存儲芯片行業深度報告：存儲市場柳暗花明1.存儲芯片是半導體產業的重要分支1.1.存儲芯片是市場規模巨大的集成電路產品之一（1）存儲芯片屬于半導體中集成電路的范疇，是目前應用面最廣、標準化程度最高的集成電路基礎性產品之一。半導體按照產品分類可分為光電器件、傳感器件、分立器件和集成電路四大類，占半導體價值量比例最高的為集成電路，約占整個半導體行業市場規模的82.64%，其主要包括模擬芯片、微處理器芯片、邏輯芯片和存儲芯片等四種。根據WSTS的數據，2022年全球半導體市場規模為5740.84億美元，集成電路占比達83%，其中存儲芯片市場規模為1297.67億美元，占整個半導體行業的23%，由此可以看出，存儲芯片和邏輯芯片在整個半導體產業鏈中貢獻的價值量最大。（2）存儲設備是計算機系統中用于存儲和讀取數據的硬件組件，按存儲介質不同可分為光學存儲、磁性存儲和半導體存儲。光存儲器是指用光學方法從光存儲媒體上讀取和存儲數據的一種設備，一般指光盤機、光帶機和光卡機等；磁性存儲，是指利用磁能方式存儲信息的磁介質設備，其存儲與讀取過程需要磁性盤片的機械運動，目前廣泛應用于PC硬盤、移動硬盤等領域；存儲芯片，又稱為半導體存儲器，是指利用電能方式存儲信息的半導體介質設備，其存儲與讀取過程體現為電子的存儲或釋放，廣泛應用于內存、U盤、消費電子、智能終端、固態存儲硬盤等領域。按照斷電后是否保留存儲的信息，存儲芯片主要可分為易失性存儲芯片（RAM）和非易失性存儲芯片（ROM）。RAM為隨機存儲器，斷電后不會保存數據，主要產品包括SRAM和DRAM，DRAM即動態隨機存儲器，使用電容存儲，DRAM的一個比特使用一個電容和一個晶體管存儲，由于電容會漏電，因此需要定時刷新一次存儲單元來保持數據；SRAM即靜態隨機存儲器，其內部結構比DRAM復雜，可以在不刷新電路下保存數據。ROM是一種存儲固定信息的存儲器，在正常工作狀態下只能讀取數據，不能即時修改或重新寫入數據，在外部電源切斷后仍能保存數據，讀取速度較慢但存儲容量更大，主要包括EEPROM（帶電可擦可編程只讀存儲器）、Flash(閃存芯片)、PROM(可編程只讀存儲器)、EPROM(可擦除可編程只讀存儲器)等。（3）根據具體的功能，可以將計算機中的存儲器細分為寄存器、高速緩存、主存儲器、磁盤緩存、固定磁盤、可移動存儲介質等6層。從CPUCache、內存到SSD和HDD，構成了計算機的存儲體系，各層只和相鄰的層交換數據，隨著層級由高到低，設備容量變大、離CPU距離變遠、訪問速度變慢、傳輸時間變長，并且每字節的造價成本也越來越便宜。CPU中的寄存器位于最頂部，記為L0，它使用SRAM芯片做成，集成在CPU的內部，其容量有限、速度極快、和CPU同步；緩存是一種小而快的存儲器，一般作為DRAM的緩沖，采用SRAM技術實現，通常也會被集成在CPU內部；主存一般由DRAM組成，和SRAM不同，其存儲密度更高，容量更大，價格更低，速度也更慢。綜合來看，SRAM價格貴、速度快，DRAM價格便宜、容量更大，SSD和HDD硬盤作為外部存儲設備容量更大、成本更低、離CPU更遠、訪問速度更慢。（4）DRAM和FLASH是目前市場上最為主要的存儲芯片。FLASH可分為NOR和NAND兩種，兩者區別在于存儲單元連接方式不同，導致兩者讀取方式不同，NAND由于引腳上復用，因此讀取速度比NOR慢一點，但是擦除和寫入速度比NOR快很多；NAND內部電路更簡單，因此數據密度大，體積小，成本也低，市場上一些大容量的FLASH都采用NAND型，例如SSD、U盤、SD卡、EMMC。