JJF（電子）XXXX─XXXX半導體直流參數(shù)驗證件校準規(guī)范1范圍本規(guī)范適用于施加偏置電壓0.1V～3kV、偏置電流≤30A、偏置（脈沖）電流≤500A，準確度在0.5%～10%的二極管、雙極晶體管、場效應晶體管、絕緣柵雙極晶體管等半導體直流參數(shù)驗證件的直流參數(shù)的校準。2概述半導體直流參數(shù)驗證件，是通過老化、篩選等流程挑選出來的半導體器件或模擬器件，其導電性介于導電體與絕緣體之間，是利用半導體材料特殊電特性來完成特定參數(shù)驗證的電子元器件，可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信號和進行能量轉(zhuǎn)換。3計量特性3.1直流參數(shù)量值3.1.1二極管直流參數(shù)a）擊穿電壓VR電壓范圍：30V~3kV，電流范圍：10μA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。b）反向漏電流IR電流范圍：10μA～10mA，電壓范圍：30V~3kV，最大允許誤差：±（3～10）%。c）正向結(jié)電壓VF電壓范圍：0.1V～30V，電流范圍：10μA～1200A，最大允許誤差：±（3～10）%。d）穩(wěn)定電壓VZ（穩(wěn)壓二極管）電壓范圍：0.1V～30V，電流范圍：10μA～10A，最大允許誤差：±（3～10）%。3.1.2雙極型晶體管直流參數(shù)a）集電極-基極擊穿電壓VCBO電壓范圍：30V~3kV，電流范圍：10μA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。b）發(fā)射極-基極擊穿電壓V(BR)EBO電壓范圍：-30V～-0.1V，0.1V～30V，電流范圍：10μA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。c）集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(BR)CEO電壓范圍：30V～3kV，電流范圍：10μA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。d）集電極-基極漏電流ICBO電壓范圍：30V～3kV，電流范圍：10uA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。e）集電極-發(fā)射極截止電流ICEO電壓范圍：30V~3kV，電流范圍：10μA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。f）發(fā)射極-基極截止電流IEBO電壓范圍：-30V～-0.1V，0.1V～30V，電流范圍：10μA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。g）共發(fā)射極正向電流傳輸比hFE電壓VCE范圍：0.1V～30V，電流IC范圍：10A～1000A；電流IB范圍:10μA～10A，最大允許誤差：±（3～10）%。h）集電極-發(fā)射極飽和電壓VCEsat電壓VCE范圍：0.1V～30V；電壓VBE范圍:-30V～-0.1V，0.1V～30V，電流IC范圍:10A～1000A；電流IB范圍:10μA～10A，最大允許誤差：±（3～10）%。i）基極-發(fā)射極飽和電壓VBEsat電壓VCE范圍：0.1V～30V；電壓VBE范圍:-30V～-0.1V，0.1V～30V，電流IC范圍：10A～1000A；電流IB范圍:10μA～10A，最大允許誤差：±（3～10）%。3.1.3場效應晶體管直流參數(shù)a）閾值電壓VGS(th)電壓范圍：-30V～-0.1V，0.1V～30V，電流范圍：10uA～10A，最大允許誤差：±（1～10）%。b）源極通態(tài)漏極電流ID(on)漏-源極電壓VDS范圍：0.1V～30V，柵-源極電壓VGS范圍:-30V～-0.1V，0.1V～30V，漏極電流ID范圍：10A～1000A，最大允許誤差：±（1～10）%。c）靜態(tài)漏-源通態(tài)電阻RDS(on)漏-源極電壓VDS范圍：0.1V～30V，柵-源極電壓VGS范圍，-30V～-0.1V，0.1V～30V，漏極電流ID范圍：10A～1000A，最大允許誤差：±（1～10）%。