金屬鍵 金屬晶體 課后練習(xí) 高二下學(xué)期化學(xué)蘇教版(2019)選擇性必修2_第1頁(yè)
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試卷第=page11頁(yè),共=sectionpages33頁(yè)試卷第=page11頁(yè),共=sectionpages33頁(yè)3.1金屬鍵金屬晶體課后練習(xí)高二下學(xué)期化學(xué)蘇教版(2019)選擇性必修2一、單選題1.晶體是一類非常重要的材料,在很多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。我國(guó)現(xiàn)已能夠拉制出直徑為300mm、重達(dá)81kg的大直徑硅單晶,晶體硅材料被大量用于電子產(chǎn)業(yè)。下列敘述正確的是A.形成晶體硅的速率越快越好B.晶體硅有固定的熔點(diǎn),研碎后就變成了非晶體C.可用X射線衍射實(shí)驗(yàn)來(lái)區(qū)分晶體硅和玻璃D.晶體硅具有自范性,但無(wú)各向異性2.金屬鍵是正、負(fù)電荷之間的A.相互排斥 B.陰、陽(yáng)離子之間的相互作用C.相互吸引 D.相互排斥和相互吸引,即相互作用3.下列不能用電子氣理論解釋的是A.導(dǎo)電性 B.導(dǎo)熱性 C.延展性 D.銹蝕性4.鋁的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)比鎂高的原因是A.鎂比鋁活潑 B.鋁的化合價(jià)比鎂高C.鋁的外圍電子比鎂多、原子半徑比鎂小 D.鋁能與酸堿反應(yīng)5.鐵鎂合金是目前已發(fā)現(xiàn)的儲(chǔ)氫密度較高的儲(chǔ)氫材料之一,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(黑球代表Fe,白球代表Mg)。則下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是

A.鐵鎂合金的化學(xué)式可表示為B.晶胞中有14個(gè)鐵原子C.晶體中存在的化學(xué)鍵類型為金屬鍵D.該晶胞的質(zhì)量是(表示阿伏加德羅常數(shù)的值)6.“烏銅走銀”是云南特有的中國(guó)傳統(tǒng)銅制工藝品。它以銅為胎,在胎上雕刻各種花紋圖案,然后將熔化的銀(或金)水填入花紋圖案中,完成制作后需經(jīng)常用汗?jié)竦氖帜Σ疗魑铮广~胎變?yōu)闉鹾冢赋鲢y(或金)紋圖案。下列有關(guān)該工藝的說(shuō)法錯(cuò)誤的是A.用銅和少量的貴金屬熔煉成的銅胎仍具有金屬性能B.熔化銀(或金)時(shí)需破壞金屬鍵C.銅胎變?yōu)鹾诘脑蚴呛挂褐写嬖谘趸晕镔|(zhì)使銅變成了氧化銅D.“烏銅走銀”工藝品最終呈現(xiàn)出黑白(或黑黃)分明的裝飾效果7.物質(zhì)結(jié)構(gòu)理論推出:金屬鍵越強(qiáng),其金屬的硬度越大,熔、沸點(diǎn)越高。且研究表明,一般來(lái)說(shuō),金屬陽(yáng)離子半徑越小,所帶電荷越多,則金屬鍵越強(qiáng),由此判斷下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A.硬度:Mg>Al B.熔、沸點(diǎn):Mg>CaC.硬度:Mg>K D.熔、沸點(diǎn):Ca>K8.下列敘述正確的是A.任何晶體中,若含有陽(yáng)離子,就一定含有陰離子B.金屬晶體的形成是因?yàn)榫w中存在金屬陽(yáng)離子間的相互作用C.價(jià)電子數(shù)越多的金屬,其原子的金屬性越強(qiáng)D.大多數(shù)金屬都具有良好的延展性9.下列有關(guān)金屬的說(shuō)法正確的是A.常溫下都是晶體 B.最外層電子數(shù)小于3個(gè)的都是金屬C.任何狀態(tài)下都有延展性 D.都能導(dǎo)電、傳熱10.下列關(guān)于準(zhǔn)晶的說(shuō)法正確的是A.準(zhǔn)晶和晶體可以通過(guò)射線衍射實(shí)驗(yàn)加以區(qū)別B.