光敏傳感器的光電特性實驗20130619[1]光敏傳感器的光電特性研究光敏傳感器是將光信號轉換為電信號的傳感器，也稱為光電式傳感器，它可用于檢測直接引起光強度變化的非電量，如光強、光照度、輻射測溫、氣體成分分析等；也可用來檢測能轉換成光量變化的其它非電量，如零件直徑、表面粗糙度、位移、速度、加速度及物體形狀、工作狀態識別等。光敏傳感器具有非接觸、響應快、性能可靠等特點，在工業自動控制及智能機器人中得到廣泛應用。因此，了解光敏傳感器的原理、測量其基本特性并學會使用是十分必要的。【實驗目的】1、了解光敏電阻的基本特性，測出它的伏安特性曲線和光照特性曲線；2、了解硅光電池的基本特性，測出它的伏安特性曲線和光照特性曲線；3、了解硅光敏二極管的基本特性，測出它的伏安特性和光照特性曲線；4、了解硅光敏三極管的基本特性，測出它的伏安特性和光照特性曲線。【實驗原理】1、光電效應光敏傳感器的物理基礎是光電效應，光電效應通常分為外光電效應和內光電效應兩大類。在光輻射作用下電子逸出材料的表面，產生光電子發射稱為外光電效應，或光電子發射效應，基于這種效應的光電器件有光電管、光電倍增管等。電子并不逸出材料表面的則是內光電效應，幾乎大多數光電控制應用的傳感器都是此類，通常有光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管、硅光電池等。光電導效應、光生伏特效應是兩種常見的內光電效應。（1）光電導效應若光照射到某些半導體材料上時，透過到材料內部的光子能量足夠大，某些電子吸收光子的能量，從原來的束縛態變成導電的自由態，這時在外電場的作用下，流過半導體的電流會增大，即半導體的電導會增大，這種現象叫光電導效應。它是一種內光電效應。光電導效應可分為本征型和雜質型兩類。前者是指能量足夠大的光子使電子離開價帶躍入導帶，價帶中由于電子離開而產生空穴，在外電場作用下，電子和空穴參與電導，使電導增加。雜質型光電導效應則是能量足夠大的光子使施主能級中的電子或受主能級中的空穴躍遷到導帶或價帶，從而使電導增加。雜質型光電導的長波限比本征型光電導的要長的多。（2）光生伏特效應在無光照時，半導體PN結內部自建電場。當光照射在PN結及其附近時，在能量足夠大的光子作用下，在結區及其附近就產生少數載流子（電子、空穴對）。載流子在結區外時，靠擴散進入結區；在結區中時，則因電場E的作用，電子漂移到N區，空穴漂移到P區。結果使N區帶負電荷，P區帶正電荷，產生附加電動勢，此電動勢稱為光生電動勢，此現象稱為光生伏特效應。2、光敏傳感器的基本特性本實驗主要是研究光敏電阻、硅光電池、光敏二極管、光敏三極管四種光敏傳感器的基本特性。光敏傳感器的基本特性則包括：伏安特性、光照特性等。其中光敏傳感器在一定的入射照度下，光敏元件的電流I與所加電壓U之間的關系稱為光敏器件的伏安特性。改變照度則可以得到一族伏安特性曲線。它是傳感器應用設計時選擇電參數的重要依據。光敏傳感器的光譜靈敏度與入射光強之間的關系稱為光照特性，有時光敏傳感器的輸出電壓或電流與入射光強之間的關系也稱為光照特性，它也是光敏傳感器應用設計時選擇參數的重要依據之一。掌握光敏傳感器基本特性的測量方法，為合理應用光敏傳感器打好基礎。（1）光敏電阻利用具有光電導效應的半導體材料制成的光敏傳感器稱為光敏電阻。目前，光敏電阻應用的極為廣泛，可見光波段和大氣透過的幾個窗口都有適用的光敏電阻。利用光敏電阻制成的光控開關在我們日常生活中隨處可見。當內光電效應發生時，光敏電阻電導率的改變量為：????p?e??p??n?e??n（1）在（1）式中，e為電荷電量，?p為空穴濃度的改變量，?n為電子濃度的改變量，?表示遷移率。當兩端加上電壓U后，光電流為：Iph?A????Ud（2）式中A為與電流垂直的表面，d為電極間的間距。在一定的光照度下，??為恒定的值，因而光電流和電壓成線性關系。光敏電阻的伏安特性如圖１a所示，不同的光照度可以得到不同的伏安特性，表明電阻值隨光照度發生變化。