晶體三極管特性與參數(shù)周彩霞三極管的放大原理1、晶體管放大的條件內(nèi)部條件發(fā)射區(qū)摻雜濃度高基區(qū)薄且摻雜濃度低集電結面積大外部條件發(fā)射結正偏集電結反偏2、晶體管的電流分配和放大作用實驗電路電路條件:發(fā)射結正偏、集電結反偏NPN管：VC>VB>VE

PNP管：VC<VB<VE

mAmAICECIBIERBEBCEB3DG6

A(1)測量數(shù)據(jù)IB(mA)00.010.020.030.040.05IC(mA)0.0010.501.001.602.202.90IE(mA)0.0010.511.021.632.242.95IC/IB5050535558

IC/

IB50606070mAmAICECIBIERBEBCEB3DG6

AIC和IE比IB大得多。IB

很小的變化可以引起IC很大的變化，即：基極電流對集電極電流具有小量控制大量的作用，這就是晶體管的電流放大作用。(2)結論IE=IC+IB，即發(fā)射機電流等于集電極電流與基極電流之和。3、晶體管內(nèi)部載流子的運動規(guī)律ICEIEIBEI

CBOIBIC（1）發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射電子（2）電子在基區(qū)的擴散和復合（3）集電區(qū)收集從發(fā)射區(qū)擴散過來的電子三極管的電流放大作用：基極小電流對集電極大電流控制作用。ICBO：反向飽和電流ICEO：穿透電流以NPN型三極管為例討論：4、

晶體管的電流分配關系

當管子制成后，內(nèi)部條件（發(fā)射區(qū)載流子濃度、基區(qū)寬度、集電結面積）等確定，故電流的比例關系確定，即：小結：1.晶體管在發(fā)射結正偏、集電結反偏的條件下具有電流放大作用。2.晶體管的電流放大作用，實質上是基極電流對集電極電流的控制作用。RCECiBIERB+uBE

+uCE

EBCEBiC+

+

+

1、輸入伏安特性

三極管的特性曲線及參數(shù)輸入回路輸出回路RCECiBIERB+uBE

+uCE

EBCEBiC+

+

與二極管特性相似。iBRB+uBE

EB+

EB+

RBO特性基本重合(電流分配關系確定)。特性右移(因集電結開始吸收電子)。導通電壓UBESi管:(0.6

0.8)VGe管:(0.2

0.3)VO輸入特性曲線2、輸出伏安特性（1）調(diào)整RB使基極電流為某一數(shù)值。（2）基極電流不變，調(diào)整EC測量集電極電流iC和uCE電壓。輸出特性曲線50μA40μA30μA10μAIB=020μAuCE

/VO246

4321iC

/mAmAICECIBRBEBCEB3DG6

ARCV+uCE

（1）放大區(qū)：發(fā)射結正向偏置，集電結反向偏置。（2）截止區(qū)：發(fā)射結反偏或零偏，集電結反向偏置。（3）飽和區(qū)：發(fā)射結正向偏置，集電結正向偏置。VC>VB>VEuBE≤死區(qū)電壓輸出特性曲線三個工作區(qū)域：iB=0，VB≤VE，VB<VCiB>0，VB>VE

，VB>VC1、共發(fā)射極電流放大系數(shù)一般為幾十

幾百2、極間反向飽和電流集基間反向飽和電流ICBO、集射間反向飽和電流

ICEO。

主要參數(shù)及使用常識（1）直流電流放大系數(shù)（2）交流電流放大系數(shù)

iC

/mAuCE

/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0024684321例：如圖所示的各個電路中，試問晶體管工作于何種狀態(tài)?(a)放大狀態(tài)

(b)飽和狀態(tài)

(c)截止狀態(tài)

放大狀態(tài)規(guī)律：

截止狀態(tài)

飽和狀態(tài)3、極限參數(shù)（1）集電極最大允許電流ICM

超過時值明顯降低。（2）集電極最大允許功率損耗PCMPC=iC

uCE(1-13)（3）集-射極反向擊穿電壓U(BR)CEO

當集--射極之間的電壓UCE超過一定的數(shù)值時，三極管就會被擊。手冊上給出的數(shù)值是25C、基極開路時的擊穿電壓U(BR)CEO。iCICMU(BR)CEOuCEPCMOICEO安全工作區(qū)