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文檔簡介
卬國科學院沈陽科學儀器冊制卬陽有眼公司
SKYTechnologyDevelopmentCo.,Ltd.ChineseAcademyofSciences
國家真空儀器裝置工程技術的容中陽
StateEngineeringResearchCenterofVacuumInstrumentandDevice
中國科學院沈陽科學儀H股份有限公司
國家真空儀益裝置工程技術研究中心
奧空技術裝備內家工程實通■
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指示性說明代表意義_
沒有先后順1蘆之4匕是比口和■高一級
>描^
目錄
詳細描述性說明!后順序之分
有先后順序之分
有利于深刻認識系統,并且可以避免不
提示性說明
區必要的故障發生
必須嚴格遵守的內容,否則會發生嚴重
警告性說明
A事故
目錄
緒言................................................1
一、系統簡介........................................1
1、概述................................................1
2、工作原理以及技術指標................................2
工作原理:............................................2
技術指標:...................................Xy...........弋2
3、系統主要組成.........................................3
濺射真空室組件:.............:....................................J.............3
上蓋組件:.................1...........3......!...................................4
真空獲得和工作氣路組件:..…玄........1…..…..工...................P.5
安裝機臺架組件::]...............L....7
4、設備安裝........................7.........F-........7
安裝尺寸:............................................
配套設施:二........二..........................................7
二、系統主要機械機構簡介.....肥:二..................8
1、磁控濺射靶組件….…..........................8
2、單基片加熱臺組件.....................................9
3、基片加熱公自轉臺組件................................10
4、基片擋板組件........................................11
三、操作規程,......................................11
磁控濺射沉積系統
1、開機前準備工作......................................11
2、開機(大氣狀態下泵抽真空)..........................12
啟動總電源:..........................................12
大氣狀態下濺射室泵抽真空:............................12
3、濺射室處于真空狀態時抽真空:........................13
4、工作流程:..........................................13
>裝入樣品:.............................13
>磁控濺射鍍膜:...........................1.....14
5、靶材的取出和更換:....................[...........................15
6、停機:....................:…:.............................J............16
四、電源及控制..................1...............#..............!16
…….......................
供電要求:........................j,………17
使用說明..........y...........................................18
電控單元使用說明:.....................療鏟:...........19
五、注意事項.....................二................20
1、安全用電操作注意事項:-T:....................................................20
2、操作注意事項:.....................................21
六、常見故障及排除.................................22
七、緊急狀況應對方法...............................23
2
磁控濺射沉積系統
1、突然斷電............................................23
2、突然斷水............................................24
3、出現嚴重漏氣........................................24
八、用戶反饋問題清單...............................25
九、維護與維修.....................................26
3
緒言
磁控濺射沉積系統是高真空多功能磁控濺射鍍膜設備。它可用于
在高真空背景下,充入高純僦氣,采用磁控濺射方式制備各種金屬膜、
介質膜、半導體膜,而且又可以較好地濺射鐵磁材料(Fe、Co、Ni),
制備磁性薄膜。在鍍膜工藝條件下,采用微機控制樣品轉盤和靶擋板,
既可以制備單層膜,又可以制備各種多層膜,為新材料和薄膜科/研
究領域提供了十分理想的研制手段o
系統簡介
1、概述J
木系統主要由濺射真空室、磁控濺射靶、“單基片加切單品介、基片力題(公自
轉臺組件、基片擋板組件、工作氣路、抽氣系統、毀裝機臺、真空測器及電控系
統等部分組成。附設備總&如下。
磁控濺射沉積系統
2、工作原理以及技術指標
A工作原理:
□磁控濺射鍍膜的基本原理是以磁場改變電子運智方向,束縛和延長電子的運
動路徑,提高電子的電離概率和有效地利用才電戶的能■,因北在形成高密度
等離子的異常輝光放電中,正離牙對靶材轟擊所引起的靶材濺射更加有效
A技術指標
-----------------------------------------------------------------------------------------------------
極限真空度(Pa)系統真空檢漏漏率系統經大氣抽氣,停泵關機12小時
(經烘烤除氣后)(Pa.L/S)40分鐘可以達到(Pa)后真空度(Pa)
濺射室4.0X10-15X10-76.6X10'WlPa
2
磁控濺射沉積系統
3、系統主要組成
A濺射真空室組件:
圓筒型真空室尺寸中450X350nim,電動上掀蓋結構,可內烘烤100?150
選用不銹鋼材料制造,氨弧焊接,表面進行化學拋光處理,揍門采用金屈口圈密
封或氟橡膠圈密封。真空室組件上焊有奔種規格的法藝接口如卜:
尻口贏方式聯接部件名稱‘
序號接口大小數量
1.1cnoo無氧銅圈)?
