2025年深度行業分析研究報告 5 40 41 42 43 可分為芯片設計、前道工序（芯片制造）和后道工序（封測）三個環節。前道工序是芯金屬化、量測等工序，通過層層往上疊的芯片制造流程，最終將芯片設計公司設計好的電路圖移植到晶圓上，并實現預定的芯片電學功能。其中光刻工藝是芯片制造流程中技術難度最大、成本最高、周期最長的環節，光刻技術水平直接決定了芯片的最小線寬，定義了半導體器件的特征尺寸，直接決定芯片的制程水平和性能水平，先進技術節過具有圖形的光罩（掩模版）對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而將光罩上得圖形復印到晶圓上，使晶圓具有電子線路圖的作用。光刻的核心工具包能夠引導光線在光刻膠上刻畫出圖案）和光刻膠（一種特殊的感光材料，通過光刻過程膠會被均勻涂抹，并達到穩定的厚度。硅片邊緣通常需要倒角處理，以避需要進行精密對準和平整調整。曝光：光源開始發光，通過移動工件臺的方度不足的問題，確保圖案轉移的質量。顯影后，使用去離子水徹底清洗硅片，以去除殘留的顯影液和溶一步增強光刻膠對襯底的附著力，同時減少光刻膠中的溶劑含量，防檢測：驗證光刻膠薄膜的厚度、套刻精度等指標，只有當達到所需的精度標準后，分辨率、套刻精度（Overlay）為光刻工藝中的關鍵參數。分辨率是指光刻機能清晰地在晶圓上投影出的最小特征尺寸，可理解為兩個相鄰的點能被利準則，當一個艾里斑中心與另一個艾里斑的第一級暗環重合時，達到極限點，個光斑剛好可被分辨，能區分兩個光斑的最小距離，就是分辨率。套刻精度是曝光顯影后存留在光刻膠上的圖形（當前層）與晶圓上已有圖形（參考層）對準時能容介質折射率，θ為孔徑角（物鏡光軸上點與物鏡前透鏡的圖形進行光刻，每次曝光使用不同的掩模和光刻條件，最終將多次曝在一起，實現更高分辨率的圖形制作。該方式對套刻精度要求極高，包括LELE、算，獲得最佳掩膜版圖形和光源配置方案。利用精確成像模型，圖形。不僅對設計圖形修正，還能根據目標圖形反演計算掩膜圖偏振照明：通過起偏器可以將自然光轉換為光通過，而吸收或阻擋其他方向振動的光。檢偏器則用于檢測光的偏振狀套刻通常指光刻過程中每一層圖形都需要精確轉移到硅片面上的上一層圖形的位置誤差在容限范圍之內。對于投影光刻機而言，不同層之間的誤取決于系統的對準精度，因此對準系統的在線測量精度是影響套刻性能的關鍵因量，光源發出的光束經照明系統后穿過掩膜版，再由投影物鏡系統將掩膜版上的電路圖照明系統：對光源發出的激光進行擴束，確保光照的均勻性和強度，同時投影物鏡：精準成像的關鍵。投影物鏡的作用是將經過掩模版圖案后越明顯，常見像差主要包括球差、彗差、象散、場曲、畸雙工作臺光刻機是在同一設備中集成兩個獨立的工作臺，每個曝光系統和自動化處理裝置。通過這種設計，光刻機光硅片，包括粗動臺、微動臺、線纜臺等，粗動臺負責完成大行程、微米級精度運動，微動臺補償粗動臺的運動誤差，最終實現納米級運動精度；掩膜臺用于承載掩膜版收控制系統信號，結構同硅片臺類似；控制系統可發送和接收信號指令，以調控各工作臺系統相比，雙工作臺系統無需依照次序完成硅片上片、形貌測量、片等工序，而是分離成同時運行的兩部分完成，減少硅片切換的等待時間了光刻機的產能與效率，從而降低生產成本。同時，雙工作臺設計允許更調整與優化，有利于提高產品良品率，并大幅減少停機時間，可實現在不下，超高的對準精度對測量和運動控制等技術提出了較高要求；按照當前ASML最先進統的工作原理需要工作臺間頻繁地位置互換，對加減速防震、精確定位和減少量精度、工件臺定位精度，是影響光刻機的套刻精度的重要因素。目前應超精密位移測量系統主要有雙頻激光干涉儀和平面光柵測外差干涉技術：外差干涉又稱雙頻干涉或者交流干涉，是利用“拍頻”現象涉基礎上發展而來的一種干涉測量技術。