主講人：譚香玲項(xiàng)目四逆變電路任務(wù)2認(rèn)識(shí)電壓型逆變電路知識(shí)點(diǎn)：全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路二、電流驅(qū)動(dòng)型器件的驅(qū)動(dòng)二、電壓驅(qū)動(dòng)型器件的驅(qū)動(dòng)一、驅(qū)動(dòng)電路基本概念一、驅(qū)動(dòng)電路的基本概念驅(qū)動(dòng)電路控制電路保護(hù)電路檢測(cè)電路主電路電氣隔離1.驅(qū)動(dòng)電路地位與作用SCRGTOGTRIGBTP-MOSFET電流型驅(qū)動(dòng)不容易受干擾驅(qū)動(dòng)損耗大開(kāi)關(guān)頻率不高電壓型驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)損耗小開(kāi)關(guān)頻率高容易被干擾2.兩種類型器件的驅(qū)動(dòng)電路比較開(kāi)通驅(qū)動(dòng)電流應(yīng)使GTR處于準(zhǔn)飽和導(dǎo)通狀態(tài)，使之不進(jìn)入放大區(qū)和深飽和區(qū)。關(guān)斷GTR時(shí)，施加一定的負(fù)基極電流有利于減小關(guān)斷時(shí)間和關(guān)斷損耗。關(guān)斷后同樣應(yīng)在基射極之間施加一定幅值（6V左右）的負(fù)偏壓。tOib

理想的GTR基極驅(qū)動(dòng)電流波形二、電流驅(qū)動(dòng)型器件的驅(qū)動(dòng)GRT驅(qū)動(dòng)電路GTR的一種驅(qū)動(dòng)電路，包括電氣隔離和晶體管放大電路兩部分。GTR的一種驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)GTR的集成驅(qū)動(dòng)電路中，三菱公司的M57215BL較為常見(jiàn)。二、電流驅(qū)動(dòng)型器件的驅(qū)動(dòng)電力MOSFET和IGBT是電壓驅(qū)動(dòng)型器件。為快速建立驅(qū)動(dòng)電壓，要求驅(qū)動(dòng)電路輸出電阻小。使MOSFET開(kāi)通的驅(qū)動(dòng)電壓一般10~15V，使IGBT開(kāi)通的驅(qū)動(dòng)電壓一般15~20V。關(guān)斷時(shí)施加一定幅值的負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓（一般取-5~-15V）有利于減小關(guān)斷時(shí)間和關(guān)斷損耗。在柵極串入一只低值電阻可以減小寄生振蕩。三、電壓驅(qū)動(dòng)型器件的驅(qū)動(dòng)電路電力MOSFET的一種驅(qū)動(dòng)電路：電氣隔離和晶體管放大電路兩部分電力MOSFET的一種驅(qū)動(dòng)電路專為驅(qū)動(dòng)電力MOSFET而設(shè)計(jì)的混合集成電路有三菱公司的M57918L。其輸入信號(hào)電流幅值為16mA，輸出最大脈沖電流為+2A和-3A，輸出驅(qū)動(dòng)電壓+15V和-10V。

1.電力MOSFET的驅(qū)動(dòng)三、電壓驅(qū)動(dòng)型器件的驅(qū)動(dòng)電路2.IGBT的驅(qū)動(dòng)M57962L型IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理和接線圖常用的有三菱公司的M579系列（如M57962L和M57959L）和富士公司的EXB系列（如EXB840、EXB841、EXB850和EXB851）。多采用專用的混合集成驅(qū)動(dòng)器。三、電壓驅(qū)動(dòng)型器件的驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)電路接受控制電路的信號(hào)，并進(jìn)行功率放大、產(chǎn)生器件的驅(qū)動(dòng)脈沖，同時(shí)要具有電氣隔離的功能。與電流驅(qū)動(dòng)型相比：電流驅(qū)動(dòng)型器件的驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)損耗小、開(kāi)關(guān)頻率高、容易被干擾。常用的是專用的混合集成驅(qū)動(dòng)器，集成化、智