冬窗公
1.2無氧銅圈1L
.
1.3CF16無氧銅圈沙進氣管路和放氣閥
1.4CF150無氧銅圈1(600升/秒)分子泵
1.5CF100無氧銅圈33個磁控濺射靶接口
1.6CF35無氧銅圈61個高真空電離規管
1個旁抽角閥
3
磁控濺射沉積系統
1個四芯陶封引線法蘭接口
3個備用口
1.7RF25氟橡膠圈1基片擋板組件接口
1.8CF16無氟銅圈11個備用接口
1.9CF16無氧銅圈一1電阻規接口
A上蓋組件:
上蓋組件上有--個CF35的法蘭接口和?個CFIU的法每口,側面還焊有拈
助上蓋升降時定位的擋片。上蓋組件上可以安裝電動提少機構組件,中甫安裝不
基片加熱樣品臺/
4
磁控濺射沉積系統
A真空獲得和工作氣路組件:
魂封真空室
-
4■
3S
—■
篇
目
F
一.
R-DF1陽處IHSCCK
R
口濺射真空室選用分子泵T+機械泵R煙過一個超高真空閘板閥/G主抽,并
通過一個旁抽角閥VI進行旁路抽氣;通過兩路MFC質量流量控制用充工作氣體
每路配有角閥V5、V6,配有混氣室,單獨進氣
流量范圍:一路200SCCM、’一路通過V4閥充入氮氣放氣
代號安裝位置用途廠家
CF35角閥濺射真沈科儀
Dgl6角閥一刀一卡濺射真空室側壁充入工作氣體沈科儀
』空室如以,
Dgl6角閥一刀一卡放氣/充干燥氮氣沈科儀
Dgl6角閥前面的氣路面板充氣七星華創
CCT50-B超高真空閘濺射真空室側面伸出主抽閥沈科儀
的彎管上
分子泵(抽速600L/S)CF150刀口主抽泵北京科儀
5
磁控濺射沉積系統
R機械泵(9升/秒)KF40前級泵北京
DFKF40電磁隔斷網KF40分子泵和機械泉之間防止機械泵返油,并川北
能在分子泵前級真空
度不夠的情況下進行
隔斷,來保護分子泵
R-DF高真空電磁壓差式帶KF40機械泵R1和機械泵聯鎖,停機械上海
■f?
翥時,此閥斷開,向機
充氣閥西馬特
城泵充氣,避免返油k
MFC1、MFC2質量流量控制通卡套J控制氣體流]
f
混氣室(兩進一出)卡套混氣沈木取
.科儀
液壓波紋管兩段快卸卡籟此按普路
「川北
KF40三通一個快卸卡箍F
▼.
KF40快卸卡箍若干川北
4>6X1氣路管若儀
外購
■,
氣路卡套若干r外購
6
磁控濺射沉積系統
A安裝機臺架組件:
采用優質方鋼型材(50mmX50mmX4mm)寫接成,前面和兩側面安裝快卸
圍板,表面噴塑處理;機臺表面用不銹鋼蒙皮裝飾;底面安裝四只腳輪,可固定,
/■::
可移動;安裝機架尺寸:L1115■XW860XH1000nunV,o'
4、設備安裝.