所謂外差即將要接收率信號上，再在接收端解調該調制信號。利用外差干涉技術，以精確測量的高頻信號的相位變化解調出來，大大降低后續精涉技術相比，外差干涉技術在光電探測時避過低頻噪聲區，提出兩列偏振態正交的具有不同頻率的線偏振光，經過偏振分光器后光束被分離。偏平行于紙面光束透過干涉儀后，被目標鏡反射回干涉儀。利用被測目標鏡移動時，多普勒效應的多普勒偏移量承載其位移信息。經過干涉鏡后，與頻率為參考光束會合，發生拍頻，經光電探測器轉換為電信號，放大整形后，去除直流量，將交流量轉換組脈沖信號。并從雙頻激光器中輸出另一脈沖信號，測試板卡采用減法器對兩列信度易受環境影響的缺陷。在常規光柵測量上，基于外差干涉，雙頻激光器發出率的線偏振光垂直入射被測光柵表面，分別進行+1級和?1級衍射，衍射光經過角錐反利用被測光柵與光柵干涉儀發生的相對運動，產生的多普勒頻移量，及會合后的光束拍頻，計算得到多普勒頻移，并得到被測物體的位移。在該一維基礎上，將光柵的刻線由合測量的技術方案，將平面光柵安裝在工件臺上表面，將光柵讀數頭安裝在主基板面，同時增加雙頻激光干涉儀，結合二者的優點。在讀頭與讀頭切換時采用雙頻激藝節點的延伸，光刻工藝對套刻精度提出了更高的要求，相殊圖案，用于幫助確認掩膜版和晶圓的相對位置。在實際工藝過程中，對準標識不僅需要是能在對準激光照射下產生衍射的周期性結構，并且需要滿足不易被工藝損壞、便于置設計有預對準標識，利用對準標識透光，發光二極管在其上方照明，光線通過并被探置，利用晶圓在偏心旋轉時邊緣光照不均勻導致CCD傳感器輸出信號呈現的周期性變件臺的位置，實現掩膜工件臺與晶圓工件臺間的對準。TTIS標識通過光學成像透鏡系統投射在晶圓工件臺表面。位于晶圓工件臺上的TIS傳感器可以隨其移動測量出TIS標識像強度的空間（XYZ）分布，并據此計算出掩膜工件臺為實現掩模與硅片進行高精度的對準，首先需要測量出掩結果移動工件臺與掩模臺，最終實現掩模與硅片的對準。掩按光學系統工作方式可分為亮場、暗場或衍射模式；按光線的傳輸方式及其測量掩模的位置。離軸對準系統的測量光路不經過投影物鏡，具有獨TTL技術，使用一階衍射光，位置精度難以滿足提高的對準需求，因此設計推出了高階對準波長緩解干涉相消問題。為進一步優化對準標識設計，兼容尼康公司和佳能公司的準效率。此后ASML推出了ORION，可適用于更小周期標記，增強了系統穩定性，提高記的像，透過參考光柵后形成莫爾條紋。對準過程中，硅片對準標記的像在參考光柵上的位置隨之變化。探測器探測到的光強也隨之變技術，不需要使用參考光柵，對準標記的設計具有更大的靈活性，可以自由地的通道數翻倍。對準過程中可以選定一個或者組合使用多個信號通道，使得測有足夠高的對比度，而且對標記的非對稱變形不敏感，從而進一步提高了對準射級次的測量信號，并縮小照射光斑尺寸，減小信號串擾。通過光機結構的優化響成為制約對準精度的主要因素，因此需研究非對稱靈活性，需引入更小的對準標記。目前對準標記主要通過光柵周期變化來改變光信息，超表面技術能在較小區域內實現對光場的調控，可將其應用于對準標記設機中，可以采用平面光柵定位系統。與雙頻激光干涉儀相比，平面光柵可以溯源的柵距，以微晶玻璃等低膨脹系數材料制成的光柵柵距受環境擾動的影響較小，柵距誤差導致的系統性誤差可以被有效補償。由于雙頻激光干涉儀系統的光源在件下波長保持不變，減小了環境變化對波長的影響。因此，在不同的環境條件下后經歷了接觸式、接近式和投影式三個階段。而投影光刻機又經歷了掃描投影復投影與步進掃描投影等幾個階段。步進掃描投影光刻機解決了大曝光場與高間的矛盾，將光刻機的發展帶入了一個嶄新的階段。隨著曝光波長的不斷減小鏡數值孔徑的持續增大以及各種分辨率增強技術的應用，步進掃描投影光刻機過程中掩模與硅片上的光刻膠直接接觸，光透過掩模圖形對光刻膠曝光。掩功能。