氣中時可能出現的表面反應導致腐蝕停止。表8.2 用于濕法腐蝕工藝開發的測試設備設備 優點 缺點 1 肉眼 在腐蝕期間可快速檢測 使腐蝕減慢沒有中間的清洗和干燥步驟 許多薄膜不適用 允許腐蝕延續 很難區分不完全腐蝕的進展 提供即時驗證 需要更大面積的特征進行檢查 從腐蝕干凈開始可以計時過刻 需要手工操作 采用測試片驗證好 難以觀測小圖案 2 顯微鏡 容易使用 每次檢查前需要清洗和干燥金屬薄膜和高視覺對比薄膜檢查效果好 透明薄膜是難以評估 可以檢測小的圖案 難以檢查非常精細的圖案 3 帶有深度測量的顯微鏡 深腐蝕檢測效果好視場深度限制導致有限的分辨率大多數顯微鏡可以升級 不適用于透明層 4 橢偏儀 非接觸式 難以檢測小的圖形提供的折射率和厚度 不適合金屬薄膜以及多層膜的適用性有限 5 光學薄膜厚度光譜反射計 非接觸式 檢查前需要清洗和干燥可重復的定量度量 不適合金屬薄膜 適用于結構測試 多層膜的適用性有限 提供的折射率和厚度 6 光學干涉測量的表面形貌儀 非接觸式 檢查前需要清洗和干燥寬范圍的3-D臺階高度 不適合透明薄膜 適用于測試結構 7 機械表面輪廓儀 相對較低的成本 由于探針接觸，污染問題需要重視使用光刻圖形 要求光刻出圖案 8 深度計，機械式 低成本 中等精度可回零到晶片參考面 需要大的圖形尺寸 9 掃描電鏡 高分辨率 需要晶圓碎片或斷面特征破壞性10 FIB /掃描電鏡 精度高 要求光刻圖形原位斷面檢測 破壞性 11 EDS，STEM，光電子能譜，掃描俄歇 提供化學分析 難以檢測小圖形破壞性12 原子力顯微鏡 提供表面結構和小臺階高度 有物理接觸樣品區域小雖然受顯微鏡觀察限制難以確定不完全腐蝕膜的腐蝕速率，但通過光學顯微鏡觀察晶圓，對許多薄膜來說有助于確定光刻圖形區的腐蝕是否完成。用高質量顯微鏡對準襯底表面和腐蝕區域的底部，然后計算顯微鏡機械表盤下的讀數得到高度差，通常可以用于確定深腐蝕深度。為了提高精度，顯微鏡Z形平移臺上可以配備干涉儀讀取器以確定表面焦點之間的距離從而確定腐蝕深度和腐蝕速率。橢偏儀可以有效地用于確定單層和一些多層堆疊的薄膜厚度與腐蝕速率。一種垂直的非接觸式小光斑尺寸光譜儀（例如，NanoSpec34）是確定大多數透明和半透明薄膜腐蝕速率的一個有價值的工具。盡管需要用于接觸表面的探針可能存在污染問題，機械表面輪廓儀（例如，Alpha-Step 35或Dektak 36）在觀察金屬或其它薄膜的腐蝕過程中很有用。機械下垂或深度計（例如Mitutoyo37可用于測量大尺寸、深腐蝕結構，如各向異性腐蝕膜。膠帶，光刻膠筆畫出的線條，或一滴用來涂在待腐蝕薄膜上的光刻膠的應用，有時可以提供合適的特征以確定薄膜厚度以及薄膜腐蝕后的腐蝕速率，盡管特征圖形邊緣往往線條較差難以提供足夠清晰的邊緣。邊緣清晰度的改進，可以用測試或器件掩膜版對測試片或正片進行光刻腐蝕得到。用于深度測量和腐蝕驗證的專用結構可以放在測試和器件晶圓上，強烈推薦在工藝開發、質量檢驗和檢測上使用。分析儀器，如掃描電子顯微鏡（SEM）偶爾用于確定腐蝕速率，但是，它需要橫截面特征并且一般具有破壞性。腐蝕的的剖面形貌可以通過跨晶圓上腐蝕孔位置進行裂開，然后在SEM下查看和測量腐蝕深度后確定。更新的聚焦離子束和掃描電子顯微鏡（FIB /SEM）儀器可以在同一個小腔中進行橫截面檢查。雖然通常需要大的、未光刻的測量尺寸，但XPS和其他化學分析技術也可以用來確定一些材料配置的腐蝕速率。8.2.8 其他考慮和替代品濕法腐蝕工藝，特別是每次使用都需要新配置的工藝很容易產生一定的困難，如錯誤的混合腐蝕劑，采用了不能用的晶圓支架，暫時不可用的服務，和破碎的實驗器皿等。盡管可以新建這個工序以避免這些問題，但這通常需要使用者負責去確保腐蝕工藝成功地進行。以下兩個原則有助于避免無意間發生的問題：在正式進行批量工藝加工前先做一個試驗晶圓或晶圓批中的一小部分，并確保測試結構都位于晶圓或器件上，使腐蝕工藝能立即被證實。對于那些受到一定限制的工藝單元，如濕法腐蝕，表8.3 中提供了一些替代方案。商業代工廠可能完成整個工序流程的加工，它的做法是讓用戶先提交一個設計方案，然后按照方案代工完成晶圓，再將晶圓或封裝好的部分返還給用戶。商業代工廠有時可以提供定制流程或改變部分工藝，盡管可能會需要為一些一次性的工程成本進行額外的談判和付費。有些代工廠會以固定成本執行標準工藝單元如薄膜沉積、光刻和濕法/干法刻蝕，然而定制工藝單元會產生的一些開發成本。工業實驗室提供有吸引力的開發工藝和有限的原始生產。