小容量的2～12M的FLASH多是NOR型，NOR比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用于存儲程序代碼并直接在閃存內運行。相比于Flash與Nor，DRAM具有較高讀寫速度、存儲時間短等優勢，但單位成本更高，主要用于PC內存(如DDR)、手機內存(如LPDDR)和服務器等設備等。1.2.垂直分工和并購加速產業鏈整合（1）存儲芯片是半導體產業的重要分支，下游應用空間廣闊。存儲芯片行業產業鏈上游參與者包括硅片、光刻膠、靶材、拋光材料、電子特種氣體等半導體材料供應商和光刻機、PVD、CVD、刻蝕設備、清洗設備、封測設備等半導體設備供應商；產業鏈中游為存儲芯片制造商，主要負責存儲芯片的設計、制造和封測，常見的存儲芯片包括DRAM、NAND閃存芯片和NOR閃存芯片等；產業鏈下游為消費電子、汽車電子、信息通信、人工智能等應用領域內的企業，各類電子化和智能化設備都離不開存儲芯片應用。（2）存儲芯片按照制造流程又可細分為一條完整的產業鏈。存儲芯片產業鏈主要由集成電路設計、晶圓制造、封裝和測試、模組廠商集成等環節組成，從經營模式來看，主要分為IDM和垂直分工模式。IDM模式指企業業務覆蓋IC設計、制造、封裝和測試的所有環節，大部分國際存儲芯片大廠均為IDM模式，例如東芝半導體、三星半導體、飛索半導體、美光科技等大型跨國企業。另一種模式為垂直分工模式，即Fabless（無晶圓制造的設計公司）+Foundry（晶圓代工廠）+OSAT（封裝測試企業），Fabless模式是指無晶圓生產線集成電路設計模式，即企業只進行集成電路的設計和銷售，將制造、封裝和測試等生產環節外包，例如高通、聯發科、AMD、華大半導體等；Foundry即晶圓代工廠，它是一種只負責芯片制造，不負責芯片設計環節的一種產業運作模式，這類企業典型代表為臺積電、聯電、中芯國際等；OSAT指專門從事半導體封裝和測試的企業，比如日月光、Amkor、長電、通富微電等。（3）垂直分工模式進一步深化，降低成本同時顯著提升產業運作效率。IDM模式下，企業投入大量資金用于晶圓制造設備和生產線的建設，內部各環節協同生產，整體規模效應顯著，毛利率也會上升；但IDM模式下，企業內部管理成本增加，因此，IDM模式適合規模巨大的企業。Fabless模式注重輕資產運營，更為靈活，可以充分利用半導體產業鏈資源，集中主要精力用于產品研發和技術迭代，適應激烈的市場競爭環境，快速發展，缺點是無法實現工藝協同，同時需要承擔各種市場風險，相對來說適合小企業經營。存儲芯片標準化程度較高，國際巨頭大部分采取IDM模式運行，國內存儲企業由于規模較小，剛開始從小眾市場切入，多數采用Fabless模式，隨著企業規模的擴大，長期或將向IDM模式轉型。近些年，國內大型存儲項目長江存儲、合肥長鑫、福建晉華均是IDM模式的大型晶圓廠布局。（4）行業發展和技術升級驅動產業鏈模式變化，并購加速產業鏈整合。在臺積電成立以前，半導體行業只有IDM一種模式，經過半個多世紀發展，全球半導體產業鏈逐步朝向分工和整合趨勢發展。1）產業鏈分工：摩爾定律推動半導體行業技術不斷更新迭代，同時帶動生產制造設備的升級改造，先進工藝晶圓廠資金投入增加，Foundry模式能最大化的分攤技術升級成本和利用產能，提高資本支出的收益率。IDM企業為了減少投資風險、輕資產化，逐漸采取Fablite（輕晶圓廠）策略，將部分非核心和高難度工藝制造業務轉為第三方代工，自身保留其余制造業務。