然后通過分立視場顯微鏡同時觀察掩模版和硅片，操作者通過手動控承片臺實現掩模圖形和硅片圖形的對準。對準完成后，掩模版和硅片表面的直接接觸。由汞燈發出的紫外光對硅片進行曝光，實現掩模圖形到硅片面的轉移。接觸式曝光的優點是掩模與光刻膠直接接觸，可以有效減小光衍射效應的影響；版和光刻膠直接接觸會污染、損壞掩模版和光刻膠層，縮短掩模的使用壽命機在掩模和硅片之間留有微小的間距，有效減少了掩模與光刻膠層的污染和損壞。接近式光刻機與接觸式光刻機結構相似，主要區別僅在于掩模和硅片是否接觸，因此接觸式掩模版與硅片的間距，而當間距接近幾十微米時，就很難再減小。由于光學衍射效應的接近/接觸式光刻機存在掩模和光刻膠污染、損壞以及分辨率低等問題，投影光刻機應機不同，掃描投影光刻機在工作過程中將掩模上的圖形投影成像到硅片面。該掃描投影光刻機上安裝有帶有狹縫的、數值孔徑為0.17的反射式投明光，經反射鏡照射到硅片上。由于狹縫尺寸較小，為了實現全硅片曝光，需要在整個硅片面上進行掃描曝光。光刻機工作過程中，掩模和硅片分別置于掃描臺上。掃描臺在曝光時同步移動掃描，使得經過狹縫的光束同時掃描掩模和硅片，實現掩模圖形在硅片上光刻膠中的曝光。由于掩模和硅片明顯分開，解決了掩模和光刻膠的污染、損壞等問等幾個發展階段。掃描投影曝光通過一次掃描過程完成整個硅片的曝光。步進重復投影曝光每次曝光一個場，然后步進到下一個場進行曝光，直至完成整個硅片的曝光。進掃描投影曝光結合了掃描投影曝光和步進重復投影曝光的特點，與步進重復曝光方式相同，每次曝光一個場，但是每個場的曝光通過掃描的方式完成。一個場曝光完成營收（億元）yoy營收（億元）yoymm歸母凈利潤（億元）yoy4.54.0mm歸母凈利潤（億元）yoy4.54.040.0%0.0%于掩模上的圖形必須保持等比例縮小，使得掩模的加工制作越來越困難。而且掃描過程中微振動引入的圖形失真等問題同樣不容忽視。步進重復式投影光刻機采用縮小倍率的投影物鏡，解決了這些問題，得到了業界的關注。1978年，GCA公司（Geophysical硅片上包含若干個曝光場，每次曝光一個場。一個場曝光完成后，工件臺帶動硅片步進到下一個場進行曝光，直至完成整個硅片的曝光。曝光過程中，工件臺與掩模臺保持靜增大投影物鏡數值孔徑，減小曝光波長，步進重復式光刻機分辨率不斷提高。19GCA公司推出的DSW4800光刻機采用汞漸增大，從10mm×10mm增大到22mm×22mm。目前步進重復光刻機主要應用于分辨率，需要增大數值孔徑。芯片尺寸的增大則要求光刻機在實現曝光場。對于步進重復式光刻機，增大曝光場需要增大投影物場。相比步進重復式投影光刻機，步進掃描投影光刻機可以在大數值孔徑下，以較小的視場實現更大的曝光場。明顯降低了對投影物鏡視場大小的要求，減小了投影物鏡的研發難度。曝光過程中，曝光狹縫位置保持不變，在曝光當前場時，承載硅片的工件臺和承載掩模的掩模臺反向同步運動，實現整個場的掃描曝光。當前場曝光結束后，工件臺世界半導體貿易統計協會數據，2024年全球半導體市場規模為6280億美元，同比增長19.1%，ASML預測2030年行業規模將突破萬億美元，伴隨半導體行業的持續上升，設備作為基礎，市場規模隨半導體行業周期上行而持續增長，光刻機設備作為半導體02023年全球半導體IC光刻機總出貨0■yoy037.9%33.6%ArFiASML82.1%0i線KRFARFARFIEUVEXE0a美國■歐洲、中東、非洲■荷蘭016.00%4.09%22.68%4.68%22.68%0.06%0.01%36.07%有待加強。上海微電子是目前中國第一家也是唯一一家光目前國產光刻機在90nm及以下工藝節點方面取得測設備、光刻步進器以及符合氬氟化物（ArF）DUV性能標準或更高水平的掃描儀設備公司光刻機產品可用于平板顯示、先進封裝、新型化合物半導體器件、M中國科學院長春光學精密機械與物理研究所超精密光學工程研究中心。