d）漏-源“通態(tài)”電壓VDS(on)漏-源極電壓VDS范圍：0.1V～30V，柵-源極電壓VGS范圍:-30V～-0.1V，0.1V～30V，漏極電流ID范圍：10A～1000A；柵極電流IG范圍:10μA～10A，最大允許誤差：±（1～10）%。e）正向跨導gm漏-源極電壓VDS范圍：0.1V～30V；柵-源極電壓VGS范圍:-30V～-0.1V，0.1V～30V，漏極電流ID范圍：10A～1000A，最大允許誤差：±（1～10）%。f）漏-源擊穿電壓V(BR)DSS電壓范圍：-30V～-0.1V，0.1V～30V，電流范圍：10μA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。g）柵-源擊穿電壓V(BR)GSS電壓范圍：30V～3kV，電流范圍：10μA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。h）零柵壓漏極電流IDSS電壓范圍：30V～3kV，電流范圍：10μA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。i）柵極正向漏電流IGSSF電壓范圍：-30V～-0.1V，0.1V～30V，電流范圍：10μA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。j）柵-源反向截止電流IGSSR電壓范圍：-30V～-0.1V，電流范圍：10μA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。k）二極管正向壓降VSD漏-源極電壓VDS范圍：0.1V～30V，漏極電流ID范圍：10A～1000A，最大允許誤差：±（1～10）%。3.1.4絕緣柵雙極晶體管直流參數(shù)a）柵極閾電壓VGE(th)電壓范圍：0.1V～30V，電流范圍：10μA～10A，最大允許誤差：±（3～10）%。b）集電極-發(fā)射極的飽和電壓VCEsat電壓VCE范圍：0.1V～30V，電壓VGE范圍：-30V～-0.1V，0.1V～30V，電流IC范圍：10A～1000A，最大允許誤差：±（3～10）%。c）零柵壓時的集電極電流ICES電壓范圍：30V～3kV，電流范圍：10μA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。d）柵極-發(fā)射極的漏電流IGES電壓范圍：-30V～-0.1V，0.1V～30V，電流范圍：10uA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。e）正向跨導gm電壓VCE范圍：0.1V～30V；電壓VGE范圍:-30V～-0.1V，0.1V～30V，漏極電流IC范圍：10A～1000A，最大允許誤差：±（3～10）%。f）集電極-發(fā)射極的擊穿電壓V(BR)CES電壓范圍：30V～3kV，電流范圍：10μA～10mA，最大允許誤差：±（3～10）%。3.2短期穩(wěn)定性短期穩(wěn)定性考核，用表示，如無特殊規(guī)定，每隔24h測試一次，重復測量6次，測量二極管、雙極型晶體管、場效應晶體管、絕緣柵雙極晶體管等半導體器件的直流參數(shù)，最大允許誤差為±3%。4校準條件4.1環(huán)境條件4.1.1環(huán)境溫度：23℃±5℃；4.1.2相對濕度：≤75%；4.1.3電源要求：(220±22)V、(50±1)Hz；4.1.4周圍無影響儀器正常工作的電磁干擾和機械振動；4.1.5保證校準過程中對靜電有嚴格的防護措施，以免損害儀器和被校二極管、雙極型晶體管、場效應晶體管、絕緣柵雙極晶體管等半導體器件。4.2測量標準4.2.1半導體器件直流參數(shù)測試系統(tǒng)（以下簡稱測試系統(tǒng)）a）直流電壓源范圍：-30V～-0.1V，0.1V～30V，最大允許誤差：±0.5%；b）直流高壓源范圍：30V～3kV，最大允許誤差：±（0.5%～1%）；c）直流電流源范圍：1mA～10A，最大允許誤差：±0.5%；d）脈沖電流源范圍：10A～500A，脈沖寬度典型值300μs，最大允許誤差：±0.5%；e）漏電流測量范圍：100nA量程，最大允許誤差：±1%；±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%。