大學的設施，如美國國家納米加工基礎設施網絡（NNIN）的成員，可以讓在每個設施的合格學生和工業用戶使用，或者遠程用戶通過工作人員或當地顧問來執行所需的服務也是一種易于接受的選擇38。一些大學的設施鼓勵工業員工在收費的基礎上在現場工作。在大學的加工設施中，學生和教職員工可以設計器件、開發工藝并在適當的監督下進行研究。政府實驗室和政府資助的項目也可以滿足用戶的要求。貿易團體，網絡和交易所39針對設計服務、工藝單元或由代工廠和實驗室為基礎的完整制造工藝流程而設置的連接用戶需要的中心正在出現。表8.3 濕法腐蝕方案的一般性比較設施模式優點缺點商業代工廠標準工藝流程固定的工藝易設計的修正明確的開始時間可靠的完成時間固定的價格轉向生產支付所用很少或者沒有工藝修正對于少量的晶片或器件代價昂貴工藝知識產權屬于代工廠需要完整的工藝流程定制工藝流程專用的流程固有的面向生產未知的開發成本標準工藝單元更低的成本合格的工序在多個設施上完成工作定制的工藝單元外包開發工藝單元級的資質更高的開發成本更高的單元工藝成本工業實驗室技術員或操作員快速處理內部專業允許低速的原始生產 人員集中資本集中維護費用高受限的轉向生產工程開發革新的工藝先進材料自創知識產權人員集中資本集中維修費用高需要工藝轉讓大學設施工業用戶新器件，新工藝自主知識產權最少的基礎設施嵌入式工程師或技術員建好的設施人員直接操作非常快試驗和器件同時進行需要工作人員承諾成本預算當地顧問建好的設施有經驗的人員可快速技術轉讓援助外部支出花費有限的知識產權的控制學生/教師建好的設施新設備，新工藝經驗豐富的導師內部知識產權需要培訓耗時設備支持設備停機遠程用戶建好的設施有經驗的人員靈活的工藝和材料可能較慢沒有產品外部支出花費政府實驗室內部用戶好的捐贈的設施固定或定制的工藝內部知識產權可變的資助遠程用戶好的捐贈的設施固定或定制的工藝高成本受限制的生產能力8.3 濕法腐蝕設施和工藝的評估和開發對于半導體和微機電系統/納機電系統器件加工來說，濕法腐蝕工藝面臨從一般到其他方面都有的關注：設施，設備，服務，晶圓操作，安全過程以及培訓。由于腐蝕性和有潛在的有害液體的存在，以及需要控制其來源，使用以及處置，還需一些其他的考慮。不論濕法腐蝕工藝是內部開發還是由外部服務提供，以上的關注和考慮都需要被評估。8.3.1 設施要求濕法腐蝕對于設施，維護以及運行人員有著一定的要求。一個典型的設施也許是由很多個實驗室組成的：一個實驗室致力于高潔凈的集成電路加工；第二個實驗室致力于CMOS兼容微機電系統和相關的半導體器件加工；一個一般的實驗室致力于探索和開發非標準器件和工藝。另一個設施也許會指定特殊的區域進行標準（比如硅）集成電路和高潔凈的微機電加工，指定其他的區域用于化合物半導體及金兼容性工藝。第三個設施也許會用化工罩在潔凈室內將濕法化學處理分開來，其中一些特殊的化工罩被用在如下處理：氧化物的腐蝕和光刻膠剝離，氮化物的腐蝕和光刻膠剝離，鋁的腐蝕和光刻膠剝離，進爐前的晶圓清洗（非金屬），非黃金的金屬刻蝕，各向異性腐蝕晶圓，化合物半導體腐蝕，一般性腐蝕（包括黃金），和溶劑加工。還有其他的設施也許除了對于只使用預先準備的化學品和材料有限制，對于各類在潔凈室通風柜內的加工是沒有任何限制的。對于集成電路，微機電系統，納機電系統的濕法化學腐蝕工藝的一些特殊要求用簡短的描述列出如下。8.3.1.1一般設施更衣室-配備實驗室大衣，連身衣，工作服，蓬松帽，排風罩，面部保護，防護眼鏡，護目鏡，乳膠和乙烯手套，鞋子化學品儲存-有小窗口的儲藏柜用于提供新的腐蝕劑，貯存部分的空瓶，正在使用的化工品標簽，以及材料安全數據表化學品處置-臨時儲存有可識別化學品標簽和瓶子內容的空瓶子和使用中的瓶子；存放重金屬腐蝕劑（如金腐蝕劑）的容器的局部處置潔凈室隔間-根據功能和局部或者實驗室范圍空氣過濾和調節的潔凈度控制而成立。局部或者實驗室范圍空氣過濾和調節按顆粒計數分級：10000級（一般更衣區域），1000級（清潔封裝區），100級（一般加工區），10級（光刻以及晶片清潔區域）以及其他更好的級別。濕法腐蝕臺-有著用于清潔處理，半清潔處理，對于污染控制的一般處理的帶通風柜的一個或者多個工作臺。酸中和系統-在排放之前從沉淀物和通風柜中收集，中和酸和堿廢棄物（不是氫氟酸）的自動化系統。煙氣洗滌器-用水稀釋的從排氣罩排出的有害氣體的系統。測試臺-含有用于驗證工藝步驟并完成器件初步檢測的測試和表征儀器。設備報警器-氣體，化學物質，酸/堿中和，煙霧，火災探測，頻閃報警。緊急出口-為了快速的離開實驗室的一個或者多個緊急出口。8.3.1.2 濕法操作臺服務電力-為燈，通風，報警器，熱板，攪拌器，溫度控制器，計時器，濕法操作臺所需的螺線管提