學(xué)校________________班級(jí)____________姓名____________考場(chǎng)____________準(zhǔn)考證號(hào)學(xué)校________________班級(jí)____________姓名____________考場(chǎng)____________準(zhǔn)考證號(hào)…………密…………封…………線…………內(nèi)…………不…………要…………答…………題…………第1頁(yè)，共3頁(yè)太湖創(chuàng)意職業(yè)技術(shù)學(xué)院《橡膠加工技術(shù)》

2023-2024學(xué)年第二學(xué)期期末試卷題號(hào)一二三四總分得分一、單選題（本大題共20個(gè)小題，每小題1分，共20分．在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，只有一項(xiàng)是符合題目要求的．）1、在考察一種用于儲(chǔ)氫的金屬材料時(shí)，發(fā)現(xiàn)其儲(chǔ)氫容量較低。以下哪種方法可以有效地提高儲(chǔ)氫容量？（）A.形成合金B(yǎng).納米化處理C.引入催化活性位點(diǎn)D.以上都是2、對(duì)于陶瓷材料的增韌方法，以下哪種方法能夠有效提高陶瓷的斷裂韌性？（）A.相變?cè)鲰gB.纖維增韌C.顆粒增韌D.以上都是3、一種新型的復(fù)合材料在航空航天領(lǐng)域有潛在應(yīng)用。為了滿足輕量化要求，應(yīng)重點(diǎn)關(guān)注以下哪種性能指標(biāo)？（）A.強(qiáng)度-重量比B.硬度-重量比C.彈性模量-重量比D.韌性-重量比4、在材料的強(qiáng)化機(jī)制中，細(xì)晶強(qiáng)化是一種有效的方法。以下關(guān)于細(xì)晶強(qiáng)化原理和效果的描述，正確的是（）A.細(xì)晶強(qiáng)化是通過(guò)增加晶體缺陷來(lái)提高材料強(qiáng)度B.細(xì)晶強(qiáng)化會(huì)降低材料的塑性和韌性C.晶粒越細(xì)小，材料的強(qiáng)度越高D.細(xì)晶強(qiáng)化對(duì)材料的硬度沒(méi)有影響5、陶瓷材料的制備工藝對(duì)其性能有重要影響，那么陶瓷材料的主要制備工藝有哪些？（）A.粉末冶金法、溶膠-凝膠法、化學(xué)氣相沉積法B.熱壓燒結(jié)法、常壓燒結(jié)法、反應(yīng)燒結(jié)法C.等離子噴涂法、激光熔覆法、爆炸噴涂法D.以上都是6、陶瓷材料的強(qiáng)度測(cè)試通常采用三點(diǎn)彎曲或四點(diǎn)彎曲的方法。對(duì)于同一種陶瓷材料，在三點(diǎn)彎曲和四點(diǎn)彎曲試驗(yàn)中，得到的強(qiáng)度值是否相同？（）A.相同B.不同C.有時(shí)相同，有時(shí)不同D.取決于加載速度7、在研究一種用于高溫超導(dǎo)的材料時(shí)，發(fā)現(xiàn)其臨界溫度受到多種因素的影響。以下哪種因素對(duì)臨界溫度的提升作用最為顯著？（）A.元素替代B.制備工藝優(yōu)化C.施加高壓D.引入缺陷8、對(duì)于非晶態(tài)材料，其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)決定了其性能。以下關(guān)于非晶態(tài)材料結(jié)構(gòu)的描述，哪一項(xiàng)是正確的？（）A.不存在長(zhǎng)程有序和短程有序B.存在短程有序但不存在長(zhǎng)程有序C.存在長(zhǎng)程有序但不存在短程有序D.長(zhǎng)程有序和短程有序都存在，但程度較低9、對(duì)于高分子材料的老化現(xiàn)象，以下哪種老化方式主要是由于紫外線輻射引起的？（）A.熱老化B.光老化C.化學(xué)老化D.生物老化10、在研究材料的超導(dǎo)性能時(shí)，發(fā)現(xiàn)一種材料的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度受到壓力的影響。以下哪種說(shuō)法是正確的？（）A.壓力增大，超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度升高B.壓力增大，超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度降低C.壓力對(duì)超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度無(wú)影響D.壓力適中時(shí)，超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度最高11、一種新型的電致變色材料在電場(chǎng)作用下能夠?qū)崿F(xiàn)顏色的可逆變化。以下哪種材料類(lèi)別最有可能具有這種性能？（）A.過(guò)渡金屬氧化物B.