針對不同的半導體直流參數(shù)驗證件，測試系統(tǒng)的技術(shù)指標如下：a）二極管校準參數(shù)電壓范圍及指標電流范圍及指標反向擊穿電壓VR30V~3kV技術(shù)指標：±(0.5%～1%）100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%反向漏電流IR30V~3kV技術(shù)指標：±(0.5%～1%）100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%正向結(jié)電壓VF0.1V～30V技術(shù)指標：±0.5%1mA～1200A技術(shù)指標：±0.5%穩(wěn)定電壓VZ0.1V～30V技術(shù)指標：±0.5%1mA～10A技術(shù)指標：±0.5%b）雙極型晶體管校準參數(shù)電壓范圍及指標電流范圍及指標集電極-基極擊穿電壓V(BR)CBO30V～3kV技術(shù)指標：±(0.5%～1%）100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%10發(fā)射極-基極擊穿電壓V(BR)EBO-30V～-0.1V，0.1V～30V技術(shù)指標：±1%100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(BR)CEO30V～3kV技術(shù)指標：±(0.5%～1%）100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%集電極-基極截止電流ICBO30V～3kV技術(shù)指標：±(0.5%～1%）100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%集電極-發(fā)射極截止電流ICEO30V～3kV技術(shù)指標：±(0.5%～1%）100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%發(fā)射極-基極截止電流IEBO-30V～-0.1V，0.1V～+30V技術(shù)指標：±0.5%100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%共發(fā)射極正向電流傳輸比hFEVCE:0.1V～+30V技術(shù)指標：±0.5%IC:10A～1000A，技術(shù)指標：±0.5%IB:1mA～10A，技術(shù)指標：±0.5%集電極-發(fā)射極飽和電壓VCEsatVCE:0.1V～+30V技術(shù)指標：±0.5%VBE:-30V～-0.1V，0.1V～+30V技術(shù)指標：±0.5%IC:10A～1000A，技術(shù)指標：±0.5%IB:1mA～10A，技術(shù)指標：±0.5%基極-發(fā)射極飽和電壓VBEsatVCE:0.1V～+30V技術(shù)指標：±0.5%VBE:-30V～-0.1V，0.1V～+30V技術(shù)指標：±0.5%IC:10A～1000A，技術(shù)指標：±0.5%IB:1mA～10A，技術(shù)指標：±0.5%c）場效應晶體管校準參數(shù)電壓范圍及指標電流范圍及指標柵—源閾值電壓VGS(th)-30V～-0.1V，0.1V～30V技術(shù)指標：±0.5%1mA～10A，技術(shù)指標：±0.5%源極通態(tài)電流ID(on)VDS:0.1V～30V技術(shù)指標：±0.5%VGS:-30V～-0.1V，0.1V～30V技術(shù)指標：±0.5%ID:10A～1000A，技術(shù)指標：±0.5%IG:1mA～10A，技術(shù)指標：±0.5%靜態(tài)漏—源通態(tài)電阻rDS(on)VDS:0.1V～30V技術(shù)指標：±0.5%VGS:-30V～-0.1V，0.1V～30V技術(shù)指標：±0.5%ID:10A～1000A，技術(shù)指標：±0.5%IG:1mA～10A，技術(shù)指標：±0.5%漏—源“通態(tài)”電壓VDS(on)VDS:0.1V～30V技術(shù)指標：±0.5%VGS:-30V～-0.1V，0.1V～+30V技術(shù)指標：±0.5%ID:10A～1000A，技術(shù)指標：±0.5%IG:1mA～10A，技術(shù)指標：±0.5%正向跨導gmVDS:0.1V～30V技術(shù)指標：±±0.5%VGS:-30V～-0.1V，0.1V～+30