集成電路電磁兼容建模 第6部分：集成電路脈沖抗擾度特性仿真模型 傳導脈沖抗擾度建模（ICIM-CPI） 編制說明_第1頁
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《集成電路電磁兼容建模第6部分：集成電路脈沖抗擾度特性仿真模型-傳導脈沖抗擾度建模（ICIM-CPI）》（征求意見稿）編制說明GB/T44807.6-202X《集成電路電磁兼容建模第6部分：集成電路脈沖抗擾度特性仿真模型-傳導脈沖抗擾度建模（ICIM-CPI）》由全國集成電路標準化技術委員會本標準的編制由北京智芯微電子科技有限公司主起草、中國電子技術標準化研究院、華大半導體有限公司、天津先進技術研究院、深圳宇凡研究所、北京郵電大學、深圳通銳微電子技集成電路脈沖抗擾度特性仿真模型-傳導脈沖抗擾度建模（ICIM-CPI）》進行了翻譯并對相關的技術內容進行了分析和研究。并于2024年8月在公開征集參加單位的基）；操作性。本標準的編寫符合GB/T1.1-2020《標準化工作導則第1部分：標準化文2）本標準等同采用IEC62433-6:2020《集成電路電磁兼容建模第6部分：集成以及電快速瞬變脈沖群（EFT）的宏模型的提取流程，該模型解決了由于過壓、熱損抗擾度模型-傳導脈沖抗擾度（ICIM-CPI）。主要技術內容包括模型定義的原則、ICIM-CPI模型結構、基于XML的CPIML格式等內容，第3章術語、定義、縮略語和約定，包括24個名詞術語，本標準等同采用IEC62433-6:2020(EMCICmodelling-Part6:Modelsofintegratedcircuitsforpulseimmunitybehaviouralsimulation–C

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