2）產業鏈整合：半導體行業進入新的發展階段，通過并購，企業間可以基于業務層面的協同互補，擴展產品條線和客戶群體，縮減成本的同時實現更強的供應鏈溢價，提升行業市占率。因此，隨著技術進步，全球分工模式越來越多，同時，大企業不斷成長又不斷合并為IDM模式，產業循環往復，推動全球技術不斷推進。（5）近些年，隨著技術難度不斷升級，Fabless公司在全球IC銷售額中的份額持續提升。根據ICInsights數據，在銷售增長率方面，過去20年里，采取Fabless模式的公司IC銷售額增長率顯著高于采取IDM模式的公司，個別年份例如2017、2018年，Fabless公司份額增長低于IDM公司，而且相較于IDM公司，Fabless公司受市場環境波動幅度更小。在銷售份額占比方面，2003-2021年，全球Fabless公司銷售份額占IC銷售額比重穩定增長，2019年IC市場的Fabless份額較去年同期提高4.1個百分點至29.9%，隨后持續增長并在2021年達到34.8%的峰值。Fabless模式的輕資產化更為靈活，在市場周期下行的階段，能更好適應激烈的市場競爭環境。我國國產化空間巨大，大部分的存儲芯片企業成立之初均以Fabless模式為主。1.3.存儲產業在空間上經歷兩次遷移（1）存儲芯片產業發源于美國，此后經歷過兩次大的產業轉移。進入1960年代后，隨著計算機技術的發展，電子行業開始了將集成電路技術用于計算機存儲領域的嘗試，存儲芯片產業鏈從垂直整合到垂直化分工越來越明確，并經歷了兩次空間上的產業遷移，遷移路徑由美國至日本再到韓國。1）美國：行業市占率居前的主要廠商也隨著產業遷移發生了明顯的變化，最開始由美國加州的AdvancedMemorySystem公司生產出了世界上第一款DRAM芯片（容量僅有1KB），隨后英特爾、德州儀器（TI）、莫斯泰克（Mostek）、美光等存儲廠商逐漸發展壯大。2）日本：1976年，為了發展半導體技術領域，日本通過舉國體制，成立了VLSI聯合研發體，隨后成功研制出64KDRAM，追平了美國研發進度；到了1980年代，日本廠商憑借質量和價格優勢，開始反超美國，市占率逐漸達到全球第一；1985年，美蘇冷戰氣氛不斷減弱，日美貿易摩擦不斷增加，美國開始對日本經濟實施打壓，在陸續的施壓下，日本存儲芯片市場份額一落千丈，很快喪失了主導權。3）韓國：韓國企業抓住了美日半導體競爭的契機，在美國的技術轉讓和市場準入扶持下，三星電子脫穎而出，逐漸趕超日本。（2）存儲市場加速發展，國內廠商異軍突起。2016年之前，國內沒有生產DRAM、Flash的能力，直到合肥長鑫、長江存儲成立。2019年，中國大陸公司開始全面進軍存儲器市場，長江存儲64層3DNANDFlash進入量產階段，緊接著合肥長鑫宣布中國大陸第一座12英寸DRAM工廠投產，并宣布首個19納米工藝制造的8GbDDR4。三年時間里，國內相繼攻克了3DNANDFlash和DRAM技術，在一定程度上打破了內存和閃存制造國際寡頭壟斷的局面。國內存儲芯片起步晚，要實現全球領先任重道遠，先進制造技術仍掌握在國際大廠的手里，因此，存儲芯片產業發展需要長期的資金投入和技術革新，解決生產制造中不良率的下降以及產能的上升，提高性能指標。1.4.存儲芯片技術發展趨勢（1）DDR、LPDDR、GDDR是基于DRAM的三種內存規范或標準。固態技術協會（JEDEC）定義了三種DRAM標準類別，幫助設計人員滿足目標應用的功耗、性能和規格要求。標準DDR：面向服務器、云計算、網絡、筆記本電腦、臺式機和消費類應用，支持更寬的通道寬度、更高的密度和不同的形狀尺寸，其發展路線通過提升核心頻率來提高性能。