V技術(shù)指標：±0.5%ID:10A～1000A，技術(shù)指標：±0.5%漏—源擊穿電壓V(BR)DSS30V～3kV技術(shù)指標：±(0.5%～1%）10μA、100μA、1mA、10mA技術(shù)指標：±1%柵—源擊穿電壓V(BR)GSS30V～3kV技術(shù)指標：±(0.5%～1%）100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%柵—源短路時的漏極電流IDSS30V～3kV技術(shù)指標：±(0.5%～1%）100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%柵極正向漏電流IGSSF-30V～-0.1V，0.1V～30V技術(shù)指標：±0.5%100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%柵極反向漏電流IGSSR-30V～-0.1V，0.1V～30V技術(shù)指標：±0.5%100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%二極管正向電壓降VSDVDS:0.1V～30V技術(shù)指標：±0.5%ID:10A～1200A，技術(shù)指標：±0.5%d）絕緣柵雙極晶體管校準參數(shù)電壓范圍及指標電流范圍及指標柵極閾電壓VGE(th)0.1V～30V技術(shù)指標：±1%1mA～10A，技術(shù)指標：±0.5%集電極—發(fā)射極的飽和電壓VCEsatVCE:0.1V～30V技術(shù)指標：±1%VGE:-30V～-0.1V，0.1V～30V技術(shù)指標：±1%IC:10A～1200A，技術(shù)指標：±2%零柵壓時的集電極電流ICES30V～3kV技術(shù)指標：±(0.5%～1%）100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%柵極—發(fā)射極的漏電流IGES-30V～-0.1V，0.1V～30V技術(shù)指標：±1%100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%正向跨導gmVCE:0.1V～30V技術(shù)指標：±1%VGE:-30V～-0.1V，0.1V～+30V技術(shù)指標：±1%IC:10A～1000A，技術(shù)指標：±0.5%集電極—發(fā)射極的擊穿電壓V(BR)CES30V～3kV技術(shù)指標：±(0.5%～1%）100nA量程，最大允許誤差：±1%±1nA，1μA、10μA、100μA、1mA、10mA量程，最大允許誤差：±1%二極管電壓VECVDS:0.1V～30V技術(shù)指標：±1%ID:10A～1200A，技術(shù)指標：±0.5%5校準項目和校準方法5.1外觀及工作正常性檢查5.1.1被校半導體直流參數(shù)驗證件應外觀完好，不應有影響正常工作的機械碰傷及接觸不良的現(xiàn)象，并記錄于附錄A.1中；5.1.2被校半導體直流參數(shù)驗證件產(chǎn)品名稱、制造廠家等均應明確標記，并記錄于附錄A.1中；5.1.3校準人員應按要求穿防靜電工作服，佩戴防靜電手環(huán)等，檢查被校半導體直流參數(shù)驗證件是否完好無損，并記錄于附錄A.1中。5.2校準方法5.2.1直流參數(shù)量值5.2.1.1二極管直流參數(shù)a）開啟測試系統(tǒng)，連接二極管測量夾具，如圖1所示；圖1二極管驗證件校準示意圖b）具備自檢功能的測試系統(tǒng)，按要求自檢并預熱，除有特殊規(guī)定外，預熱時間不低于0.5h；c）根據(jù)被校二極管驗證件的管腳配置和封裝形式，選擇合適的測量夾具，將被校二極管驗證件放入二極管測量夾具；d）啟動測量軟件，根據(jù)被校二極管驗證件型號及計量特性，選擇或新建運行測量程序，測量程序應涵蓋被校二極管的擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向結(jié)電壓VF、穩(wěn)定電壓VZ等參數(shù)；e）導入測量程序，短時間內(nèi)連續(xù)重復測量6次，按公式（1）計算得到算術(shù)平均值，并作為測量結(jié)果，記錄于附錄A表A.2中?！?）其中：——二極管驗證件直流參數(shù)的測量平均值；——二極管驗證件直流參數(shù)的測量值；i——測量次數(shù)。