1定填補了國內SiC單晶拋光片堆垛層錯測試技術領域的標準空白，有利于規范和統一根據《國家標準化管理委員會關于下達2024年第一批推薦性國家標準計劃及相關國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會（SAC/TC203/SC2）共同提山東天岳先進科技股份有限公司，成立于2010年，主營業務是寬禁帶半導體碳化化項目近40項，開展了4-8英寸碳化硅襯底生長過程中的基礎理論研究，解決了缺陷2材料龍頭企業，躋身國際碳化硅襯底領域第一梯隊。公司獲得了2014年山東省技術發峰“領跑者”企業；擁有核心專利500余項，并成為國家知識產權示范企業。32)考慮用戶的當前使用要求及以后技術發展的儀器設備、樣品、試驗步驟、試驗數據處理、精密度、2.5.1光源功率的穩定性會影響儀器對堆垛層錯缺陷的信號采集，在圖像分析時易42.5.3碳化硅單晶拋光片表面的拋光狀態，如粗糙度過大，會對堆垛層錯測試結果2.5.4碳化硅單晶拋光片表面的潔凈狀態，如嚴重的顆粒和表面沾污，會對堆垛層2.5.5儀器軟件參數的設置，如面積閾值和靈敏度閾值，會影響堆垛層錯數量及面在確保儀器穩定的前提下，根據實驗室的實際情況，規定的測試條件為：溫度：以上要求；儀器安裝場地及附近應無強震動源，測試設備包括光源、光學接收器件、濾光器、CCD/PMT、模擬數字轉換器、晶片氣體放電燈如汞-氙氣燈和規定發射波長的二極管激光器可以用作電子激發的典型例如，汞-氙氣燈的313nm發射光源或二極管激光器根據PL光譜選擇滿足測試4H-SiC堆垛層錯信號的濾光器。使用可通過波長范圍為400nm~550nm或650nm以上的濾光器獲得4H-SiC堆垛52)確保裝載系統、PL光學系統、數據處理系統處于N2—格子總數；N—堆垛層錯面積占比。63個測試單位巡回測試得到。單個測試單位重復性測試的相對標準偏差不大于15%，3個測試單位的再現性相對標準偏差不大于15%。具根據碳化硅單晶拋光片堆垛層錯測試方法的要求，編制組分別選取了3片單位均采用光致發光法測試堆垛層錯，入射激光為紫外激光，接收層錯的特征光譜為測試結果相對標準偏差單個測試單位重復測試7次）測試單位片號堆垛層錯所占格子數量堆垛層錯格子面積占比山東天岳80710910CNG41.76%1.83%廣東天域0.98%0.99%安徽長飛0.92%0.94%多測試單位測試再現性5.47%5.46%山東天岳CN6N678107060.43%0.41%廣東天域0.46%0.44%安徽長飛0.63%0.64%多測試單位測試再現性4.85%4.83%山東天岳CN6N678101051.11%1.12%7廣東天域0.78%0.79%安徽長飛2.23%2.21%多測試單位測試再現性5.07%5.07%山東天岳D6901103CNE10.81%0.83%廣東天域1.86%1.84%安徽長飛1.04%1.04%多測試單位測試再現性4.48%4.48%山東天岳17505606CNF53.08%3.00%廣東天域2.06%2.03%安徽長飛1.08%0.95%多測試單位測試再現性5.22%5.24%山東天岳19805007CNG41.21%1.31%廣東天域1.72%安徽長飛2.47%2.52%多測試單位測試再現性10.48%10.44%采用單個測試單位相對標準偏差的計算方法得到多個測試單位的再現性相對標準偏差，本標準為首次制定，國內外同類標準相比，標準法律、法規及國家