移動DDR（LPDDR)：面向移動式電子產品和汽車這些對規格和功耗非常敏感的領域，提供更窄的通道寬度和多種低功耗運行狀態，四代之前是基于同代DDR發展，四代之后是基于應用端獨自發展，通過提高Prefetch預讀取位數來提升性能。圖形DDR(GDDR)：面向需要極高吞吐量的數據密集型應用程序，例如圖形相關應用程序、數據中心加速和AI，是應用于高端顯卡的高性能DDR存儲器，側重于數據位寬、遠超同期DDR的運行頻率。（2）DDR因其性能和成本優勢成為目前PC和服務器端主流內存。SDRAM也可稱為SDRSDRAM，即單倍數據傳輸率，SDRSDRAM的核心、I/O、等效頻率皆相同，在1個周期內只能讀寫1次，若需要同時寫入與讀取，必須等到先前的指令執行完畢，才能接著存取。DDR是用于系統的RAM技術，規范名稱為DDRSDRAM，即雙倍速率同步動態隨機存儲器，其特點是高帶寬、低延時，DDR總線每個通道是64bit寬度，每根Data的管腳可以進行讀操作或寫操作（不同時）。目前已推出的DDR1-DDR5是由JEDEC制定的產品標準，從DDR1到DDR5的演進路線來看，DDR的能耗越來越低，傳輸速度越來越快、存儲容量也越來越大，目前的最新標準是DDR5，起步速率為4800MT/S，最高可達6400MT/S，電壓則從1.2V降至1.1V，功耗減少30%。目前，三星已經率先開始了下一代DDR6內存的早期開發，預計其DDR6設計將在2024年之前完成，在2025年之后開始商業應用。（3）受益于終端需求快速發展，LPDDR和GDDR步入高速迭代期。LPDDR，即低功率雙倍速率同步動態隨機存儲器，是DDRSDRAM的一種，又被稱為mDDR（MobileDDRSDRAM），擁有比同代DDR內存更低的功耗和更小的體積。目前智能手機普遍使用的LPDDR5內存標準是2019年2月由JEDEC協會正式發布，相較于上一代LPDDR4標準，LPDDR5的I/O速度提升到6400MT/s，是LPDDR4速度的兩倍，比LPDDR4X的4266MT/S快了50%。GDDR，是用于顯示的RAM技術，其特點是高帶寬、高延時，目前最新的標準是GDDR6，2022年7月，三星推出了首款具有24Gbps處理速度的GDDR6顯存。（4）DRAM的先進制程工藝已經縮小到15nm以下，各大廠商繼續向10nm逼近。從制程工藝的進展來看，早前DRAM產品的更新時間大致在3到5年更新一代，在步入20nm以內突破進展呈現放緩趨勢，10nm~20nm系列制程至少包括六代，大約每兩年實現一次突破。由于電路結構是三維的，使用線性的衡量方式并不適合，存儲行業通常使用1X、1Y、1Z、1α、1β、1γ之類的術語表達制程。國際存儲大廠三星電子、SK海力士和美光相繼在2020年后進入1Znm階段，美光1βnmDRAM在2022年11月實現量產，并率先應用在智能手機端的LPDDR5X；三星在2022年12月底推出12nmDRAM，功耗較前一代降低23%；SK海力士最新一代DRAM為1anm，預計2023年將會實現1bnm（即12nm）DRAM的量產。中國本土DRAM廠商主要有合肥長鑫、紫光國芯、兆易創新、東芯股份和福建晉華等，兆易創新依托合肥長鑫的代工資源，2021年推出首款自研4GbDRAM，采用19nm制程工藝，目前即將推出17nm產品；北京君正采用中國臺灣力晶、南亞科技的25nm工藝平臺；紫光國芯、東芯股份等最新工藝制程為25nm。