按公式（2）計算得到標準樣管的相對誤差，并記入附錄A表A.2中。……（2）式中：—二極管驗證件直流參數(shù)的相對誤差；—二極管驗證件直流參數(shù)的算術(shù)平均值；y0—二極管驗證件直流參數(shù)的參考值。5.2.1.2雙極型晶體管直流參數(shù)a）開啟測試系統(tǒng)，連接雙極型晶體管測量夾具，如圖2示；圖2雙極型晶體管校準示意圖b）具備自檢功能的測試系統(tǒng)，按要求自檢并預熱，除有特殊規(guī)定外，預熱時間不低于0.5h；c）根據(jù)被校雙極型晶體管驗證件的管腳配置和封裝形式，選擇合適的測量夾具，將被校被校雙極型晶體管驗證件放入雙極型晶體管測量夾具；d）啟動測量軟件，根據(jù)被校雙極型晶體管驗證件型號及計量特性，選擇或新建運行測量程序，測量程序應涵蓋被校雙極型晶體管的集電極-基極擊穿電壓VCBO、發(fā)射極-基極擊穿電壓V(BR)EBO、集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(BR)CEO、集電極-基極漏電流ICBO、集電極-發(fā)射極截止電流ICEO、發(fā)射極-基極截止電流IEBO、共發(fā)射極正向電流傳輸比hFE、集電極-發(fā)射極飽和電壓VCEsat、基極-發(fā)射極飽和電壓VBEsat等參數(shù)；e）導入測量程序，短時間內(nèi)連續(xù)重復測量6次，按公式（3）計算得到算術(shù)平均值，并作為測量結(jié)果，記錄于附錄A表A.3中?！?）其中：——雙極型晶體管驗證件直流參數(shù)的測量平均值；——雙極型晶體管驗證件直流參數(shù)的測量值；i——測量次數(shù)。按公式（4）計算得到標準樣管的相對誤差，并記入附錄A表A.3中。……（4）式中：—雙極型晶體管驗證件直流參數(shù)的相對誤差；—雙極型晶體管驗證件直流參數(shù)的算術(shù)平均值；y0—雙極型晶體管驗證件直流參數(shù)的參考值。5.2.1.3場效應晶體管直流參數(shù)a）開啟測試系統(tǒng)，連接場效應晶體管測量夾具，如圖3示；圖3場效應晶體管校準示意圖b）具備自檢功能的測試系統(tǒng)，按要求自檢并預熱，除有特殊規(guī)定外，預熱時間不低于0.5h；c）根據(jù)被校場效應晶體管驗證件的管腳配置和封裝形式，選擇合適的測量夾具，將被校被校場效應晶體管驗證件放入場效應晶體管測量夾具；d）啟動測量軟件，根據(jù)被校場效應晶體管驗證件型號及計量特性，選擇或新建運行測量程序，測量程序應涵蓋被校場效應晶體管的閾值電壓VGS(th)、源極通態(tài)漏極電流ID(on)、靜態(tài)漏-源通態(tài)電阻RDS(on)、漏-源“通態(tài)”電壓VDS(on)、正向跨導gm、漏-源擊穿電壓V(BR)DSS、柵-源擊穿電壓V(BR)GSS、零柵壓漏極電流IDSS、柵極正向漏電流IGSSF、柵-源反向截止電流IGSSR、二極管正向壓降VSD等參數(shù)；e）導入測量程序，短時間內(nèi)連續(xù)重復測量6次，按公式（5）計算得到算術(shù)平均值，并作為測量結(jié)果，記錄于附錄A表A.4中?！?）其中：——場效應晶體管驗證件直流參數(shù)的測量平均值；——場效應晶體管驗證件直流參數(shù)的測量值；i——測量次數(shù)。按公式（6）計算得到標準樣管的相對誤差，并記入附錄A表A.4中?！?）式中：—場效應晶體管驗證件直流參數(shù)的相對誤差；—場效應晶體管驗證件直流參數(shù)的算術(shù)平均值；y0—場效應晶體管驗證件直流參數(shù)的參考值。5.2.1.4絕緣柵雙極晶體管直流參數(shù)a）開啟測試系統(tǒng)，連接絕緣柵雙極晶體管測量夾具，如圖4示；圖4絕緣柵雙極晶體管校準示意圖b）具備自檢功能的測試系統(tǒng)，按要求自檢并預熱，除有特殊規(guī)定外，預熱時間不低于0.5h；c）根據(jù)被校絕緣柵雙極晶體管驗證件的管腳配置和封裝形式，選擇合適的測量夾具，將被校被校絕緣柵雙極晶體管驗證件放入絕緣柵雙極晶體管測量夾具；d）啟動測量軟件，根據(jù)被校絕緣柵雙極晶體管驗證件型號及計量特性，選擇或新建運行測量程序，測量程序應涵蓋被校絕緣柵雙極晶體管的柵極閾電壓VGE(th)、集電極-發(fā)射極的飽和電壓VCEsat、零柵壓時的集電極電流ICES、柵極-發(fā)射極的漏電流IGES、正向跨導gm、集電極-發(fā)射極的擊穿電壓V(BR)CES等參數(shù)；e）導入測量程序，短時間內(nèi)連續(xù)重復測量6次，按公式（7）計算得到算術(shù)平均值，并作為測量結(jié)果，記錄于附錄A表A.5中?！?）