有機(jī)聚合物C.無(wú)機(jī)化合物D.以上均有可能12、在陶瓷材料的離子導(dǎo)電性能研究中，以下哪種陶瓷具有較高的離子電導(dǎo)率？（）A.氧化鋯B.氧化鋁C.氧化鎂D.氧化鈣13、在研究材料的電學(xué)性能時(shí)，電導(dǎo)率是一個(gè)重要的參數(shù)。以下關(guān)于電導(dǎo)率的影響因素的描述，錯(cuò)誤的是（）A.溫度升高，金屬的電導(dǎo)率通常降低B.雜質(zhì)的存在會(huì)提高金屬的電導(dǎo)率C.晶體缺陷會(huì)降低材料的電導(dǎo)率D.材料的電導(dǎo)率與晶體結(jié)構(gòu)有關(guān)14、在分析一種用于柔性顯示屏的有機(jī)發(fā)光材料時(shí)，發(fā)現(xiàn)其發(fā)光效率較低。以下哪種因素最有可能是限制發(fā)光效率的關(guān)鍵？（）A.分子結(jié)構(gòu)B.電荷傳輸性能C.激子復(fù)合效率D.以上都是15、一種高溫合金在長(zhǎng)時(shí)間高溫服役后性能下降。以下哪種微觀組織變化最有可能是導(dǎo)致性能下降的主要原因？（）A.晶粒長(zhǎng)大B.相析出C.位錯(cuò)密度降低D.元素?cái)U(kuò)散16、一種新型的金屬泡沫材料具有輕質(zhì)高強(qiáng)的特點(diǎn)。以下哪種制備方法常用于生產(chǎn)這種材料？（）A.粉末冶金B(yǎng).鑄造C.發(fā)泡法D.3D打印17、材料的光學(xué)性能在許多領(lǐng)域都有重要應(yīng)用。對(duì)于半導(dǎo)體材料的光吸收特性，以下說(shuō)法正確的是（）A.本征吸收發(fā)生在光子能量小于禁帶寬度時(shí)B.雜質(zhì)吸收對(duì)半導(dǎo)體材料的光電性能沒(méi)有影響C.直接躍遷的光吸收系數(shù)大于間接躍遷D.光吸收與半導(dǎo)體材料的晶體結(jié)構(gòu)無(wú)關(guān)18、在分析材料的電磁屏蔽性能時(shí)，發(fā)現(xiàn)以下哪種材料的屏蔽效果通常較好？（）A.導(dǎo)電性好的金屬B.磁性材料C.高分子聚合物D.陶瓷材料19、在研究材料的熱變形行為時(shí)，以下哪種測(cè)試方法可以測(cè)量材料的熱膨脹系數(shù)？（）A.差示掃描量熱法B.熱機(jī)械分析C.動(dòng)態(tài)熱機(jī)械分析D.以上都是20、超導(dǎo)材料的臨界電流密度是衡量其承載電流能力的重要參數(shù)。對(duì)于高溫超導(dǎo)帶材，以下哪種方法可以提高其臨界電流密度？（）A.增加超導(dǎo)層厚度B.優(yōu)化制備工藝C.提高磁場(chǎng)強(qiáng)度D.降低工作溫度二、簡(jiǎn)答題（本大題共5個(gè)小題，共25分)1、（本題5分）論述材料的聲學(xué)性能，解釋聲速、聲衰減等概念，說(shuō)明材料聲學(xué)性能的影響因素和應(yīng)用。2、（本題5分）分析材料的磨損機(jī)制（如粘著磨損、磨粒磨損、疲勞磨損等），并探討減少材料磨損的方法和途徑。3、（本題5分）詳細(xì)論述磁性材料的磁疇結(jié)構(gòu)和磁化過(guò)程，解釋磁滯現(xiàn)象產(chǎn)生的原因，并說(shuō)明如何提高磁性材料的磁性能。4、（本題5分）詳細(xì)說(shuō)明在研究半導(dǎo)體材料的電學(xué)性能時(shí)，如何通過(guò)實(shí)驗(yàn)手段確定其導(dǎo)電類(lèi)型，以及影響導(dǎo)電性能的主要因素。5、（本題5分）陶瓷材料具有高強(qiáng)度、高硬度等優(yōu)點(diǎn)，但同時(shí)也存在脆性大的缺點(diǎn)。請(qǐng)分析導(dǎo)致陶瓷材料脆性的主要原因，并提出改善其韌性的方法。三、計(jì)算題（本大題共5個(gè)小題，共25分)1、（本題5分）有一圓柱形的陶瓷電容器，底面半徑為5mm，高度為10mm，陶瓷的相對(duì)介電常數(shù)為1000，計(jì)算其電容值。2、（本題5分）有一鈦合金材料，其屈服強(qiáng)度為800MPa，延伸率為15%。若要將其加工成一個(gè)直徑為50mm的軸，計(jì)算所需原始坯料的最小長(zhǎng)度。3、（本題5分）某種高分子材料在25°C時(shí)的儲(chǔ)能模量為1MPa，損耗模量為0.2MPa，在頻率為10Hz的交變應(yīng)力作用下，計(jì)算復(fù)數(shù)模量。4、（本題5分）已知一種聚合物的分子量分布，其中重均分子量為100000，數(shù)均分子量為50000，計(jì)算分子量分布指數(shù)。5、（本題5分）一種超導(dǎo)材料的臨界溫度為90K，計(jì)算其在室溫（25℃）下的電阻與在臨界溫度下電阻的比值。四、論述題（本大題共3個(gè)小題，共30分)1、（本題10分）深入探討材料的晶界特性和晶界工程，包括晶界結(jié)構(gòu)、晶界能和晶界擴(kuò)散等，分析晶界對(duì)材料性能的影響和改善晶界性能的方