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文檔簡介

耗盡層近似

假設空間電荷區的空穴都已全部耗盡，電荷全由已電離的受主雜質構成。半導體的摻雜是均勻的，則空間電荷區的電荷密度，

(x)=-qNA設xd為耗盡層的厚度

耗盡層近似表面空間電荷區的電場和電容表面空間電荷區的電場：F函數空間電荷層中電勢滿足的泊松方程εrs半導體的相對介電常數,

(x)空間電荷密度V>0,取正;V<0,取負V=Vs時,半導體表面處的電場強度電荷面密度

金屬為正時，VG>0，QS為負號金屬為負時，VG<0，QS為正號空間電荷層單位面積上的電容,單位F/m2以p型半導體為例,定量地分析各種表面層的狀態空間電荷層的電容(1)VG<0，金屬接負，半導體接正多數載流子堆積狀態

隨而

0

C

C0(AB)隨|VG|

積累的空穴越來越少，CS

，C/C0

(BC)1.00.80.60.40.2ABCDEFC0CFBCminC

minVmin1低頻C02高頻GH00+VMIS結構的電容-電容曲線C/C0又（no)p<<(po)p(2)VG=0，VS=0

平帶平帶時的總電容為CFB

εro為絕緣層的相對介電常數(3)VG>0，金屬接+，半導體接負VS>0，表面能帶下彎，是空穴的勢壘

空穴耗盡狀態電離飽和時(p0)p=NAVG,C/C0

(CD)(4)VG>>0反型狀態低頻時,少子的產生與復合跟得上小信號的變化VS

，少子積累越多，ns

，Cs

，C0/CS

，

C/C0

(DE)

當VS

到使C0/C

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