ICS77040

CCSH.17

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T1558—2023

代替GB/T1558—2009

硅中代位碳含量的紅外吸收測試方法

Testmethodforsubstitutionalcarboncontentinsiliconbyinfraredabsorption

2023-12-28發(fā)布2024-07-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T1558—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法與

GB/T1558—2009《》。GB/T1558—2009

相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動外主要技術(shù)變化如下

,,:

更改了范圍見第章年版的第章

a)(1,20091);

更改了術(shù)語和定義見第章年版的第章

b)(3,20093);

更改了方法原理見第章年版的第章

c)(4,20094);

更改了干擾因素內(nèi)容見年版的新增了干擾因素內(nèi)

d)(5.2、5.3、5.4、5.6,20095.2、5.3、5.4、5.6),

容見

(5.8、5.9、5.10、5.11、5.12、5.13);

增加了試驗條件見第章

e)(6);

更改了儀器設(shè)備要求見年版的刪除了窗口材料和溫度計的要求見年

f)(7.2,20096.2),“”“”(2009

版的

6.4、6.5);

更改了樣品見第章年版的第章

g)(8,20097);

更改了試驗步驟見第章年版的第章

h)(9,20098);

更改了精密度見第章年版的第章

i)(11,200910);

更改了試驗報告見第章年版的第章

j)(12,200911);

增加了附錄見附錄

k)A(A)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位中國電子科技集團公司第四十六研究所青海芯測科技有限公司天津中環(huán)領(lǐng)先

:、、

材料技術(shù)有限公司浙江金瑞泓科技股份公司山東有研半導(dǎo)體材料有限公司浙江海納半導(dǎo)體股份有

、、、

限公司布魯克北京科技有限公司中國計量科學(xué)研究院有色金屬技術(shù)經(jīng)濟研究院有限責(zé)任公司開

、()、、、

化縣檢驗檢測研究院四川永祥新能源有限公司亞洲硅業(yè)青海股份有限公司新疆新特新能材料檢

、、()、

測中心有限公司陜西有色天宏瑞科硅材料有限責(zé)任公司中電晶華天津半導(dǎo)體材料有限公司浙江

、、()、

眾晶電子有限公司義烏力邁新材料有限公司湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司

、、。

本文件主要起草人李靜何烜坤劉立娜李素青索開南馬春喜薛心祿張雪囡張海英孫韞哲

:、、、、、、、、、、

王彥君沈益軍趙躍王軍鋒李蘭蘭鄒劍秋徐順波李壽琴張寶順劉國霞徐巖李明達(dá)陸勇

、、、、、、、、、、、、、

皮坤林杜偉華

、。

本文件于年首次發(fā)布年第一次修訂年第二次修訂本次為第三次修訂

1979,1997,2009,。

Ⅰ

GB/T1558—2023

硅中代位碳含量的紅外吸收測試方法

1范圍

本文件描述了硅中代位碳原子含量的紅外吸收測試方法

。

本文件適用于電阻率大于的型硅單晶片及電阻率大于的型硅單晶片中代

3Ω·cmp1Ω·cmn

位碳原子含量的測試室溫下測試范圍15-3至硅中碳原子的最大固溶度溫度低于時測

(:5×10cm;80K

試范圍不小于14-3

:5×10cm)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

數(shù)值修約規(guī)則與極限數(shù)值的表示和判定

GB/T8170

分子吸收光譜法術(shù)語

GB/T8322

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規(guī)程

GB/T29057

硅單晶中碳氧含量的測定低溫傅立葉變換紅外光譜法

GB/T35306、

3術(shù)語和定義

和界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264GB/T8322。

31

.

背景光譜backgroundspectrum

在紅外光譜儀中無樣品存在的情況下使用單光束測試獲得的譜線

,。

注通常包括氮氣空氣等信息

:、。

32

.

基線baseline

從測試圖譜中碳峰的兩側(cè)最小吸光度處作出的切線