光照度不變的情況下，電壓越高，光電流也越大，而且沒有飽和現象。當然，與一般電阻一樣光敏電阻的工作電壓和電流都不能超過規定的最高額定值。1圖１a光敏電阻的伏安特性曲線圖１b光敏電阻的光照特性曲線光敏電阻的光照特性則如圖１b所示。不同的光敏電阻的光照特性是不同的，但是在大多數的情況下，曲線的形狀都與圖１b的結果類似。由于光敏電阻的光照特性是非線性的，因此不適宜作線性敏感元件，這是光敏電阻的缺點之一。所以在自動控制中光敏電阻常用作開關量的光電傳感器。（2）硅光電池硅光電池是目前使用最為廣泛的光伏探測器之一。它的特點是工作時不需要外加偏壓，接收面積小，使用方便。缺點是響應時間長。圖２a為硅光電池的伏安特性曲線。在一定光照度下，硅光電池的伏安特性呈非線性。圖２a硅光電池的伏安特性曲線圖２b硅光電池的光照特性曲線*圖２b中1：開路電壓2：短路電流當光照射硅光電池的時候，將產生一個由N區流向P區的光生電流Iph；同時由于PN結二極管的特性，存在正向二極管管電流ID，此電流方向與光生電流方向相反。所以實際獲得的電流為：??eVI?Iph?ID?Iph?I0?exp??nkBT?????1???（3）式中V為結電壓，I0為二極管反向飽和電流，n為理想系數，表示PN結的特性，通常在1和2之間，kB為波爾茲曼常熟，T為絕對溫度。短路電流是指負載電阻相對于光電池的內阻來講是很小的時候的電流。在一定的光照度下，當光電池被短路時，結電壓V為0，從而有：ISC?Iph（4）負載電阻在20歐姆以下時，短路電流與光照有比較好的線性關系，負載電阻過大，則線性會變壞。開路電壓則是指負載電阻遠大于光電池的內阻時硅光電池兩端的電壓，而當硅光電池的輸出端開路時有I?0，由（3）（4）式可得開路電壓為：VOC?nkBT?ISC?ln??1?qI?0?（5）圖２b為硅光電池的光照特性曲線。開路電壓與光照度之間為對數關系，因而具有飽和性。因此，把硅光電池作為敏感元件時，應該把它當作電流源的形式使用，即利用短路電流與光照度成線性的特點，這是硅光電池的主要優點。（3）光敏二極管和光敏三極管光敏二極管的伏安特性相當于向下平移了的普通二極管，光敏三極管的伏安特性和光敏二極管的伏安特性類似，如圖３a，３b所示。但光敏三極管的光電流比同類型的光敏二極管大好幾十倍，零偏壓時，光敏二極管有光電流輸出，而光敏三極管則無光電流輸出。原因是它們都能產生光生電動勢，只因光電三極管的集電結在無反向偏壓時沒有放大作用，所以此時沒有電流輸出（或僅有很小的漏電流）。2圖３a光敏二極管的伏安特性曲線圖３b光敏三極管的伏安特性曲線光敏二極管的光照特性亦呈良好線性，這是由于它的電流靈敏度一般為常數。而光敏三極管在弱光時靈敏度低些，在強光時則有飽和現象，這是由于電流放大倍數的非線性所至，對弱信號的檢測不利。故一般在作線性檢測元件時，可選擇光敏二極管而不能用光敏三極管。圖４a光敏二極管的光照特性曲線圖４b光敏三極管的光照特性曲線【實驗方案】一、組建定標電路實驗儀器所有的光敏傳感器的特性測量所用光源強度均為相對光照強度，是利用硅光電池的短路電流與光照強度的線性關系來對比測量待測傳感器的特性。每一個待測傳感器旁都裝有一個硅光電池，與待測傳感器同時得到相同的照度。實驗設計的光照度為參考值，由定標系統的數字電壓表進行定標。圖５定標電路圖其中，R為取樣電阻，由于硅光電池的內阻很大，當R取50~100歐姆時，回路電流仍可近似看成短路電流。電壓表所顯示的電壓值就稱為定標電壓值。二、搭建測量電路在組建好定標電路之后就可以對相應的光敏傳感器進行特性測量。其中不同的傳感器測量電路也不盡相同。分別如下：1、光敏電阻、光敏二極管和三極管的特性測試電路圖６2、硅光電池的特性測試儀器面板示意圖如圖所示，開關K指向“1”時，電壓表測量開路電壓UOC，開關指向“2”時，Rx1短路，電壓表測量R1電壓UR1。