其中：——絕緣柵雙極晶體管驗證件直流參數(shù)的測量平均值；——絕緣柵雙極晶體管驗證件直流參數(shù)的測量值；i——測量次數(shù)。按公式（8）計算得到標準樣管的相對誤差，并記入附錄A表A.5中。……（8）式中：—絕緣柵雙極晶體管驗證件直流參數(shù)的相對誤差；—絕緣柵雙極晶體管驗證件直流參數(shù)的算術(shù)平均值；y0—絕緣柵雙極晶體管驗證件直流參數(shù)的參考值。5.2.2短期穩(wěn)定性按圖1連接設備。按照被校半導體直流參數(shù)驗證件產(chǎn)品規(guī)范或產(chǎn)品說明書的要求，每間隔24h對器件施加規(guī)定條件，測量驗證件（二極管、雙極型晶體管、場效應晶體管、絕緣柵雙極晶體管）的直流參數(shù)，重復測量6次，進行短期穩(wěn)定性的驗證。被校半導體直流參數(shù)驗證件的短期穩(wěn)定性按式（9）計算，并記錄在附錄A表A.6中：……………（9）式中：——被校半導體直流參數(shù)驗證件的短期穩(wěn)定性，；——規(guī)定的時間間隔內(nèi)被校半導體直流參數(shù)驗證件的最大直流參數(shù)值；——被校半導體直流參數(shù)驗證件平均直流參數(shù)值；——測量次數(shù)。6校準結(jié)果表達校準后，出具校準證書。校準證書至少應包含以下信息：a）標題：“校準證書”；b）實驗室名稱和地址；c）進行校準的地點（如果與實驗室的地址不同）；d）證書的唯一性標識（如編號），每頁及總頁數(shù)的標識；e）客戶的名稱和地址；f）被校對象的描述和明確標識；g）進行校準的日期，如果與校準結(jié)果的有效性和應用有關時，應說明被校對象的接收日期；h）如果與校準結(jié)果的有效性應用有關時，應對被校樣品的抽樣程序進行說明；i）校準所依據(jù)的技術(shù)規(guī)范的標識，包括名稱及代號；j）本次校準所用測量標準的溯源性及有效性說明；k）校準環(huán)境的描述；l）校準結(jié)果及其測量不確定度的說明；m）對校準規(guī)范的偏離的說明；n）校準證書簽發(fā)人的簽名、職務或等效標識；o）校準結(jié)果僅對被校對象有效的說明；p）未經(jīng)實驗室書面批準，不得部分復制證書的聲明。7復校時間間隔一般推薦為1年。由于復校時間間隔的長短是由被校驗證件的使用情況、使用者、本身質(zhì)量等諸因素所決定的，因此，送校單位可根據(jù)實際使用情況自主決定復校時間間隔。

附錄A原始記錄格式外觀及工作正常性檢查表A.1外觀檢查記錄表外觀檢查：合格□不合格□：半導體直流參數(shù)驗證件直流參數(shù)量值表A.2二極管直流參數(shù)記錄表被校直流參數(shù)測量條件測量值平均值參考值誤差測量不確定度（k=2）反向擊穿電壓VR反向漏電流IR正向結(jié)電壓VF穩(wěn)定電壓VZ表A.3雙極型晶體管直流參數(shù)記錄表被校直流參數(shù)測量條件測量值平均值參考值誤差測量不確定度（k=2）集電極-基極擊穿電壓V(BR)CBO發(fā)射極-基極擊穿電壓V(BR)EBO集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(BR)CEO集電極-基極截止電流ICBO集電極-發(fā)射極截止電流ICEO發(fā)射極-基極截止電流IEBO共發(fā)射極正向電流傳輸比hFE集電極-發(fā)射極飽和電壓VCEsat基極-發(fā)射極飽和電壓VBEsat表A.4場效應晶體管直流參數(shù)記錄表被校直流參數(shù)測量條件測量值平均值參考值最大允許誤差測量不確定度（k=2）柵—源閾值電壓VGS(th)源極通態(tài)電流ID(on)靜態(tài)漏—源通態(tài)電阻rDS(on)漏—源“通態(tài)”電壓VDS(on)正向跨導gm漏—源擊穿電壓V(BR)DSS柵—源擊穿電壓V(BR)GSS柵—源短路時的漏極電流IDSS柵極正向漏電流IGSSF柵極反向漏電流IGSSR二極管電壓VSD表A.5絕緣柵雙極晶體管直流參數(shù)記錄表被校直流參數(shù)測量條件測量值平均值參考值最大允許誤差測量不確定度（k=2）柵極閾電壓VGE(th)集電極—發(fā)射極的飽和電壓VCEsat零柵壓時的集電極電流ICES柵極—發(fā)射極的漏電流IGES正向跨導gm集電極—發(fā)射極的擊穿電壓V(BR)CES二極管正向電壓降VEC短期穩(wěn)定性表A.6半導體驗證件直流參數(shù)短期穩(wěn)定性記錄表測量條件測量時間半導體驗證件直流參數(shù)值產(chǎn)品規(guī)范或說明書規(guī)定值短期穩(wěn)定性S測量不確定度（k=2）___________________________

