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文檔簡介

半導體的體內平衡濃度0

將這種多子濃度高于體內平衡濃度的表面層叫多子堆積層，稱此時的表面空間電荷層處于多子堆積狀態。

多子空穴空間電荷特征：1）能帶向上彎曲并接近EF；2）多子（空穴）在半導體表面積累，越接近半導體表面多子濃度越高。xQsQmEFmEcEiEvEv1Ec1EFs無空間電荷(2)VG=0，VS=0，平帶半導體表面電荷堆積為0，稱這種狀態為平帶狀態。特征：半導體表面能帶平直。(3)VG>0，金屬接+，半導體接負EcEvEFEiqVsqVBVB是體內勢：多子耗盡

ps<(po)p，空間電荷區的負電荷絕大部分為過剩的電離的受主IM++++++S－－－－－－電離的受主這種狀態稱為多子的耗盡狀態，空間電荷區為耗盡層。空間電荷特征：1）表面能帶向下彎曲；2）表面上的多子濃度比體內少得多，基本上耗盡，表面帶負電。QmQsx（4）VG>>0反型層界面EcEiEFEvqVsxqVqVBEg半導體絕緣體表面空間電荷區內能帶的彎曲P電子稱這個狀態為反型狀態

電子電離受主空間電荷反型少子堆積弱反型：ps<ns<(po)p

強反型：ns>(po)p

特征：1）Ei與EF在表面處相交（此處為本征型）；2）表面區的少子數>多子數——表面反型；3）反型層和半導體內部之間還夾著一

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