2010 2011 學年學年 一 填空 1 正偏 正脈沖 反偏或電流小于維持電流以下 2 6 雙窄 單寬 120 60 180 3 700 100 4 換相 5 阻容 緩沖 6 大電容 大電感 7 小于 30 度 8 控制角大于 90 度 與晶閘管導通方向一致且大于變流器直流側平均電壓的直流電動勢 大電感濾波 30 度 二 選擇題 1 B 2 B 3 B 4 C 5 C 三 簡答及波形分析題 1 電力晶體管 GTR 可關斷晶閘管 GTO 電力場效應晶體管 MOSFET 絕緣柵雙極晶體管 IGBT GTR 和 GTO 是電流控制型 MOSFET 和 IGBT 是電壓控制型 2 控制角 60 度 波形錯誤 帶續流二極管不可能出現負電壓 可能是續流二極管或續流通道故障 沒能 起續流作用 3 電壓 電流波形 V1 截止 VD2 續流 與 VD3 構成電流通道 輸出電壓為 Ud 電流過零后 VD2 VD3 截止 V2 V3 導通 輸出電壓為 Ud C2 V2 負載 輸出電壓右正左負 4 雙極式 調制波大于載波 控制 1 4 管同 2 3 管斷 調制波小于載波時 控制 2 3 管通 1 4 管斷 5 圖 控制角范圍大于 30 度 6 三 計算題 共 26 分 1 K 0 8 2 Ud 1 17U2cos 1 17 220 cos 30 223 V Id Ud R 223 10 22 3 A IdvT Id 3 22 3 3 7 4 A IT 22 3 3 0 5 12 9 IT AV 1 5 2 12 9 1 57 12 16 A 取 20A UTM 2 3 2 45 220 1017 1618 取 2000V 選擇 KP20 20 2011 2012 學年 學年 一 填空題 一 填空題 1 1 直流側要有電動勢 其極性須和晶閘管的導通方向一致 其值應大于變流電路直流側的平均電壓 2 要求晶閘管的控制角 90 Ud E 主回路中沒有二極管 3 要有足夠大的電感 保證電流 連續 30 35 2 有源 無源 3 1000 100 0 9 4 IGBT 輸入阻抗高 速度快 熱穩定性好 驅動電路簡單 通態電壓低 耐壓高和承受電流大 5 短 路保護 換相過電壓保護 dt di 抑制電路 dt du 抑制電路 緩沖電路 6 單 雙 7 器件換流 電網換流 負載換流 強迫換流 二 選擇題 二 選擇題 題目 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案 C ABD D ACD C B D C B B 三 波形分析題三 波形分析題 1 1 45 28 6 02 0 314 arctan arctan R L 45 min 4 分 2 波形圖 2 1 波形圖 2 V U U d 117 60 cos 100 34 2 cos 34 2 2 3 1 波形圖 2 波形圖 四 計算題 四 計算題 1 cos 17 1 2 U U d Q 取 0 時 則 V U U d 188 17 1 220 17 1 2 或 206V 216V 2 30 時 V U U d 217 866 0 17 1 220 30 cos 17 1 2 V U U TN 3 1063 6 2 2 取 1200V A I I d T 5 11 20 3 1 3 1 A I I T TN 6 14 57 1 2 取 20A 晶閘管型號可以為 KP20 12 五 綜合分析題五 綜合分析題 1 1 30 的位置 3 分 2 續流管 VD 開路 同時 VT5 因丟失觸發脈沖或損壞而無法導通 或 C 相開路 2 1 k 0 6 2 輸出電壓 V kU U d o 96 160 6 0 負載電流 IO A Z U 6 9 10 96 0 六 綜合應用題六 綜合應用題 1 第一個是單極性控制方式 第二個是雙極性控制方式 2 當 ur uc 時 給 V1 和 V4 導通信號 給 V2 和 V3 關斷信號 如 io 0 V1 和 V4 通 如