附錄B校準證書內(nèi)頁格式外觀及工作正常性檢查表A.1外觀檢查記錄表外觀檢查：合格□不合格□：半導體直流參數(shù)驗證件直流參數(shù)量值表B.2二極管直流參數(shù)記錄表被校直流參數(shù)測量條件測量值平均值參考值誤差測量不確定度（k=2）反向擊穿電壓VR反向漏電流IR正向結(jié)電壓VF穩(wěn)定電壓VZ表B.3雙極型晶體管直流參數(shù)記錄表被校直流參數(shù)測量條件測量值平均值參考值誤差測量不確定度（k=2）集電極-基極擊穿電壓V(BR)CBO發(fā)射極-基極擊穿電壓V(BR)EBO集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(BR)CEO集電極-基極截止電流ICBO集電極-發(fā)射極截止電流ICEO發(fā)射極-基極截止電流IEBO共發(fā)射極正向電流傳輸比hFE集電極-發(fā)射極飽和電壓VCEsat基極-發(fā)射極飽和電壓VBEsat表B.4場效應晶體管直流參數(shù)記錄表被校直流參數(shù)測量條件測量值平均值參考值最大允許誤差測量不確定度（k=2）柵—源閾值電壓VGS(th)源極通態(tài)電流ID(on)靜態(tài)漏—源通態(tài)電阻rDS(on)漏—源“通態(tài)”電壓VDS(on)正向跨導gm漏—源擊穿電壓V(BR)DSS柵—源擊穿電壓V(BR)GSS柵—源短路時的漏極電流IDSS柵極正向漏電流IGSSF柵極反向漏電流IGSSR二極管電壓VSD表B.5絕緣柵雙極晶體管直流參數(shù)記錄表被校直流參數(shù)測量條件測量值平均值參考值最大允許誤差測量不確定度（k=2）柵極閾電壓VGE(th)集電極—發(fā)射極的飽和電壓VCEsat零柵壓時的集電極電流ICES柵極—發(fā)射極的漏電流IGES正向跨導gm集電極—發(fā)射極的擊穿電壓V(BR)CES二極管正向電壓降VEC短期穩(wěn)定性表B.6半導體驗證件直流參數(shù)短期穩(wěn)定性記錄表測量條件測量時間半導體驗證件直流參數(shù)值產(chǎn)品規(guī)范或說明書規(guī)定值短期穩(wěn)定性S測量不確定度（k=2）____________________________

附錄C測量不確定度評定示例C.1概述用直接測量法對FLM5359-4F進行校準。標準器為半導體直流參數(shù)測試系統(tǒng)。C.2測量模型C.2.1柵源極之間的夾斷電壓VGSoff的測量模型設被校驗證件柵源極之間的夾斷電壓為，半導體直流參數(shù)測試系統(tǒng)或功率半導體器件直流參數(shù)標準裝置測量值為，則：…………（C.1）C.2.2柵源極之間的漏電流IGSS的測量模型設被校驗證件柵源極之間的漏電流IGSS為，半導體直流參數(shù)測試系統(tǒng)或功率半導體器件直流參數(shù)標準裝置的測量值為，則：…………（C.2）C.2.3漏極飽和電流IDSS的測量模型漏極飽和電流IDSS的測量模型同C.2.2。C.2.4跨導gm的測量模型設被校驗證件柵源極之間的電壓首次超過漏極飽和電流典型值的80%時的電壓值為V1、漏源極之間電流值為I1，柵源極之間的電壓值以固定步長繼續(xù)增加，直到首次超過典型值時停止，記錄此時VGS兩端電壓值為V2、漏源極之間電流值為I2，則：…………（C.3）C.3標準不確定度評定C.3.1柵源極之間的夾斷電壓VGSoff測量不確定度C.3.1.1漏極電壓源電壓輸出不準引入的不確定度分量按B類評定。漏極電壓源的最大允許誤差為±0.5%，則其區(qū)間半寬度為0.5%，可認為在該區(qū)間內(nèi)服從均勻分布，則包含因子為，其引入不確定度分量為：C.3.1.2漏流測量單元測量不準引入的不確定度分量按B類評定。漏流測量單元的最大允許誤差為±0.5%，則其區(qū)間半寬度為0.5%，可認為在該區(qū)間內(nèi)服從均勻分布，則包含因子為，其引入不確定度分量為：C.3.1.3數(shù)字多用表測量不準引入的不確定度分量按B類評定。