準(zhǔn)晶具有良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性C.自然界中不存在天然條件下形成的準(zhǔn)晶D.已知的準(zhǔn)晶中都含有共價(jià)鍵11.通過(guò)下列實(shí)驗(yàn)可從I2,的CCl4溶液中回收I2。下列說(shuō)法正確的是A.NaOH溶液與I2反應(yīng)的離子方程式:I2+2OH-=I-+IO+H2OB.通過(guò)過(guò)濾可將水溶液與CCl4分離C.向加酸后的上層清液中滴加AgNO3溶液生成AgI沉淀,1個(gè)AgI晶胞(如圖)中含14個(gè)I-D.回收的粗碘可通過(guò)升華進(jìn)行純化12.金屬鍵的形成是通過(guò)()A.金屬原子與自由電子之間的相互作用B.金屬離子與自由電子之間強(qiáng)烈的相互作用C.自由電子之間的相互作用D.金屬離子之間的相互作用13.鐵元素形成的單質(zhì)有三種晶胞的結(jié)構(gòu),如圖所示,則下列說(shuō)法正確的是A.鐵元素基態(tài)原子M層上有8對(duì)成對(duì)電子B.三種晶胞α、β、θ的邊長(zhǎng)之比為:C.三種晶胞α、β、θ中鐵原子的配位數(shù)之比為D.將鐵加熱到1500℃分別急速冷卻和緩慢冷卻,得到的晶體結(jié)構(gòu)相同14.下列關(guān)于晶體的說(shuō)法正確的是A.晶體與非晶體的本質(zhì)區(qū)別為是否具有固定的熔點(diǎn)B.因晶體內(nèi)部微粒排列的高度有序性,它們的物理性質(zhì)具有各向同性C.氯化鋁晶體和干冰晶體熔融時(shí),克服的粒子間作用力相同D.金屬晶體能導(dǎo)電是因?yàn)榫w內(nèi)金屬陽(yáng)離子在外加電場(chǎng)作用下定向移動(dòng)15.金的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(假設(shè)晶胞參數(shù)為anm),下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A.金原子在晶胞中的空間利用率約為74%B.c原子的坐標(biāo)為(,0,)C.該晶體的密度為D.金晶胞沿z軸方向的投影圖為16.可用于配制無(wú)機(jī)防銹顏料的復(fù)合氧化物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖,下列說(shuō)法中不正確的是A.該復(fù)合氧化物的化學(xué)式為B.若圖中A的原子坐標(biāo)均為(0,0,0),則C的原子坐標(biāo)為(0,0.5,0.5)C.若該晶體密度為,鈣和氧的最近距離為anm,則阿伏加德羅常數(shù)D.由晶胞結(jié)構(gòu)可知,與1個(gè)鈣原子等距離且最近的氧原子有8個(gè)17.金屬鉛的晶粒大小與熔點(diǎn)關(guān)系如圖所示。下列敘述正確的是A.鉛與鍺位于同主族且單質(zhì)晶體類型相同 B.鉛晶粒越大,其熔點(diǎn)越低C.鉛晶體中含陽(yáng)離子,必含陰離子 D.鉛晶體熔點(diǎn)高低與晶粒表面積大小有關(guān)18.一種鋰鋅合金的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。其晶胞參數(shù)為,、的半徑依次為、。下列敘述錯(cuò)誤的是已知:①設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值。②晶胞空間利用率等于粒子總體積與晶胞體積之比。③位于頂點(diǎn)、面心和晶胞內(nèi)部,位于棱心和晶胞內(nèi)部A.鋰鋅晶體由陽(yáng)離子和電子構(gòu)成 B.該晶胞中兩種陽(yáng)離子數(shù)之比為C.該晶胞空間利用率 D.該晶體密度19.一些合金有“記憶”自己過(guò)去形狀的能力,被稱作“記憶”合金。一種可以通過(guò)磁場(chǎng)控制的磁性形狀記憶合金的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A.該合金的組成為Cu2MnAlB.