》安裝尺寸:
將設備安裝機架移到指定位置,.腳輪升降,調■機需7戈水平位置。安裝
機架平面尺寸:,111^^000廊(包括伸出的間板語輪),電控柜平面尺寸:
610X650mm2X2臺。
A配套設施:
口整機配電要求:接三相電源380V±6%,50Hz,三火線一零線,功率>15KW,
配置多路接線插座。
口聯接地線要求:本設備需要配備良好的接地,對地電阻<2歐姆。
7
磁控濺射沉積系統
口接冷卻水系統,具有民用自來水或循環冷卻水,水溫V25C,水壓V2.5X105
Pa,流量達到12L/min,及回水通道。各水路均安裝水流控制器,發生斷水時將
自動切斷設備總電源。
口安裝場地面積>25肝,高度要求高于2.4m。
口要求安裝場地的標準溫度為20?24℃,標準相對濕度為50%?60%o
口要求有普通氮氣,工作氣體,壓強要在2?3個大氣壓之間。
口要求有外排廢氣管道。
!!!注意:接通電源后,首先確認機械泵旋轉方向,如果發現反轉,則應調相。
A
二、系統主要機械機構簡介
靶法蘭、齒輪減速異步電動機帶動的靶擋板系統和螺旋升降機構等組成。
濺射真空室采用多靶濺射結構,靶在下,基片在上,向上濺射成膜,濺射真
空室下底盤上有三個靶位;靶材尺寸660mm(其中一個可以濺射磁性材料);永
磁靶RF、DC兼容;靶內有水冷(每個靶單獨水路冷卻);三個靶可共同折向上面
的樣品中心,靶與樣品距離90?110mm可調;每人靶配有單獨的屏蔽罩,以避免
8
磁控濺射沉積系統
靶間交叉污染(非共濺時安裝使用);每個靶配有單獨的電動擋板,計算機控制
擋板開合。
!!!提示:
以后磁控靶需要寄給我們進行維修時,靶頭和支桿可以直接從真空室內拆下,不用拆卸
靶法蘭部分。拆卸前請事先聯系設計人員,我們會提供一個盲堵,保證您其余的工作不受影
響。
2、單基片加熱臺組件
9
磁控濺射沉積系統
3、基片加熱公自轉臺組件
基片加熱公自轉臺組件安真空室上蓋組件上0吃盤上可以寸放置6
個基片,可放置①50mm儂片。六個工位中,中兩個工位安裝加熱爐(切換
加熱),基片加熱最著a度6oo℃±rc,由熱電偶閉環反饋控制。在伺服電機+
減速器+同步構帶動下,實現0?360°公轉(當拆掉加熱爐后可連
續I可轉),并通過光柵編碼器機構實現準確定位,計算機控制公轉到位及鍍
膜過程。基片可加負偏Qoov。
10
磁控濺射沉積系統
4、基片擋板組件
基片擋板組件的擋板上開一個孔,對準一個基片,該基片擋板用基片加熱公
自轉臺組件都用計算機控制轉動,僅對1片基片在不同陽位下濺對鍍膜。該片k
藝完成后,可計算機控制轉至第二片基片繼望鍍膜廠)當需號濺jJ時,H需要打r了下該
基片擋板組件的上半部分即可」不用全‘麻5o
三、操作規程
1、開機前準備工作
■開場水閥,接通冷卻水,檢杳是彘足夠大,水壓控制器是否起作用,保
護各水路暢通。
■檢查總供電電源配線是否完好,地線是否接好,所有儀表電源開關全部處于
關閉狀態。
■檢查分子泵、機械泵油是否標注到刻線處,如沒有達到刻線標記應及時加油。
■檢杏系統所有閥門是否全部處于關閉狀態,確定濺射室完全處在抽直空前為
H
磁控濺射沉積系統
封閉狀態。
2、開機(大氣狀態下泵抽真空)
A啟動總電源:
確認所有電源開關都在關閉狀態后,按下總電源開關,此時電源三相指示燈
全亮,供電正常。
!!!提示:
如果電源三相指示燈沒有全亮,應檢查供電電源是存缺相。在確認電源正常之后方可進
行下一步工作。
A大氣狀態下濺射室泵抽真空:
■打開旁抽閥VI
■啟動機械泵R
按下機械泵R開關,機械泵指示燈亮,此時機械泉工作,再打開分子泵T口
處的電磁閥DF開關,指示燈亮,打開鼐計,測量真名(更合真空”AF-5227
使用詳見說明書)&眇
■啟動分子泵T(FF-160/620C)
先打開分子夏T電源開關,電野計顯示的真空度高甩Pa時,關閉旁抽
閥VI,并迅速打開閘權閥G,然后打開分,泉啟動按”,,束指〔、」:一
控制面板上顯示頻率,分子泵開始正常工作,約卜分鐘,加速指示燈滅,正常燈
亮,函率顯示為600時,分子泵進入作狀態。再用分子泵連續抽氣,經烘
烤后,磁控濺射室的真空度可達到極限真空度4Xl()5pa指標。
!!!提示:
設備中的閘板閥設有開關指示功能,閘板閥門開關時手感輕松,在閥門關閉時可聽到一
聲響動,同時力量減小、有明顯的空程,這時閥門已經關閉到位,不要繼續硬性旋動手柄,
以免閥門傳動機構受到損壞。開啟時也有一聲響動,行程指示到位后閥門也開啟到位。
!!!警告:
12
磁控濺射沉積系統
閥門開啟前,必須平衡閥門兩側的壓力(閥門兩側必須同時是真空或大氣)
閥板兩側壓力差必須小于3000Pa,如果壓力大于3000Pa硬性開啟閥門會造成密
封圈及傳動機構的損壞,造成閥門無法使用(此項要特別注意,閥門開啟時一定
要注意觀察閥門兩側的壓差)。
!!!警告:
在閥門使用過程中如發現異樣的聲音或者開關閥門時力量異常,首先應該觀
察閥門前后真空系統的壓力是否平衡,如果有壓差必須停止強行開啟,待壓力平
衡后再進行開啟,以免損壞機構。
3、濺射室處于真空狀態時抽真空:\
■首先,打開復合真空計觀察系統真空度.如果長曠間的(10天以上)[未開機,真
空度高于30?40Pa,這時應該按上面所說的濺射室泵抽真空中的操作,步喉進行系
統抽氣;
■如果真空度在3?5Pa時,即可直接開啟閘板閥G,憾后依次開啟機械泉R【
電磁閥DF、分子泵T,進行系統抽真空,U抬濺射室要求的本底真
空即可。
4、工作流程:
>裝入樣品:
■濺射室暴露大氣:關閉閘板閥G,確認旁抽閥VT和角閥V2、V3處于關閉狀
態,然后打開放氣閥V4,向濺射室內充入森氮氣。
■裝入樣品:濺射室內氮氣壓3壓力平衡后即可利用升降機提升濺射室
上蓋,靶基距調到合理值,然后將清洗好的樣品放入襯底托內,將其放入樣品轉
臺內,然后再將濺射室上蓋落下,關閉放氣閥V4,對濺射室泵抽真空(按前面
所說的步驟進行操作)至實驗要求的本底真空度。
13
磁控濺射沉積系統
>磁控濺射鍍膜:
■待本底真空達到本次實驗所預期要求后,稍關閉閘板閥G(不要關死),用真
空計監測真空度。
■向濺射室充氣:
充氣前將氣瓶關死,打開V5、V6,緩慢打開V3。打開質量流量計電源,預
熱3分鐘,將質量流量計打到清洗擋,抽空氣路后關閉各閥,將質量流量計打到
關閉擋;緩慢打開進氣截止閥V2,此時抽取管路中的氣體,達到預期真空后,
關閉這些截止閥,進行充氣工作。若所充氣體需經混氣后進入真空室,骰打開
V3及機架前面板上的進氣閥V5或V6(根據需要選擇);若需單路直接進氣,、則
打開V2。然后打開MFC質量流量計電源,通過流量計充入土作氣體!通過適當
調節閘板閥G關閉的大小來調節濺射工作壓強。士%.