3圖７【實驗儀器】FD-LS－Ａ光敏傳感器光電特性實驗儀，該實驗儀由光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管、硅光電池四種光敏傳感器及可調光源、電阻箱、數字電壓表等組成。【內容及要求】本實驗共包括四種傳感器，其中光敏電阻為必做，其余同學們根據自己興趣從中選擇1~2個傳感器自行測量。1、光敏電阻的伏安特性測試（a）按實驗儀面板示意圖６接好實驗線路，基準參考硅光電池接相對照度處的硅光電池接口，輸出接定標系統的數字電壓表。光源用標準鎢絲燈將檢測用光敏電阻裝入待測點，連結+2--+12V電源，光源電壓0--24V電源（可調）。（b）先將可調光源調至一定的光照度，每次在一定的光照條件下，測出加在光敏電阻上電壓為+2V；+4V；+6V；+8V；+10V；+12V時電阻R1兩端的電壓UR，從而得到6個光電流數據Iph?URU?UR，同時算出此時光敏電阻的阻值，即Rg?cc。以后調節相對光強重復上1.00k?IPh述實驗（要求至少在三個不同照度下重復以上實驗）。（c）根據實驗數據畫出光敏電阻的伏安特性曲線。2、光敏電阻的光照特性測試（a）按實驗儀面板示意圖(圖６)接好實驗線路，基準參考硅光電池接相對照度處的硅光電池接口，輸出接定標系統的數字電壓表。光源用標準鎢絲燈將檢測用光敏電阻裝入待測點，連結+2--+12V電源，光源電壓0--24V電源（可調）。（b）從UCC=0開始到UCC=12V，每次在一定的外加電壓下測出光敏電阻在相對光照度從“弱光”到逐步增強的光電流數據，即：Iph?URUcc?UR，同時算出此時光敏電阻的阻值，即：Rg?。這里要求至少測出15個不同照度下的光電流數據，尤其要在1.00K?IPh弱光位置選擇較多的數據點，以使所得到的數據點能夠繪出完整的光照特性曲線。（c）根據實驗數據畫出光敏電阻的光照特性曲線。3、光敏二極管的伏安特性和光照特性測試表格和要求與光敏電阻表格類似（請同學們自畫表格），注意測量時用反向電源測量反向特性。4、光敏三極管的伏安特性和光照特性測試表格和要求與光敏電阻表格類似（請同學們自畫表格）5、硅光電池的伏安特性測試(a)按照圖７所示連接好實驗線路，其中電阻箱為外置電阻箱(從0?調至5000?),由實驗者自行連接到電路中。光源用標準鎢絲燈，將待測硅光電池裝入待測點，光源電壓+0—24V(可調)。(b)先將可調光源的光強調至一定的照度，每次在一定的照度下，調節可調電阻箱的阻值，然后測出一組硅光電池的光電壓U0和取樣電阻R1兩端的電壓UR1,則光電流Iph?UR(50.00?為取樣電阻的阻值)，這里要求至少測出15個數據點，以繪出完整的伏安特性曲線。,以后逐步50.00?選擇不同的光照度（至少２個），重復上述實驗。(c)根據實驗數據畫出硅光電池的一族伏安曲線。6、硅光電池的光照度特性測試(a)實驗線路見圖７，將10k和100歐姆的電阻短接，只留R1作為取樣電阻。(b)先將可調光源調至一定的照度下，測出該照度下硅光電池的開路電壓Uoc和短路電流Isc數據,其中短路電流為Isc?，以后逐步改變可調光源的照度（8～10次），重復測出開路電壓和短路電壓。50.00?為取樣電阻）(ｃ)根據實驗數據畫出硅光電池的光照特性曲線。【注意事項】U（近似值，50.00?41、測量光敏二極管的反向特性時，注意把二極管反接。2、硅光電池的兩端不允許加電源電壓，以免燒壞光電池。3、所有的電流值都是通過測量取樣電阻的電壓值間接得到的。【思考題】1.2.3.實驗中光照強度的定標原理是什么？為何使用硅光電池進行定標？在關掉燈泡電源后，定標電壓是否為零？如果不為零，是什么值，為什么會產生這種情況？總結出所測傳感器光電特性的特點【預習要求】1.了解光電效應，知道光電效應的分類。2.了解四種光敏傳感器的工作原理，及這四種器件伏安特性和光照特性所具有的特點。3.了解光敏傳感器光電特性實驗儀的使用方法，掌握四種光敏傳感器伏安特性和光照特性的測試方法。【實驗報告要求】1.2.3.書寫規范、條理清楚。實驗數據完整準確，圖表制作規范、整潔，根