與Al原子距離最近的Al原子有12個(gè)C.Al原子位于Mn原子構(gòu)成的正八面體空隙之中D.晶胞的密度為20.有關(guān)某些晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示,下列說(shuō)法不正確的是晶體銅晶體晶體有E原子和F原子構(gòu)成的氣態(tài)團(tuán)簇分子模型在晶體中,距最近的有6個(gè)銅晶體為面心立方最密堆積,銅原子的配位數(shù)為4在二氧化硅晶體中,硅氧鍵個(gè)數(shù)為該氣態(tài)團(tuán)簇分子的分子式為或ABCDA.A B.B C.C D.D21.某立方晶系的銻鉀(Sb-K)合金可作為鉀離子電池的電極材料,其晶胞如圖1所示(圖2為晶胞中的一部分),已知,為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說(shuō)法正確的是A.該晶體是離子晶體 B.該合金的組成可表示為K2SbC.與每個(gè)Sb原子距離最近的Sb原子有6個(gè) D.該晶體的密度為22.是一種儲(chǔ)氫密度較高的儲(chǔ)氫合金,其晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。已知:標(biāo)準(zhǔn)狀況下氫氣的密度為ρg?cm,儲(chǔ)氫能力,晶胞參數(shù)分別為xnm、xnm、znm(儲(chǔ)氫前后保持不變)。下列說(shuō)法中正確的是A.a(chǎn)代表的是Ti原子B.每個(gè)b原子周圍距離最近的同類原子有4個(gè)C.若每個(gè)晶胞儲(chǔ)存5個(gè)氫原子較為穩(wěn)定,則儲(chǔ)氫能力為D.V取代晶體中部分Cr原子后,晶胞參數(shù)增大23.一種由硼鎂元素組成的離子化合物具有超導(dǎo)性能。該化合物晶體中硼通過(guò)共價(jià)鍵形成平面層,鎂形成平面層,層和層等距交錯(cuò)排列,俯視圖(部分)如圖。下列說(shuō)法正確的是A.硼層中硼的雜化類型為 B.該化合物的化學(xué)式為MgB2C.鎂周圍最近且等距的硼有6個(gè) D.鎂層內(nèi)存在離子鍵24.某種氮化鐵的結(jié)構(gòu)如圖1所示(晶胞為立方體,邊長(zhǎng)為apm),Cu可替代晶胞中不同位置的Fe,圖2為其能量變化示意圖,形成Cu替代型的化學(xué)式是。下列說(shuō)法不正確的是A.圖1中氮化鐵的化學(xué)式是 B.a(chǎn)位置Fe周圍最近的N有6個(gè)C.兩個(gè)b位置Fe的最近距離為 D.最穩(wěn)定的Cu替代型產(chǎn)物的化學(xué)式為25.氰氨化鈣是無(wú)公害農(nóng)產(chǎn)品生產(chǎn)中極具使用價(jià)值的一種土壤改良劑,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,下列有關(guān)說(shuō)法錯(cuò)誤的是A.該化合物的焰色試驗(yàn)為磚紅色 B.氰氨化鈣的化學(xué)式為C.每個(gè)陰離子團(tuán)的配位數(shù)為12 D.該晶體的密度為二、填空題26.金屬晶體定義:金屬原子間通過(guò)形成的晶體。27.Wilson病是一種先天性銅代謝障礙性疾病,D-青霉胺具有排銅作用,用以治療或控制Wilson病癥。D-青霉胺結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式如下:回答下列問(wèn)題:(1)寫出Cu的簡(jiǎn)化電子排布式:。(2)D-青霉胺在用于臨床治療時(shí)對(duì)于癥狀改善較慢,常有并發(fā)癥出現(xiàn),因而近年采用鋅劑(ZnSO4)替代治療,ZnSO4可由硫化鋅制備。立方硫化鋅晶胞結(jié)構(gòu)如圖:其中a代表S2-,b代表Zn2+。則該晶體中S2-的配位數(shù)為;若晶體的密度為ρg/cm3,則1個(gè)晶胞的體積為cm3(設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,列出計(jì)算式)。28.