1、本證半導(dǎo)體：純凈晶體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)體。 常用的有硅和鍺。在外電場(chǎng)的作用下，自由電子定向移動(dòng)形成電子電流；從而破壞晶格間原有的共價(jià)鍵，出現(xiàn)電子的空位，稱為空穴?？昭ㄒ策M(jìn)行位置的相對(duì)移動(dòng)，形成空穴電流。N型半導(dǎo)體：在本征半導(dǎo)體中加入+5價(jià)的元素，（磷，銻，砷）。使導(dǎo)體內(nèi)的每一個(gè)原子周圍除形成共價(jià)鍵之外，有一個(gè)游離的電子，N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子電子，少數(shù)載流子空穴。電子受力移動(dòng)，留下施主雜質(zhì)帶正電 （不參與導(dǎo)電）。 所以，雜質(zhì)半導(dǎo)體，多數(shù)載流子主要取決于雜質(zhì)的濃度。少數(shù)載流子有共價(jià)鍵提供，其濃度取決于溫度。整個(gè)半導(dǎo)體內(nèi)先電中性。當(dāng)達(dá)到平衡時(shí)，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與漂移運(yùn)動(dòng)的作用相等，通過界面的總載流子數(shù)為零，PN結(jié)的

2、電流為0；PN結(jié)交界區(qū)形成一個(gè)高阻區(qū)，稱為耗盡層。 P型半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體+微量正3價(jià)元素，晶格內(nèi)形成共價(jià)鍵時(shí)，少電子而多空穴，即為多數(shù)載流子。電子則為少數(shù)載流子。 雜質(zhì)元素稱為受主雜質(zhì)，在外界能量的作用下形成空穴的移動(dòng)，留下帶負(fù)電的雜質(zhì)離子。主要靠空穴導(dǎo)電，PN結(jié)P型與N型的交界處形成PN結(jié)。交界兩側(cè)電子與空穴濃度差懸殊，產(chǎn)生擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。電子由N向P移動(dòng)，形成P向N的電子電流。交界P,N分別留下（漂移）了不能移動(dòng)且顯負(fù)，正的雜質(zhì)離子，從而形成N向P的自建電場(chǎng)，阻礙了擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，中將達(dá)到二者平衡。擴(kuò)散電容PN結(jié)的導(dǎo)電性正向電壓P接電源高電壓，N接電源低電壓，外加電場(chǎng)與自建場(chǎng)方向相反，阻擋層變窄，促進(jìn)

3、多子擴(kuò)散，PN結(jié)導(dǎo)通。反向電壓N接電源高電壓，P接電源低電壓反向電壓超過0.幾V時(shí)少子基本在電場(chǎng)作用下，形成漂移電流，少子不因?yàn)殡妷鹤兇蠖龆?，反向電流基本不變，即飽和電流。外加電?chǎng)與自建場(chǎng)方向相同，阻擋層變寬，促進(jìn)少子漂移，PN結(jié)截止，電流方向與正向偏置時(shí)相反，稱為反向電流。少子成小電流，反向電流很小。擊穿特性雪奔擊穿（碰撞擊穿）少子能量過大，與原子碰撞，從而形成電子空穴對(duì)。如此連鎖反應(yīng)，反向電流快速增加。電壓超過門限值，PN結(jié)擊穿 擊穿不一定PN結(jié)的損壞齊納擊穿（電場(chǎng)擊穿）原子間的價(jià)電子直接拉出，形成電子空穴對(duì)，反向電流急劇增加。勢(shì)壘電容工作在擊穿條件下，反向電流變化大，電壓卻變化很小，即

4、具有穩(wěn)壓性。穩(wěn)壓二極管二極管的應(yīng)用：限幅電路 門電路三極管的結(jié)構(gòu)及類型無論是PNP還是NPN型的三極管，都包含三個(gè)區(qū)：發(fā)射區(qū)(c)、基區(qū)(b)和集電極區(qū)(e)。 集電結(jié) 發(fā)射結(jié)正向反向正向飽和狀態(tài)放大狀態(tài)反向反向放大截止?fàn)顟B(tài) 三極管的接法： Ie=Ic+Ib(共基極電流放大系數(shù)，共發(fā)射極電流放大系數(shù)) 1：發(fā)射結(jié)(c)重?fù)诫s。三極管的放大作用 2：基區(qū)(e)很薄。 3：集電極面積大。 1：當(dāng)Uce不變時(shí)，輸入回路中的電流Ib與電壓Ube之間的關(guān) 系曲線稱為輸入特性三極管的特性曲線： 2：當(dāng)Ib不變時(shí)，輸出回路中的電流Ic與電壓Uce之間的關(guān)系 曲線稱為輸出特性直流分析：即靜態(tài)分析，基極電流Ib、集電極電流Ic=Ib，Uce。 電容 開路 (先畫出直流通路) 電感 短路 信號(hào)源 短路共設(shè)極的電路： 1、輸入電壓與輸出電壓反相。 2、頂部失真，輸入回路就出現(xiàn)開始失真。（飽和） Uce減小到極限 3、底部失