（5）按存儲單元密度來分，NANDFlash可分為SLC、MLC、TLC、QLC四種。SLC為單級單元，每單元可存儲1比特數據，產品性能好、耐久度高，提供高達10萬個P/E周期，但容量低、成本高，常應用于對讀寫耐久度要求很高的行業，如服務器、軍工等。MLC屬于多級單元，每單元可存儲2比特數據，數據密度比SLC要高，可以有更大的存儲容量，擁有1萬個P/E周期，耐久性比SLC低，MLC在服務器、工規級應用較多。TLC為三級單元，每單元可存儲3比特數據，性能和耐久性下降，P/E周期降至最高3000個，但是容量可以做得更大，成本也可以更低，廣泛用于消費類產品，是性價比最高的存儲方案，性能、價格、容量等多個方面達到了較好的平衡。QLC為四級單元，每單元可存儲4比特數據，性能、耐久度進一步變差，P/E周期只有1000個，但價格便宜，單元空間內的存儲容量更高，消費級的大容量SSD就采用QLCNAND閃存顆粒。目前NANDFlash主要以TLC為主，QLC比重正在逐步提高，QLC的性能和耐久度的不足可以通過增大容量來彌補，在消費類產品中有取代TCL的趨勢。（6）NAND經歷了2DNAND時期，現在邁入3DNAND時期。2DNAND將存儲數據的單元水平并排地放置，放置單元的空間量有限，縮小單元則會降低可靠性；3DNAND在縱向上增加疊放單元，加大單位面積內的晶體管數量，從而獲得更高存儲密度，實現更高的存儲容量，此外，耐久度更高、功耗更小，同時不會導致價格大幅上升。16nm制程以上的閃存多屬于2DNAND，其制程工藝不斷發展，向1Znm逼近，不斷縮小的光刻技術在擴展上局限性越來越強，平面微縮工藝的難度也越來越大，無限接近物理極限，16nm制程后，繼續采用2D微縮工藝的難度和成本已超過3D技術，因此3DNAND開始成為主流。市場上的3DNAND主要分為傳統并列式架構和CuA（CMOSunderArray）架構，2018年，長江存儲公布了其突破性3DNAND架構Xtacking，將晶圓鍵合這一關鍵技術在3DNAND閃存上得以實現，隨著層數的不斷增高，基于Xtacking所研發制造的3DNAND閃存將更具成本和創新優勢。（7）國內外存儲廠商3DNAND層數已經發展到200+層，未來將持續拓展更高層數。未來三星電子最早在3DNAND領域拓展，2013年8月，三星推出24層128Gb第一代VNAND閃存，這是全球首個3D單元結構“V-NAND”，后陸續推出32層、48層、64層、96層、128層、176層、236層V-NAND。韓國第二大存儲廠商SK海力士在2014年研發出24層3DNAND產品，之后陸續按照32、48層、72層、76層、96層、128層、176層的順序陸續推出閃存新產品，2022年8月，SK海力士將層數突破到238層的新高度，是目前全球最高層數NAND閃存。此外，美國公司美光推出232層3DNAND，凱俠和西部數據共同推出218層，國內廠商長江存儲也將3DNAND層數推至232層，未來，存儲廠商會向更具競爭力的300+層、400+層數堆疊的3DNANDFlash邁進。2.存儲行業周期底部漸明2.1.存儲芯片市場具有強周期屬性（1）存儲芯片是半導體標準化程度最高的市場，周期性表現顯著、市場彈性較強。半導體產業中，存儲芯片的市場規模僅次于邏輯芯片，行業景氣度受供需關系影響較大，呈現出較強的周期性，被視為半導體產業周期的風向標。