注:打開質量流量計電源,在MFC質量流量計電源的扁開關處寸力關閉”位,
將設定流量調到零,再開氣瓶給氣,待零點穩定后,轉“閥控”日并將流翻
至所需值,則實際流量跟蹤設定值而改變。■
關閉質量流量計時,將閥開關置于:關閉”轉再到電源開關關閉拓。
!!!提示:
充氣過程中需用真空計監測真空度不低于20Pa0
■射頻濺射:二
起輝壓強:在設定進氣卮恒定情況卜,調節閘板閥G使濺域室真空度:維持在
0.4?lOPa,可保證磁控靶^瞥
濺射工作壓強:根據工藝需要,mH節MFC送二使濺射室真空度維持
在0.5Pa以下,此時磁控靶應能穩定工作而不熄盛
栽電源可切換龍應靶,崎作^據要求設置控制各個靶接射頻電源。
射頻電源和匹配器的使用詳見射頻電源使用說明書
■直流濺射:
直流電源有兩臺可根據要求切換對應靶。
(詳見直流濺射電源使用說明書)
■計算機控制鍍膜:
通過程序控制,使樣品按所設定模式進行工作,鍍制單層膜或多層膜,鍍多
14
磁控濺射沉積系統
層膜的靶位可任意組合,在每個靶下停留時間任意設置。程序運行結束后將自動
保存結束前的狀態,并保存計算機文件中,下次運行時,這些狀態將自動讀入以
恢復以前狀態,所以在程序未運行期間,不建議使用手動操作轉盤,以免再次運
行時造成樣品位置錯誤。
■停止濺射鍍膜:
①首先關閉基片擋板,再關上各磁控靶擋板,通過計算機關閉步進電機電
源,再關閉計算機電源。
②關閉射頻、直流和勵磁電源,關閉MFC質量流量計電源。
③關閉濺射室進氣截止閥V2、V3、V5、V6,全開閘板閥G,使濺射室用分
子泵T直接抽氣,進入高真空狀態。使用ZDF-5227監測濺射室真空度,
進入1O1Pa或0Tao相
■取出樣品:
鍍膜完成后,將閘板閥G關閉,再將電離規關閉。然‘后打開接號瓶的放氣閥
V4,向濺射室充入干燥氮氣。電動提升真心室上氧戴圣潔凈手窘/從樣品臺艮
■在分子泵T單獨對濺射室抽氣工作時,先將川板液,G■閉,檢杳V2、■是
否處于關閉狀態。然后關閉真空計,質最美閥V4使濺射室充入大氣(最好充
入干燥氮氣);
■當濺射室內氮氣壓力與大氣壓力平衡后,使月升降機將濺射室的上蓋提起,
之后拆下基片樣品擋板,電動打開需要更換靶材的靶擋板,擰下靶屏蔽蓋,并卸
下靶壓蓋,即可對真空室內的靶材進行取出或更換,然后再將靶壓蓋及靶屏蔽蓋
裝上,結束后再用升降機將上蓋落下;
!!!提
15
磁控濺射沉積系統
①靶屏蔽蓋和靶材之間的距離建議控制在2?3mm之間。
②如發現上蓋壓偏,需要重新升起上蓋,找壬后再落下。
■參照前面濺射室泵抽真空的步驟,對系統抽真空,重復前面所做的工作流程。
6、停機:
■首先,關閉系統內所有閥U,尤其注意關閉閘板閥G和旁抽閥VI,進氣閥
V2、V3,放氣閥V4,使系統保持真空。
■其次,關閉各路電源,先關各路儀表電源,然后關分子泵T電源,當頻率
數顯為“200”以下后關閉電磁閥DF,關閉機械泵R,最后關閉總電源及所有水
路。
!!!提不:
實驗完成后,如果真空室內非常熱,這時,要通過分子泵對系統進行較長的
時間抽氣,等到系統內部溫度降到100℃左右時才能關閉系統。
四、電源及控制
琳用用用用
偏樂電源
質量流量計
直流電源
加熱電源
流電源
射頻電源
靶擋板控制電源
供電
樣品鼓動招制電源
分子泵電源
百板
供電電源
自板
UaaUUa
16
磁控濺射沉積系統
A分類:
□真空測量部分:
■真空計:復合真空計
■供電電源
□真空獲得部分:
■控制電源
口材料制備部分包括:
■流量顯示儀J
■加熱控溫也源,
供電電源
>供電要求:
真空贏共電需3相380V(50Hz)工業動力電,總功率
約15KWo
供電要求分為以下六部分:
□供電電源(1):
■電壓:3相380V(50Hz)容量:7.5KVA
■要求:由3P20A空氣開關供電,連接電纜采用四芯橡套:2.5mm2X3
17
磁控濺射沉積系統
+1.5mm2Xl(空氣開關采用工業用動力型,以下均同樣要求,從
略。)
□供電電源(2):
■電壓:3相380V(50Hz)容量:7.5KVA
■要求:由3P20A空氣開關供電,連接電纜采用四芯橡套:2.5mm2X3
+15mm-X1
A使用說明
□注意事項:
■設備操作人員必須高度重視電氣安全問題,嚴格遵守用電安全規程,
防止電氣事故造成人身傷害或設備損壞。1
■嚴禁帶電拆卸接線端子、焊片、接插件等電氣連接件!