公司專注于光刻機投影物鏡系統、超精密光學檢測、超精密光機制造等領域的研發、生產和銷售品主要應用于高端光學系統，具備高復雜度和極限精度的特點。公司總部位于吉林省長著名高校的碩士、博士研究生組成的研發團隊拓展前沿光學應用，加速高端裝備產業化進程。近年來，國科精密積極拓展業務布局，致力于極大規模集成電路光刻投影光學、顯微光學、多光譜融合成像探測等術研究，同時開展各類高端光學儀器與裝備產品的研發工作。公司在上海設立的分公司專注于光刻機照明系統的研發、制造和技術服務，提升了在復雜非成像光學投、中科院微電子所、國科控股和技術團隊共同發起設立，肩負專項成果轉化重任。公司是一家專注于半導體行業高端光源設備研發的高科技企業，具備光刻準分子激光技術全鏈條研發和產業化能力的公司，業務涵蓋國產自研光刻曝光值”的使命，致力于打造具有自主知識產權的核心技術和產生產的企業，主營業務以超精密測控技術為基礎，研究、開發和生產超精密測控件、超精密測控設備整機并提供相關技術開發服務，主要產品包括精密運動系卡盤和隔振器等超精密測控設備部件，以及晶圓級鍵合設備、激光退火設備等公司精密運動系統產品采用定制化技術路線，從細分領域切入，逐步實現全應用領域的龍頭企業供應鏈，同時為多所高校和科研機構提供產品和技術服務；晶圓級鍵合用了面對面對準的方式，擴大了適用晶圓種類，并采用精密控制技術和圖形分析算法，加退火的核心技術，實現了光束和溫度場的靈活可控，已實現首臺激光退火設備并向燕東微電子等客戶交付，通過用戶驗收；納米精度運動及測控系統采用目前的磁懸浮平面電機驅動導向一體化結構，在自主開發的先進算法控制下實現納米率及相應套刻精度指標；公司自主研發的靜電卡盤產品在產品結構設計、尺寸形及使用可靠性等方面具有技術優勢，一定程度上破除了國外廠商在該產品領域內器件的研發、生產和銷售，致力于為客戶提供一站式綜合解決方案。其產品體體元器件、精密光學元件和激光器件三大類。其中，晶體元器件包括非線性光學晶體、激光晶體、磁光晶體、雙折射晶體、聲光和電光晶體、閃爍晶體等，廣泛應用光系統；精密光學元件涵蓋窗口片、反射鏡、棱鏡、偏振器、柱面鏡、球面鏡、波片、分光鏡等，用于光學系統的精密調控；激光器件主要包括磁光器件、聲光器件期光子主要面向高端光學應用領域，聚焦于納米及亞納米精度的超精密光學元光機組件的研發與生產，面向國家重大戰略需求的半導體高端裝備與其他重大技術應用領域，致力于突破關鍵性瓶頸技術，為半導體量測設備在內的前沿高端光864286420■210茂萊光學專注于精密光學器件、光學鏡頭及光學系統的研發檢測、無人駕駛等領域。公司深耕光學行業數十載，擁有較強的研發實立了完善的運營管理體系和營銷服務體系，銷售網絡覆蓋歐洲、北美區，憑借著技術實力和垂直整合能力，已與多家全球領先的高科技企收入占比為46.29%，生命科學領域收入占比為23.49%，無人駕駛領域收入占比為7.27%，生物識別領域收入占比為7.04%，AR/VR檢測領域收入占比為5.1產品需求持續增加，此外無人駕駛領域收入較同期增幅較大。公司致力于提升產品值和客戶體驗，以持續增強產品市場競爭力。在技術研發方面，公司專注于核心技），公司研發設計和制造的精密光學器件包括透鏡、棱鏡和平片，具有高面型、高光潔度、高性能鍍膜指標特點，應用于光刻機、高分衛星、探月工程、民航飛機等國家重大戰略發展領域；研發制造的精密光學鏡頭包括顯微物鏡、機器視覺鏡頭、成像鏡頭和監測鏡頭系列產品，具有高精度、高分辨率、成像質量優質的技術特點；精密光學系統主要包括半導體檢測光學模組、醫療檢測光學系統模組、生物識別光學模組、AR/VR光模組及光學檢測設備等，覆蓋多個科技前沿應用領域中光學模組和光學設備的設計、裝學鏡頭、光電系統、光學元組件研發生產的高新技術企業，產問一號”等，核心客戶包括中國科學院及各大集團科研院所；非車載、紅外、機器視覺、投影光機等領域，廣泛應用于智慧城質降本增效”戰略的推進。