根據WSTS統計，2015-2022年，全球存儲芯片市場規模呈周期性波動，2018年全球存儲芯片市場規模為1580億美元，2019年受貿易摩擦和價格下降影響，全球存儲芯片市場下降32.6%至1064億美元，2021年存儲芯片市場達到短期峰值，隨后兩年市場景氣持續下行，WSTS預測2023、2024年存儲芯片市場規模分別為840.41、1203.26億美元。根據歷史數據表現來看，半導體和存儲市場周期性趨同，但存儲行業整體波動性較大，彈性較強。我們預計2023年下半年市場加速筑底，有望迎來上行周期，且隨著人工智能、物聯網、大數據等領域的發展，行業需求將得到持續擴張。（2）國內存儲芯片市場近年來持續擴大。隨著人工智能、物聯網和云計算技術的推進，國內電子制造水平不斷提升，對存儲芯片的需求逐步攀升。國內存儲芯片制造商積極投入存儲芯片研發和制造領域，努力實現技術自主創新，提升本土產業競爭力，降低進口依賴。根據中商產業研究院數據顯示，2018-2022年，中國存儲芯片行業市場規模總體呈現上漲態勢，2019年受全球存儲器行業的影響，市場規模有所下降，2022年國內存儲芯片行業市場規模約為5938億元，預測2023年將達到6492億元。隨著國內消費電子市場高速發展，未來存儲芯片的需求空間也會越來越廣闊。（3）從全球存儲市場結構來看，DRAM和NANDFlash占據絕對主導地位。根據YoleGroup調查機構的數據顯示，2021年存儲芯片整體市場規模達到了1665億美元。其中DRAM占比為56.3%，NAND占比為40%，剩下的NOR、(NV)SRAM/FRAM、EEPROM、新型非易失存儲等占比3.7%。同時，Yole預測在2021-2027年，存儲市場平均每年將會有8%的增長，到2027年市場規模將達到2630億美元，其中DRAM和NAND依然占據絕對地位，預計在2027年DRAM達到60%，NAND市場稍微有所下降到36%，其他存儲器占剩余4%的市場份額。（4）分季度來看，2022年成為拐點，存儲市場規模增長步入尾聲。三年疫情期間，存儲市場需求上升，市場規模增長較快，據CFM閃存市場預計，2021年Q3DRAM市場規模增長9%至264億美元，NANDFlash市場規模增長15%達到186億美元，之后DRAM/NAND市場規模開始下降，到2022年Q4存儲市場規模已經回到2019年Q1、Q2的周期底部水平，在淡季效應下2023年一季度環比續跌，二季度或為2023年最低點，預計從2023年下半年起，存儲市場規模將逐季增長，在需求改善的前提下有望回到之前的增長速度和市場規模。2.2.消費類終端設備搭載存儲容量持續增長（1）存儲下游應用空間廣泛，主要以消費電子和服務器為主。存儲器產業鏈下游涵蓋智能手機、平板電腦、計算機、網絡通信設備、汽車電子等行業以及個人移動存儲等領域，不同應用場景對存儲器的參數要求復雜多樣，涉及容量、讀寫速度、功耗、尺寸、穩定性、兼容性等多項內容，由此也形成了不同的產品形態。DRAM中，LPDDR主要與嵌入式存儲配合應用于智能手機、平板等消費電子產品，近年來亦應用于功耗限制嚴格的個人電腦產品，DDR主要應用于服務器、個人電腦等，DRAM市場需求主要以手機、PC和服務器為主，2021年占比分別為35%/16%/33%。NANDFlash包括嵌入式存儲（用于電子移動終端低功耗場景）、固態硬盤（大容量存儲場景）和移動存儲（便攜式存儲場景）等，其中嵌入式存儲市場主要受智能手機、平板等消費電子行業驅動，固態硬盤下游市場包括服務器、個人電腦，移動存儲廣泛應用于各類消費者領域，2021年，應用于mobile端的嵌入式存儲產品、應用于PC端的cSSD和應用于服務器端的eSSD產品分別占比34%、22%和26%。