煤電工業(yè)產(chǎn)生的煙氣或汽車尾氣中常含有NOx、CO等污染大氣的氣體,其中的NOx來(lái)源于如下反應(yīng):反應(yīng)Ⅰ:反應(yīng)Ⅱ:(1)反應(yīng)Ⅱ在常溫下就能自發(fā)進(jìn)行,則a0。(填“>”或“<”)(2)煤電工業(yè)煙氣中的NO可利用“氨法脫硝”處理,其反應(yīng)為①反應(yīng)中,生成時(shí),被氧化的的質(zhì)量為。②工業(yè)上可利用尿素[]水解制得,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為。(3)為避免汽車尾氣中的NOx和CO直接排放到大氣中,可利用“三元催化轉(zhuǎn)換器”將其轉(zhuǎn)化為和。①已知含碳物質(zhì)參與反應(yīng)的能量變化如所示,則NO(g)和CO(g)轉(zhuǎn)化為和的熱化學(xué)方程式為。②“三元催化轉(zhuǎn)換器”中用到了金屬鉑,如圖為金屬鉑的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖。金屬鉑晶體中,鉑原子周圍與之緊鄰的其他鉑原子數(shù)目為。若A原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0,0,0),則B原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為。答案第=page11頁(yè),共=sectionpages22頁(yè)答案第=page11頁(yè),共=sectionpages22頁(yè)參考答案:1.C【詳解】A.晶體的結(jié)晶速率太快可能導(dǎo)致晶體質(zhì)量下降,A項(xiàng)錯(cuò)誤;B.晶體硅有固定的熔點(diǎn),研碎后仍為晶體,B項(xiàng)錯(cuò)誤;C.對(duì)固體進(jìn)行X射線衍射實(shí)驗(yàn)是區(qū)分晶體和非晶體最可靠的科學(xué)方法,C項(xiàng)正確;D.晶體硅具有自范性和各向異性,D項(xiàng)錯(cuò)誤;故選C。2.D【詳解】金屬原子脫落下來(lái)的價(jià)電子形成遍布整塊晶體的“電子氣”,被所有原子所共用,從而把所有的金屬原子維系在一起,金屬鍵是金屬陽(yáng)離子和自由電子之間的強(qiáng)烈相互作用,既包括金屬陽(yáng)離子與自由電子之間的靜電吸引作用,也包括金屬陽(yáng)離子之間及自由電子之間的靜電排斥作用,故選D。3.D【詳解】電子氣理論可以解釋金屬晶體的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性、延展性等物理性質(zhì),但不能解釋其化學(xué)性質(zhì),例如銹蝕性,故答案選D。4.C【詳解】金屬鋁和鎂均為金屬晶體,金屬晶體的熔沸點(diǎn)與金屬鍵的強(qiáng)弱有關(guān),鋁與鎂比較,原子半徑比鎂小,價(jià)電子數(shù)比鎂多,故金屬鍵也比鎂的強(qiáng),則熔點(diǎn)、沸點(diǎn)比鎂高,故答案選C。5.B【詳解】A.晶胞中含有鐵原子的數(shù)目為,含有鎂原子的數(shù)目為8,故化學(xué)式可表示為,A項(xiàng)正確,B.據(jù)A選項(xiàng)分析,晶胞中有4個(gè)鐵原子,B項(xiàng)錯(cuò)誤;C.金屬合金仍為金屬,晶體中有金屬鍵,C項(xiàng)正確;D.一個(gè)晶胞中含有4個(gè)“”,其質(zhì)量為,D項(xiàng)正確。故選:B。6.C【詳解】A.合金也具有金屬性能,用銅和少量的貴金屬熔煉成的銅胎仍具有金屬性能,A正確;B.銀(或金)為金屬晶體,熔化時(shí)需破壞金屬鍵,B正確;C.汗液摩擦能提供電解質(zhì)溶液,與銅和銀(或金)形成原電池,銅為負(fù)極,更容易被空氣中的氧氣所氧化,C錯(cuò)誤;D.銀為銀白色,金為黃色,因此“烏銅走銀”工藝品呈現(xiàn)出黑白(或黑黃)分明的裝飾效果,D正確;故答案選C。7.A【分析】根據(jù)題目信息可知金屬鍵越強(qiáng),其金屬的硬度越大,熔沸點(diǎn)越高,一般來(lái)說(shuō),金屬離子半徑越小,價(jià)電子數(shù)越多,金屬鍵越強(qiáng)。