■嚴禁帶電打開電源機箱,接觸任何/器元件!禁止無電氣技術資P
和相關經臉者從事本說明竹姬許的故障排除工作。
■設備必須可靠接地。本系統中所有設備裝置的皆屬外殼都應白金接
地(包括主機真空■備[及電源疝柜)。各部分電控裝置按要可品行單
閘(空氣開關)供電,?不允許-閘多
■經常對設備進彳亍安全檢查,確駕控單元絕緣良好廄可靠的接地
或接零保二八檢查有無漏電、絕緣老化情況;進行電氣設備和
..保護裝置的地檢修、試驗及清掃,防器成設備電氣事故和誤
動作。
□使用前的準備和檢查
按照本說明書的“供電要求”,可靠連接各部分電控裝置,將各部分裝置
及主機外殼可靠接“地”。檢查供電電源電壓、容量是否符合要求,有無缺
相等故障。檢查電控裝置與主機設備的電氣連接,確保連接正確可靠。檢查
有無漏電、絕緣老化情況。
18
磁控濺射沉積系統
檢查各部分電控單元的開關狀態,應能正常工作,并均設置為初始狀態;
檢查各電源負載是否產生短路或斷路,所有電控單元應能正常工作。
A電控單元使用說明:
□真空計:
■系統采用ZDF-5227型數顯復合真空計測量真空室的真空度,量程1
X105Pa-l:X10-5PaoL
■真空計由供電電源(1)提供AC220V電源插座供電;具體使用密
及注意事項詳見“附件”中的(ZDF-5227%數顯復合真,計)使用
說明書。x
□控制電源:該電源為真空獲得控制電源的主要單元:I
控制如下單元:
?機械泵:控制機械泵的啟動和停止,按鈕卜開”按F燈亮,繼朋學
吸合,機械泵工作按鈕“關:'按下燈靈,繼電斷開,機械架冷
令電磁閥:控制電磁閥M啟動和停止,號按下燈亮,吸合,
電磁"
。照明:控制血明的啟動和年u,[按鈕按下燈亮,細%器吸合,照明
烤的啟動和停止,按燈亮,繼電器吸合,烘烤
匚作,旋轉功率調節旋鈕可以改變烘烤功率;
令I上蓋升、降:捽制鼠審歲;蓋的升降,按下“升”或將“降”后,
真空室蓋即上升或下降;松開按鈕,真空室蓋停止升降;到達限位
位置,真空室蓋同樣停止升降。一
區提示
控制電源照明、烘烤按鈕均為帶鎖按鈕,按下后自鎖,動作后指示燈亮。再
按按鈕,按紐抬起時,工作停止。烘烤按鈕按下后,調節烘烤旋鈕,烘烤燈逐漸
加大功率V
19
磁控濺射沉積系統
由供電電源通過雙頭四芯航插連接電纜提供3相380V電源。
區提示
輸出電纜必須按照接頭附近所做標記正確連接!
口加熱溫控電源:
加熱溫控電源由E本公司生產的溫度控制器、移相觸發模塊、可控硅以及外
電路構成。樣品加熱溫度可控。
需要控溫時首先接好控溫電源的電源線、輸出加熱線和熱電偶的連接線。
連接時,要注意熱電偶的正負極。按照控溫表說明書將控溫表的各項指標設置
好,然后按相應的按鈕開關“加熱”,控溫電源開始T作。順時針調節總率限
制”電位器旋鈕,使加熱爐正常升溫。當溫度升到控溫表所設定的溫度時,由
系統控制加熱爐開始恒溫。當試驗作完后,將“功率限制”電位器旋鈕反時的
調到“0”,然后按按鈕開關“停止”,控溫電源停止工作。■
□靶檔板控制電源:,」M
打開電源開關,按一下相應的靶檔板“開”按鈕,可打開檔板,/一下“關’
按鈕可關閉檔板。,.J弋.
□分子泵電源,
FF160/620型(北京科儀)分子泵的驅動控制電源,譬過我和過熱鏟護功
能。使用方法及注意事項詳見“附件”中也“系列復畿千泉交流變頻.電機驅
動電源”使用說明書I',L'
五、注意事項
1、安全用電操作注意事項:
設備操作人員必須高度重視電氣安全問題,嚴格遵守用電安全規
程,防止電氣事故造成人身傷害!
