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文檔簡介

微電子器件課件32由于WB<<LB，根據2-2-6節薄基區二極管的近似結果，可得：以下用pB代表基區非平衡少子濃度

pn

。這里必須采用薄基區二極管的

精確結果，即：pB(0)x0WB近似式，忽略基區復合精確式，考慮基區復合pB(x)再利用近似公式(x很小時），得：根據基區輸運系數的定義，得：靜態下的空穴電荷控制方程為下面再利用電荷控制法來求。另一方面，由薄基區二極管的

近似公式，從上式可解出，代入Jpr中，得：BEC0WBJpEJpC式中，即代表了少子在基區中的復合引起的電流虧損所占的比例。要減少虧損，應使WB↓，LB↑。上面只考慮了少子在基區體內的復合損失，但實際上少子在

基區表面

也會發生復合，使基區輸運系數減小。生產中必須嚴格控制表面處理工藝，以減小表面復合。3.2.2基區渡越時間

定義：少子在基區內從發射結渡越到集電結所需要的平均時間，稱為少子的

基區渡越時間，記為

b

。可以設想，在

b期間，基區內的少子全部更新一遍，因此的物理意義：時間，代表少子在單位時間內的復合幾率，因而就代表少子在基區停留期間被復合的幾率，而則代表未復合掉的比例，也即到達集電結的少子電流與注入基區的少子電流之比。

b代表少子在基區停留的平均

注意

b

與

B

的區別

3.2.3發射結注入效率

定義：從發射區注入基區的少子形成的電流IpE與總的發射極電流IE之比，稱為

注入效率（或

發射效率），記為，即：當WB

<<LB及WE

<<LE時，為提高，應使NE>>NB

，即（NB

/NE）<<1，則上式可近似寫為將代入

中，得：再利用愛因斯坦關系，得：注意：DB、DE代表

少子

擴散系數，

B、

E代表

多子

遷移率。利用

方塊電阻

的概念，

可有更簡單的表達式。方塊電阻代表一個正方形薄層材料的電阻，記為

R口。對于均勻材料，對于厚度方向（x方向）上不均勻的材料，對于均勻摻雜的發射區與基區，中，可將表示為最簡單的形式，代入前面得到的公式的典型值：R口E=10Ω，R口B1=1000Ω，γ=0.9900

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