【詳解】A、Mg、Al的電子層數(shù)相同,核電荷數(shù)大的離子半徑小,價(jià)電子數(shù)Al>Mg,離子半徑A13+<Mg2+,所以金屬鍵Al>Mg,故Al的硬度大于Mg,A錯(cuò)誤;B、Mg、Ca價(jià)電子數(shù)相同,Ca的電子層數(shù)多,離子半徑Ca2+>Mg2+,所以金屬鍵Mg>Ca,故熔點(diǎn)Mg>Ca,B正確;C、離子半徑Mg2+<Na+<K+,所以金屬鍵Mg>K,故硬度Mg>K,C正確;D、Ca、K位于同一周期,價(jià)電子數(shù)Ca>K,離子半徑K+>Ca2+,金屬鍵Ca>K,故熔點(diǎn)Ca>K,D正確;故選A。8.D【詳解】A.金屬晶體中雖存在陽(yáng)離子,但沒(méi)有陰離子,A項(xiàng)錯(cuò)誤;B.金屬晶體的形成是因?yàn)榫w中存在金屬陽(yáng)離子與自由電子間的相互作用,B項(xiàng)錯(cuò)誤;C.價(jià)電子數(shù)多的金屬元素的金屬性不一定強(qiáng),如的價(jià)電子數(shù)比的多,但的金屬性沒(méi)有的強(qiáng),C項(xiàng)錯(cuò)誤;D.大多數(shù)金屬都具有良好的延展性,D項(xiàng)正確;答案選D。9.D【詳解】A.Hg常溫下是液態(tài),不是晶體,A項(xiàng)錯(cuò)誤;B.H、He最外層電子數(shù)都少于3個(gè),但它們不是金屬,B項(xiàng)錯(cuò)誤;C.金屬的延展性指的是能抽成細(xì)絲、軋成薄片的性質(zhì),在液態(tài)時(shí),由于金屬具有流動(dòng)性,不具備延展性,所以C項(xiàng)也是錯(cuò)誤的;D.金屬晶體中存在自由電子,能夠?qū)щ姟鳠幔虼薉項(xiàng)是正確的。10.A【詳解】A.晶體具有自范性,而準(zhǔn)晶不具有自范性,可以通過(guò)X射線衍射實(shí)驗(yàn)加以區(qū)別,A項(xiàng)正確;B.準(zhǔn)晶具有各向異性,不具有良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性,B項(xiàng)錯(cuò)誤;C.自然界中存在天然條件下形成的準(zhǔn)晶,如Al65Cu23Fe12,C項(xiàng)錯(cuò)誤;D.已知的準(zhǔn)晶中不一定含有共價(jià)鍵,如Al65Cu23Fe12中沒(méi)有共價(jià)鍵,D項(xiàng)錯(cuò)誤;故選A。11.D【詳解】A.選項(xiàng)所給離子方程式元素不守恒,正確離子方程式為:3I2+6OH-=5I-+IO+3H2O,A錯(cuò)誤;B.水溶液與CCl4不互溶,二者應(yīng)分液分離,B錯(cuò)誤;C.根據(jù)均攤法,該晶胞中所含I-的個(gè)數(shù)為=4,C錯(cuò)誤;D.碘易升華,回收的粗碘可通過(guò)升華進(jìn)行純化,D正確;綜上所述答案為D。12.B【詳解】分析:金屬鍵是金屬離子與自由電子之間強(qiáng)烈的相互作用。詳解:金屬原子脫落下來(lái)的價(jià)電子形成遍布整塊晶體的“電子氣”,被所有原子所共用,金屬陽(yáng)離子和自由電子(“電子氣”)之間存在的強(qiáng)烈的相互作用稱金屬鍵,答案選B。13.C【詳解】A.鐵元素基態(tài)原子M層電子排布式為3s23p63d6,則M層上有5對(duì)成對(duì)電子,A錯(cuò)誤;B.若鐵原子的半徑為r,則晶胞α的邊長(zhǎng)為r,晶胞β的邊長(zhǎng)為r,晶胞θ的邊長(zhǎng)為2r,所以邊長(zhǎng)之比為2:2:,B錯(cuò)誤;C.α、β、θ三種晶胞分別為體心立方堆積、面心立方最密堆積、簡(jiǎn)單立方堆積,原子配位數(shù)分別為8、12、6,三種晶胞α、β、θ中鐵原子的配位數(shù)之比為4:6:3,C正確;D.加熱到1500℃急速冷卻得到α-Fe晶體,緩慢冷卻得到θ-Fe晶體,D錯(cuò)誤;綜上所述答案為C。14.C【詳解】A.