□使用動力電時,應先檢查電源開關、電機和設備各部份是否良好。如有故障,
應先排除后,方可接通電源。
20
磁控濺射沉積系統
□啟動或關閉電器設備時,必須將開關扣嚴或拉妥,防止似接非接狀況。
□人員較長時間離開房間或電源中斷時,要切斷電源開關,尤其是要注意切斷
加熱電器設備的電源開關。
□電源或電器設備的保險燒斷時,應先查明燒斷原因,排除故障后,再按原負
荷選用適宜的保險絲進行更換,不得隨意加大或用其它金屬線代用。
□沒有掌握電器安全操作的人員不得擅自更改電器設施,或隨意拆修電器設
備。
□若要打開電源柜后蓋,必須先斷開設備總控電源。
!!!必須注意:檢修設備務必事先斷開所有電氣設備的電源!!
2、操作注意事項:M
□磁控靶、分子泵工作時,一定要通水冷卻,
□在使用機械泵旁抽前保證分子泵口與電磁閥處于關閉狀態,皆別是分子泉木
停真空室暴露大氣后粗抽時,否則大句從分子零排*口泉體,急劇芥大
損壞泵。’油八
□打開機械泵抽大氣時,旁抽閥要緩慢疔開,且抽號典不要過長,,3。多帕
時開分子泵,否則容易造成油黑染。
□系統由大氣抽到低真空的過程中禁止開烘烤燈和照明燈。
□濺射室烘烤時室壁面及陽察耳溫度不得超過10002
□在室體內濺射完畢或加熱爐工作完畢之后,樣品可猛爐冷卻,真空室內溫度
W60°C以下時再暴露大氣。.
□濺射室暴露大氣前一定要關緊閘板閥,以免損壞分子泵,同時要關緊氣路截
止閥,以免氣路受污染。
□當上蓋處于打開狀態時,要時刻注意保護真空室上端密封面。
□在取出或更換樣品、靶材時,要注意真空室的清潔;同時要保證屏蔽罩與靶
材之間的距離小于3m。
□嚴禁閘板閥一端是大氣一端是真空的條件下打開閘板閥。
□突然停電時,所有電源要復位,過5-7分鐘后,才能重新啟動分子泵。
21
磁控濺射沉積系統
六、常見故障及排除
故障現象可能的原因排除方法
“供電電源”無法電源供電線路故障,缺相或電壓偏低或
由供電部門查找原因,排除故障
接通相序錯誤
擰緊緊固件(可使用酒精判斷有漏的法
口緊固件沒擰緊
蘭連接處)
口快卸接口密封面處有雜物擦拭密封面
真空抽上不去口真空腔內有灰塵和水蒸氣先清洗真空室,再烘烤
口電極法蘭密封不嚴和我們聯系,更換新用1電極法蘭,
口密封膠圈老化更換新的膠圈
口靶頭里的聚四氟絕緣件零&變夜d和我和快系更換新麗
掇件
后如果行泄露,更換
口前級管道及電磁閥的泄露i
定期杳石油譽及時加;i.i'k,奐新
前級真空抽不上
日分子?泵Im標也要定期檢查(約半
去口機械泵是否油不夠或油質%劣
年時f瞥次)
①增大水流
口水流約1.器未汨作
已經給水,但水流@水流繼電器壞,笠不
繼電器仍舊報瞥部水管堵塞,否則需要
磁控靶水路行堵心
拆%頭清理內部水路
埠衡兩側壓力后打開
閘板閥打不開,口閥板兩側壓力差>3.OX10:,Pa
密封面有污物附著用無塵而將污物清洗干凈
密封面有劃痕5y用拋光紙拋光
閘板閥密封不良密封面膠圈磨損更換新閥板(與生產廠家聯系》
波紋管損壞更換波紋管或補焊(與生產廠家聯系)
閥殼受拉ALZXlO'Pa調節閥殼兩側法蘭的間隙
閘板閥閥門關閉
閥殼受拉>1.2Xl()5pa調節閥殼兩側法蘭的間隙
時力量大或無法
22
磁控濺射沉積系統
關閉
數字信號出現干
口地線接觸不良好良好接地
擾
口電離規損壞更換
分子泵正常啟動
手動打開“電離”按鈕確認真空達到1
后,電離規不啟動口熱偶值還沒有達到1x102Pa
X10-2Pa,然后調節熱偶值。
轉動件轉動不靈口軸承內有雜物拆卸后用超聲波清洗
活
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