在業務層面，公司定制產品業務回暖，高毛利率定制產入占比提升，同時某國際知名電子消費品廠商對玻璃光學元件的需求增長，推動光在投資方面，公司參股企業業績增長，公允價值變動收益及投資收益增加，為盈利提供助力。公司承擔的國家重點研發計劃及其他研發項目獲得政府補助支持，進一業至臻光學專注于智能高端光學設備及超精密光學元件的生產，涵蓋超精密光學鏡濾光片及相關光學組件。目前，至臻光學的超精密離子束拋光機已成功突破國外鎖，為半導體、高端光學系統等領域提供核心支持。同時，公司承擔的國家重點劃及其他重大科研項目獲得政府補助，進一步增強技術創新能力。未來，福光股410專注真空鍍膜設備。匯成真空主要產品為以真空鍍膜技設備以及配套的工藝服務。公司長期致力于濺射鍍膜技術、蒸發鍍膜技術、離子鍍膜技術、柔性卷繞鍍膜技術以及成膜工藝的研究和應用，目前公司生產的真空鍍膜設用于智能手機、屏幕顯示、光學鏡頭等消費電子領域，以家居建材和生活用品為他消費品領域，航空、半導體、核工業、工模具與耐磨件、柔性薄膜等工業品領及高正、科研院所等領域。下游產品應用具體包括智能手機、攝像頭、屏幕顯示配件、航空玻璃、磁性材料、半導體電子傳感器、光刻掩膜技術積累豐厚，客戶分布較廣。公司真空鍍膜設備銷售客戶業應用經驗形成了公司豐富的技術和工藝儲備。其次，公司產品涵蓋了蒸濺射鍍膜、離子鍍膜等主要真空鍍膜技術及其組合應用，設備形態包括了線，滿足不同客戶的需要。經過長期的自主研發，公司擁有多項與真空鍍膜設關的核心技術，包括真空腔體及真空系統設計技術、真空環境機械裝置設系統設計技術、電弧蒸發源設計技術、磁控濺射靶設計技術、弧光電子束裝置技術、卷對卷真空鍍膜設備設計技術、真空連續生產線設計技術等核客戶優勢明顯。公司主要客戶包括蘋果公司、富士康、比亞迪、捷普、沃格光電、日久光電、宏旺等國內外知名企業和科研院所，多為行業內知名的生產企業生產能力、產品和服務質量、技術創新、快速響應等多方面的型知名企業的認可，并進入了其供應鏈體系。優質的客戶資源一方面保證公內先進的技術及應用前沿，提升公司技術研發水平，另一方面也不斷促進公于國外企業存在技術交流和后續服務不足的弱點，公司充分發揮本土廠商熟技術團隊，能為廣大客戶提供更全面、更及時、更具個性化元組件與光纖器件研發、生產和銷售的高新技術企業。產品涵蓋平面光學元件、球面光學元件、模壓玻璃非球面透鏡、光纖器件等，廣泛應用于光通信、光纖激光、量子信息科研、生物醫療、消費類光學、半導體設備等領域。其光學產品在量子計算、求增長的市場機遇，進一步擴大光通信業務規模；生物醫療、半域業務持續開拓，光學模組產品收入增速明顯；產品結構優化，經營效率續投入。在激光器噪聲控制、光纖透鏡制造、光波導生產等關鍵領域，公司集成”的垂直整合，提升協同效應，降低成本，并增強市場競爭力。此次并購順5432105432100公司重點布局汽車應用、泛半導體制程、醫療健康三大領域，產品涵蓋半導體激光元器件、激光光學元器件，以及激光雷達、集成電路、顯示面板和醫療設備等光子應用解決方案，廣泛應用于先進制造、醫療健康、科學研究、汽車應用及消費電子等領域，作為相關產品價格下滑，導致收入減少、毛利率下降；二是瑞士并購納入的汽車業務呈毛利，以及新加坡資產并購后運營時間較短，固定成本攤銷較大，拖累整體毛利率用方面，公司完成兩次并購后，職工薪酬及運營成本增加，同時持續加大研發投入，以聚焦核心技術突破和新型應用領域布局。財務方面，閑置資金減少及并購貸款增加范圍，進入光通信、汽車投影照明等新的市場領域，同時在泛半導體制程、醫療健康等進技術和產品也會大大推動公司繼續向中游光子技術應用解決方案發展，促進公司做強永新光學是一家專注于科學儀器和核心光學元組件業務