上海聯通網絡優化中心系統優化處主管，集團網優戰略人才專家，從事移動網規劃優化、無線網集中評估和新技術專項研究工作。楊飛虎VoLTE的eSRVCC切換關鍵問題及策略研究分析上海聯通網絡優化中心楊飛虎背景VoLTE開啟了向移動寬帶語音演進之路，其給我們帶來兩方面的價值，一是提升無線頻譜利用率、降低網絡成本，另一個價值就是提升用戶語音感知體驗。上海無線環境復雜，在4G覆蓋邊緣或深度覆蓋區域如何保障用戶語音感知，需在VoLTE業務商用前研究制定一套完善的VoLTE會話持續性策略。BestVoice更短的呼叫建立時延更好的語音質量

<6.8sCSFB<5sUltra-FlashCSFB<3sVoLTENB-AMR12.2kbpsWB-AMR23.85kbpsGSMHR4.8kbps語音網絡結構演進All-IP電路連接>4.0MOS<1sSetupTimeVoLTE>400VoLTEUsersperCell<4sSetupTimeUltra-FlashCSFBVoLTE語音連續性解決方案-SRVCC的引入及演進LTE網絡建設初期，其覆蓋范圍有限，當用戶在使用LTE網絡進行語音通話過程中，移動到LTE信號較弱，但GERAN/UTRAN網絡信號覆蓋較好的區域時，3GPP在R9中提出了SRVCC（SingleRadioVoiceCallContinuity）。但由于此方案需要在IMS域創建新的承載，延時較長，用戶體驗較差。演進eSRVCC功能與SRVCC相比，eSRVCC在保證語音呼叫連續性的同時，盡可能地減小了切換時延，將時延控制在人類所能感知的范圍之內，使正在進行的通話不會感覺到有中斷的跡。SRVCCeSRVCCeSRVCC切換策略制定原則及切換過程分析宏站設置時主體以路面感知為導向，根據城區與郊區的不同場景分別設置，重點場景涉及的宏站單獨設置，根據MR采樣點，在路面參數方案上適當調整，減少掉話風險。室分場景分電梯場景（快衰）與一般場景（慢衰），快衰場景eSRVCC觸發流程建議使用B1算法，以加快切換速度，避免信號衰落較快導致掉話，慢衰場景可使用B2算法。測量階段從A2事件觸發/B2測控下發至B2事件上報。準備階段從B2事件上報至切換命令。執行階段從切換命令至切換完成。測量階段和準備階段時延影響eSRVCC切換成功率，執行階段會語音中斷，影響用戶感知。eSRVCC切換流程參數門限分宏站和室分兩類場景eSRVCC切換過程分測量、準備、執行基于MOS值設置eSRVCC切換門限分析目前對于MOS值的統計是針對MOS均值以及MOS值如下占比：語音MOS質量＝（MOS>=2.5個數）/（MOS個數）×100％語音MOS質量＝（MOS>=3.0個數）/（MOS個數）×100％語音MOS質量＝（MOS>=3.5個數）/（MOS個數）×100％語音MOS質量取主、被叫手機的統計結果，按照分段出具采樣點統計。統計上海網格第一輪長呼VOLTE拉網MOS統計結果，如下表所示：網格MOS>=3比例MOS>=3.5比例MOS均值LTE覆蓋率RTP丟包率語音MOS質量＝（MOS>=3.0個數）/（MOS個數）語音MOS質量＝（MOS>=3.5個數）/（MOS個數）LTE覆蓋率（RSRP>=-110&SINR>=-3）=LTE條件采樣點/覆蓋率計算參數,LTE總采樣點；RTP丟包率=（發送RTP數-接收到RTP數）/發送RTP數網格198.29%93.50%3.9797.26%0.42%網格297.89%92.51%3.9498.26%0.47%網格393.22%88.81%3.8599.30%1.50%主要受切換影響，網格DT測試數據中MOS受RSRP和SINR影響沒有呈現出明顯規律，統計全部測試采樣點發現RSRP與MOS并無直接映射關系如下：為進一步對語音MOS值進行分析找出其拐點，首先排除切換影響，單獨針對RSRP以及SINR選點做CQT測試。RSRP與MOS的關系圖MOS是VOLTE語音質量評估的主要參考因素eSRVCC切換門限驗證結果評估：基于RSRP和MOS相關性驗證結果以SINR=-3、0dB選點，RSRP由-70dBm衰減步長5dBm，直到掉話為止，做VoLTE的CQT測試，統計每個信號點強度CQTlog的RSRP平均值，以及MOS平均值，做出折線圖。根據第一輪測試數據找出MOS衰落的轉折點，以該轉折點為起測點，再次做VoLTE的CQT測試