數(shù)字多用表的最大允許誤差為±0.5%，則其區(qū)間半寬度為0.5%，可認為在該區(qū)間內(nèi)服從均勻分布，則包含因子為，其引入不確定度分量為：C.3.1.4測量重復性等隨機因素引入的不確定度分量按A類評定。對被定值器件允許的測量范圍進行重復測量，測量次數(shù)n=10，重復性測試數(shù)據(jù)見下表。根據(jù)下式，則為：表18重復性測試數(shù)據(jù)（單位：mV）次數(shù)Vgs=-2.5Vgs=-3Vgs=-3.51-2085-2090-20902-2090-2090-20903-2085-2090-20904-2085-2090-20905-2085-2090-20906-2085-2090-20907-2090-2090-20908-2085-2090-20909-2085-2090-209010-2090-2090-2090-2087.5-2090-20900.1%00.1%C.3.1.5測量不確定度分量一覽表不確定度分量一覽表見下表。表19各不確定度分量一覽表不確定度分量來源評定方法分布標準不確定度分量漏極電壓源電壓輸出不準引入B類均勻0.3%漏流測量單元測量不準引入B類均勻0.3%數(shù)字多用表測量不準引入B類均勻0.3%測量重復性等隨機因素引入A類//0.1%C.3.1.6合成標準不確定度以上各不確定度分量獨立不相關，則合成標準不確定度可計算得到：根據(jù)計算結(jié)果得到：0.53%。C.3.1.7擴展不確定度值取=2，根據(jù)，則擴展不確定度為：1.06%，=2。C.3.2柵源極之間的漏電流IGSS測量不確定度C.3.2.1漏極電壓源電壓輸出不準引入的不確定度分量按B類評定。漏極電壓源的最大允許誤差為±0.5%，則其區(qū)間半寬度為0.5%，可認為在該區(qū)間內(nèi)服從均勻分布，則包含因子為，其引入不確定度分量為：C.3.2.2漏流測量單元測量不準引入的不確定度分量按B類評定。漏流測量單元的最大允許誤差為±0.5%，則其區(qū)間半寬度為0.5%，可認為在該區(qū)間內(nèi)服從均勻分布，則包含因子為，其引入不確定度分量為：C.3.2.3柵極雙極性電壓源測量不準引入的不確定度分量按B類評定。數(shù)字多用表的最大允許誤差為±0.5%，則其區(qū)間半寬度為0.5%，可認為在該區(qū)間內(nèi)服從均勻分布，則包含因子為，其引入不確定度分量為：C.3.2.4測量重復性引入的不確定度分量由測量重復性等隨機因素引入的不確定度分量按A類評定。對被定值器件允許的測量范圍進行重復測量，測量次數(shù)n=10，重復性測試數(shù)據(jù)見下表。根據(jù)下式，則為：表20重復性測試數(shù)據(jù)（單位：μA）次數(shù)Vgs=5V10.01156320.01155830.01160440.01155850.01156160.01148270.01148480.01151590.011522100.0114520.0115290.39%C.3.2.5測量不確定度分量一覽表不確定度分量一覽表見下表。表21各不確定度分量一覽表不確定度分量來源評定方法分布標準不確定度分量漏極電壓源電壓輸出不準引入B類均勻0.3%漏流測量單元測量不準引入B類均勻0.3%柵極雙極性電壓源測量不準引入B類均勻0.3%測量重復性等隨機因素引入A類//0.39%C.3.2.6合成標準不確定度以上各不確定度分量獨立不相關，則合成標準不確定度可計算得到：根據(jù)計算結(jié)果得到：0.65%。C.3.2.7擴展不確定度值取=2，根據(jù)，則擴展不確定度為：1.30%，=2。C.3.3漏極飽和電流IDSS測量不確定度C.3.3.1漏極電壓源電壓輸出不準引入的不確定度分量按B類評定。漏極電壓源的最大允許誤差為±0.5%，則其區(qū)間半寬度為0.5%，可認為在該區(qū)間內(nèi)服從均勻分布，則包含因子為，其引入不確定度分量為：C.3.3.2漏流測量單元測量不準引入的不確定度分量按B類評定。漏流測量單元的最大允許誤差為±0.5%，則其區(qū)間半寬度為0.5%，可認為在該區(qū)間內(nèi)服從均勻分布，則包含因子為，其引入不確定度分量為：C.3.3.3柵極雙極性電壓源測量不準引入的不確定度分量按B類評定。數(shù)字多用表的最大允許誤差為±0.5%，則其區(qū)間半寬度為0.5%，可認為在該區(qū)間內(nèi)服從均勻分布，則包含因子為，其引入