晶體和非晶體的本質(zhì)區(qū)別是內(nèi)部粒子排列的有序性,從而使晶體在宏觀上具有自范性,而晶體的自范性導(dǎo)致晶體和非晶體物理性質(zhì)的差異,A錯(cuò)誤;B.晶體由于內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)排列的高度有序性導(dǎo)致其許多物理性質(zhì)表現(xiàn)出各向異性,B錯(cuò)誤;C.干冰、氯化鋁均為分子晶體,兩者所克服的粒子間作用力均為分子間作用力,C正確;D.金屬能導(dǎo)電是因?yàn)樽杂呻娮釉谕饧与妶?chǎng)作用下定向移動(dòng),D錯(cuò)誤;故答案選C。15.C【詳解】A.設(shè)金原子半徑為r,則結(jié)合晶胞結(jié)構(gòu)可知4r=,r=,晶胞中含金原子個(gè)數(shù)為,金原子的體積為:4×=,晶胞體積為a3,金原子在晶胞中的空間利用率=≈74%,故A正確;B.a(chǎn)為坐標(biāo)原點(diǎn),c處于面心,結(jié)合晶胞結(jié)構(gòu)可知c原子的坐標(biāo)為(,0,),故B正確;C.晶胞質(zhì)量為:,晶胞體積為:nm3,則晶胞密度為,C項(xiàng)錯(cuò)誤;D.金晶胞沿z軸方向投影,頂點(diǎn)原子均投影在正方形頂點(diǎn),面心分別投影在棱心和面心,投影圖正確,故D正確;故選:C。16.D【詳解】A.Ca位于頂點(diǎn),個(gè)數(shù)為8×18=1,Cr位于體內(nèi),個(gè)數(shù)為1,O位于面上,個(gè)數(shù)為=3,化學(xué)式為CaCrO3B.根據(jù)晶胞圖可知,C位于面心,因此C的坐標(biāo)為(0,0.5,0.5),故B說(shuō)法正確;C.鈣和氧最近的距離是面對(duì)角線的一半,面對(duì)角線長(zhǎng)為2anm,即晶胞邊長(zhǎng)為nm,晶胞的體積為(×10-7)3cm3,根據(jù)A選項(xiàng)分析,晶胞的質(zhì)量為g,則晶胞密度為g/cm3,阿伏加德羅常數(shù)NA=,故C說(shuō)法正確;D.以頂點(diǎn)Ca為標(biāo)準(zhǔn),離Ca最近的氧原子在面心,共有12個(gè),故D說(shuō)法錯(cuò)誤;答案為D。17.D【詳解】A.鉛晶體是金屬晶體,而鍺晶體是共價(jià)晶體,類似金剛石類型,呈正四面體形,A項(xiàng)錯(cuò)誤:B.圖中縱坐標(biāo)由大到小。即鉛晶粒越大,其熔點(diǎn)越高,B項(xiàng)錯(cuò)誤;C.鉛晶體是金屬晶體,由金屬離子和自由電子靠金屬鍵構(gòu)成,含陽(yáng)離子,不含陰離子,C項(xiàng)錯(cuò)誤;D.鉛晶粒表面積越大,顆粒越小,晶體熔點(diǎn)越低,D項(xiàng)正確;故答案選D。18.C【詳解】A.鋰鋅晶體屬于金屬晶體,由陽(yáng)離子和電子構(gòu)成,A正確;

B.位于頂點(diǎn)、面心和晶胞內(nèi)部,位于棱心和晶胞內(nèi)部,按均攤法可知每個(gè)晶胞內(nèi)、依次為、個(gè),則該晶胞中兩種陽(yáng)離子數(shù)之比為,B正確;C.結(jié)合選項(xiàng)B和信息可知,該晶胞空間利用率,C不正確;

D.結(jié)合選項(xiàng)B可知:該晶體密度,D正確;答案選C。19.D【詳解】A.由晶胞結(jié)構(gòu)可知,晶胞中位于頂點(diǎn)、面心、棱上和體內(nèi)的銅原子個(gè)數(shù)為8×+6×+12×+1=8,位于體內(nèi)的錳原子和鋁原子的個(gè)數(shù)均為4,則合金的組成為Cu2MnAl,故A正確;B.由晶胞結(jié)構(gòu)可知,晶胞中位于小立方體頂點(diǎn)的兩個(gè)鋁原子的距離最近,所以與鋁原子距離最近的鋁原子有12個(gè),故B正確;C.由晶胞結(jié)構(gòu)可知,晶胞中鋁原子位于由錳原子構(gòu)成的正八面體空隙之中,故C正確;D.設(shè)晶體的密度為ρg/cm3,由晶胞的質(zhì)量公式可得:=(10-10a)3ρ,解得ρ=,故D錯(cuò)誤;故選D。20.B【詳解】A.在NaCl晶體中,距Na+最近的Cl-是在Na+的上下前后左右,六個(gè)Cl-形成正八面體,故A正確;B.