，衰減步長為3dBm，直到掉話，相差10dBm以內的RSRP選點要求SINR值波動范圍在0-5dB內，統計最終的MOS隨RSRP變化折線圖。RSRP值采樣由-90dBm衰減到-119dBm。RSRP-90-95-100-105-110-115-119SINR0000000RSRP值采樣由-100dBm衰減到-119dBm。RSRP-100-105-110-115-119SINR-3-3-3-3-3數據整理后得出如下折線圖：數據整理后得出如下折線圖：SINR值固定為-3dB選點測試SINR值固定為0dB選點測試結論：SINR=-3dB，對應的RSRP采樣最優點只取到-100dBm，整個衰減過程中，MOS值均在4以下，RSRP為-115dBm以后MOS值由3以下向下波動。結論：當SINR=0，RSRP=-98dBm時MOS值開始由4向下波動。eSRVCC切換門限驗證結果評估：基于RSRP和MOS相關性驗證方法據第一輪測試數據-100dbm為MOS值向下波動拐點，針對RSRP低于-100dBm的點重點測試，衰減步長為3dBm，SINR值選點盡量在0-5dB范圍內波動。選取測試點如下：將所有MOS對應采樣時間點8s內的RSRP和SINR取值求平均，MOS采樣點共768個，根據步驟一測試數據，拐點后的RSRP值重點測試，采樣點較多，取整處理匯總得出MOS隨RSRP變化圖像，已排除RSRP變化過程中SINR變化對MOS的影響，呈現折現圖像如下：結論1：RSRP由-70dBm衰減到-105dBm過程中，MOS值穩定在4左右。結論2：RSRP-105dBm衰減到-123dBm過程中MOS值呈現大幅度衰落，該變化中SINR在0-5dB范圍內波動，排除SINR對MOS值的影響。結論3：RSRP=-105開始MOS值開始由4向下波動。結論4：RSRP=-115開始MOS值出現3以下的值。結論5：RSRP=-119開始MOS值出現2.5以下的值。RSRP-90-95-100-105-108-111-114-117-120-123-126-129-132eSRVCC切換門限驗證結果評估：基于SINR和MOS相關性驗證方法以RSRP=-95、-110和-115dBm選點，SINR由20dB，衰減步長為5dB，直到掉話，做VoLTE的CQT測試，統計每個信號點強度CQTlog的SINR平均值，以及MOS平均值，做出折線圖。根據第一輪測試數據找出MOS衰落的轉折點，以該轉折點為起測點，再次做VoLTE的CQT測試

，衰減步長為2dB，直到掉話，相差5dBm以內的SINR選點要求RSRP值波動范圍在10dB以內，統計最終的MOS隨SINR變化折線圖。評估方式：為排除RSRP對MOS的影響，測試選點RSRP值相同，分別取-95，-110，-115探究RSRP值變化對MOS值的影響。SINR2015108642RSRP-95-95-95-95-95-95-96數據整理后得出如下折線圖：結論：排除RSRP值影響，當RSRP=-95，SINR=6dBMOS值開始由4向下波動。RSRP值采樣由20dB衰減到2dBRSRP值采樣由8dB衰減到-6dBSINR86420-2-4-6RSRP-110-110-110-110-110-110-110-110結論：當RSRP=-110dBm,SINR值最高點取到8dB，MOS值一直在4以下，SINR=0開始MOS值由3向下波動。RSRP值采樣由8dB衰減到-6dBSINR86420-2-4-6RSRP-115-115-115-115-115-115-115-115結論：當RSRP=-115dBm,SINR值最高點取到8dB，MOS值一直在4以下，SINR=1開始MOS值由3向下波動RSRP值固定為-95dBm選點測試數據整理后得出如下折線圖：RSRP值固定為-110dBm選點測試數據整理后得出如下折線圖：RSRP值固定為-115dBm選點測試eSRVCC切換門限驗證結果評估：基于SINR和MOS相關性驗證方法根據第一輪測試數據8dB為MOS值由4向下波動拐點，針對SINR低于8dB的點重點測試，衰減步長為2dBm，RSRP值選點盡量在-110dBm左右波動，選取測試點如下：將所有MOS對應采樣時間點8s內的RSRP和SINR取值求平均，MOS采樣點共768個，拐點后的SINR值重點測試，采樣點較多，數據取整處理匯總得出MOS隨SINR變化圖像，已排除SINR變化過程中RSRP對MOS的影響，呈現折線圖如下：結論1：SINR由25dB衰落到9dB，MOS穩定在4左右。結論2：SINR由8dB衰減到-9dB過程中，MOS值呈現大幅度衰落，此變化過程中RSRP在-110dBm左右波動，排除RSRP對MOS值影響。SINR2015108531-1-3-5-7-9結論3：SINR=8dB開始MOS值開始由4向下波動。結論4：SINR=0dB開始MOS值出現3以下的值。結論5：SINR=-3dB開始MOS值出現2.5以下的值。總結為保證VOLTE語音通話的連續性和用戶的良好感知，在LTE覆蓋較弱區域采用eSRVCC切換到3G，做好eSRVCC切換門限優化策略是關鍵，根據以上CQT測試數據的研究