SiC 晶圓的殘余應(yīng)力檢測方法_第1頁
SiC 晶圓的殘余應(yīng)力檢測方法_第2頁
SiC 晶圓的殘余應(yīng)力檢測方法_第3頁
SiC 晶圓的殘余應(yīng)力檢測方法_第4頁
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本標準規(guī)定了SiC晶片內(nèi)部殘余應(yīng)力的光學(xué)無損檢測方法。下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的，凡是注日期引用文件，僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的生改變，出現(xiàn)本征折射率以外的另一種折射率，此時若有一束光入射，會在本標準中，兩者都是線偏振片。線偏振片(polarizer)是指可以使自然光源的線偏振片成為起偏鏡，而沿著光路最后擺放的該光路中包括光源，起偏鏡P和檢偏鏡A，兩塊1/4波片，待測的SiC晶片以及記錄圖像的CCD相機。一般認為待測試件處于平面應(yīng)力狀態(tài)，任意一點（x，y）處的第一主應(yīng)力記為σ1，第二主應(yīng)力記為σ2，第在上述光路中，試件與起偏鏡平行以保證光線垂直入射試件，由于應(yīng)力束光的偏振方向相同，具備了形成穩(wěn)定光學(xué)干涉的條件，各點干涉所形成的γβ1020300456對上述六幅數(shù)值圖像進行數(shù)學(xué)處理，即可得到試件上任一點（x,y）處的主應(yīng)力θ=0.5arctan且sinδ≠0（1）σ1-σ2=Cδλ/d上式中d為試件厚度，λ為光源的中心波長，C為材料常數(shù)，可以通過標定實驗加以確定。工程上常采用位相差δ或者試件單位厚度的光程差(α)來簡單表征殘余應(yīng)力的大小，以避免復(fù)雜的全場應(yīng)力計算。位相差δ與α的換算5.1檢測SiC晶片應(yīng)力所用的光彈儀器應(yīng)滿足以下條件：b)光源單色性要求：半波帶寬不大于10nm;d)帶有旋轉(zhuǎn)機構(gòu)的光學(xué)機械要求：能夾緊光學(xué)元件（指起偏鏡、分析鏡和學(xué)元件在旋轉(zhuǎn)機械上應(yīng)有對應(yīng)的標識線，標明該元件的光學(xué)主軸(指偏振軸或快軸)方位以便與角度刻度線配合，控制光學(xué)元件的旋轉(zhuǎn)角度。標識-試件與光學(xué)元件的不平行或傾斜；-CCD采集參數(shù)設(shè)置不當(dāng)，圖像飽和；測試樣品為SiC晶片，其厚度應(yīng)該均勻分布，最大偏差不超過1000nm應(yīng)該保持恒定溫度25度，濕度45%，需要在暗室環(huán)境下操作。2'2解包裹處理。不過SiC材料的應(yīng)力雙折射效應(yīng)較弱，試件厚度應(yīng)力信息，而獲取試件內(nèi)部真實的應(yīng)力場需將試件旋轉(zhuǎn)90度置于系統(tǒng)中，重新測試。測試結(jié)果中同一點b)所用測試系統(tǒng)的名稱及技術(shù)參數(shù)，特別是光源中心波光程差分布圖。如果采用軟件進行了應(yīng)力全場分析

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