銅晶體為面心立方最密堆積,以面心上銅原子分析,每個(gè)面上有4個(gè)銅原子最近且等距離,共有3個(gè)橫截面,因此銅原子的配位數(shù)為12,故B錯(cuò)誤;C.根據(jù)結(jié)構(gòu)圖,每個(gè)硅原子連接4個(gè)氧原子,1mol二氧化硅有4mol硅氧鍵,6g二氧化硅物質(zhì)的量為0.1mol,因此硅氧鍵個(gè)數(shù)為0.4NA,故C正確;D.根據(jù)氣態(tài)團(tuán)簇分子的結(jié)構(gòu)得到氣態(tài)團(tuán)簇分子的分子式為E4F4或F4E4,故D正確;故選B。21.D【詳解】A.該晶體是合金,屬于金屬晶體,A錯(cuò)誤;B.由均推原理知,該晶胞中的K個(gè)數(shù)為,Sb的個(gè)數(shù)為,故K和Sb原子數(shù)之比為3:1,該合金的組成可表示為K3Sb,B錯(cuò)誤;C.根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)可知,與每個(gè)Sb原子距離最近的Sb原子有12個(gè),C錯(cuò)誤;D.一個(gè)晶胞中含有4個(gè)“K3Sb”,晶胞質(zhì)量為,晶胞的密度為,D正確;故選D。22.D【詳解】A.a(chǎn)代表的原子位于晶胞8個(gè)頂點(diǎn)和4條棱上,且內(nèi)部有6個(gè),因此一個(gè)晶胞中含有a代表的原子:,c代表的原子都位于晶胞內(nèi)部有4個(gè),因此a代表的原子與c代表的原子個(gè)數(shù)比為2∶1,根據(jù)化學(xué)式可知,a代表Cr原子,A錯(cuò)誤;B.由題圖可知,b原子周圍距離最近的同類原子有3個(gè),B錯(cuò)誤;C.由題圖可知,晶胞體積為cm3,晶胞中氫原子的質(zhì)量為g,則儲(chǔ)氫后氫氣的密度為,儲(chǔ)氫能力應(yīng)為,C錯(cuò)誤;D.原子半徑:V>Cr,因此V取代晶體中部分Cr原子后,晶胞參數(shù)增大,D正確;故選:D。23.B【詳解】A.由投影圖可知,硼層中硼原子連接3個(gè)σ鍵,B原子價(jià)電子有3個(gè),全部用于形成σ鍵,無(wú)孤電子對(duì),價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3+0=3,雜化類型為sp2,故A錯(cuò)誤;B.由投影圖可知,每個(gè)鎂原子上層距離其最近的硼原子有6個(gè),下層距離其最近的硼原子也有6個(gè),共12個(gè),每個(gè)硼原子上層距離其最近的鎂原子有3個(gè),下層距離其最近的鎂原子也有3個(gè),共6個(gè),則Mg、B原子個(gè)數(shù)比為1∶2,化學(xué)式為MgB2,故B正確;C.由投影圖可知,每個(gè)鎂原子上層距離其最近的硼原子有6個(gè),下層距離其最近的硼原子也有6個(gè),共12個(gè),故C錯(cuò)誤;D.Mg層內(nèi)存在金屬鍵,不存在離子鍵,故D錯(cuò)誤;故選B。24.B【詳解】A.晶胞中Fe位于頂點(diǎn)和面心,一個(gè)晶胞中數(shù)目為;N位于晶胞內(nèi)部,一個(gè)晶胞中數(shù)目為1;圖1中氮化鐵的化學(xué)式是,A正確;B.以底部左下角Fe為例所在晶胞內(nèi)有1個(gè)氮原子,則上層下層所處的8個(gè)相鄰立方體內(nèi)共8個(gè)N,B錯(cuò)誤;C.兩個(gè)b位置Fe-的最近距離為底面對(duì)角線長(zhǎng)度的二分之一,為,C正確;D.能量越低物質(zhì)越穩(wěn)定,由圖2可知,最穩(wěn)定的是Cu替代a位置的Fe,一個(gè)晶胞中a位置的Fe數(shù)目為,故對(duì)應(yīng)產(chǎn)物的化學(xué)式為,D正確;故選B。25.C【詳解】A.該化合物含有鈣元素,則焰色試驗(yàn)為磚紅色,A正確;B.一個(gè)晶胞中含鈣離子為:,含為:,則氰氨化鈣的化學(xué)式為,B正

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