（2）作為存儲芯片下游重要的細分市場，智能手機景氣度成為存儲市場發展的核心驅動力之一。隨著移動通信技術的發展和移動互聯網的普及，手機ROM和RAM分別成為嵌入式NANDFlash和DRAM的核心市場。得益于3G/4G通信網絡的建設，全球智能手機市場出貨量從2010年的3.05億臺迅速遞增至2016年的14.73億臺，2017年開始智能手機市場趨向飽和，主要是4G智能手機增量市場觸及天花板，智能手機整體出貨量主要受存量市場手機單位存儲容量增長驅動。2019年是5G商用化元年，隨著5G逐漸普及，新一輪的換機周期開啟，智能手機終端新需求進一步打開。（3）存儲芯片價格下跌，助推終端廠商容量配置升級。智能手機對于存儲芯片需求不只取決于手機出貨量，同時取決于單臺手機的存儲容量。目前主流智能手機的存儲容量為256GB至512GB，緩存容量為8GB至12GB，隨著5G手機滲透率的逐步提升，智能手機的性能進一步升級，單臺智能手機的RAM模塊（LPDDR）和ROM模塊（嵌入式NANDFlash）均在經歷持續、大幅地提升。RAM擴容是CPU提升處理速率的必要條件，功能更為強大的移動終端將允許手機搭載功能更為復雜、占據存儲容量更大的軟件程序，且消費者通過移動終端欣賞更高畫質、音質內容物的消費習慣亦會進一步持續推動智能手機ROM擴容。2023年智能手機在生產數量上增長平緩，平均搭載容量增加為移動端NAND需求增長的主要驅動力，集邦咨詢預計隨著UFS價格回調，2023年Q4256GB占比有望突破30%。（4）PC市場需求有所回落，單臺設備存儲容量持續增加。三年疫情帶來工作、生活方式的轉變，而平板、筆記本電腦等也因遠程辦公、在線教育場景需求，出貨量大幅增長，2020年、2021年出貨量同比增長13.47%和15.27%，但疫情并非長期性事件，PC需求量持續高速增長存在較大不確定性，2022年開始需求已經回落。由于SSD的制造成本較高，PC端數據存儲過去主要使用機械硬盤（HDD），近年來，隨著NANDFlash單位存儲經濟效益持續凸顯，同時筆記本電腦，特別是輕薄筆記本電腦對存儲物理空間限制嚴格，SSD對HDD的替代效應顯著。同時，PC與其他消費電子產品相同，正在經歷性能和數據存儲需求的持續增長，隨著消費者處理數據的需求不斷增加，單臺設備的存儲容量需求亦持續增加。2.3.AI&汽車電子驅動下游景氣復蘇（1）數據規模持續增長，給存儲行業帶來較大的成長空間。傳統存儲面對的應用主要是數據庫、文件和流媒體等傳統應用，在新興技術驅動下，存儲主要面對的是云計算、大數據和人工智能等大規模數據應用場景。據IDC預測，2025年，全球數據量將達到175ZB，5年年均復合增長率31.8%，而數據中心存儲量占比將超過70%。從全球市場來看，2017-2022年全球數據中心市場保持平穩增長趨勢，市場規模從465.5億美元增長至679.3億美元，五年內的年均復合增長率為9.91%，預計2023年全球數據中心市場規模將進一步增至820.5億美元。隨著我國各行業數字化轉型的深入推進，我國數據中心市場規模也將保持持續增長態勢，預計2023年市場規模將達到2470.1億元。一方面互聯網巨頭紛紛自建數據中心，同時傳統企業上云進程加快，兩者共同帶動服務器數據存儲市場規?？焖僭鲩L。在數據中心作為新型基礎設施加快建設的背景下，服務器數據存儲的市場規模將繼續快速增長，存儲板塊的需求也將大幅增加。（2）“東數西算”工程全面實施，服務器存儲市場有望進一步打開。2021年5月，國家發展改革委、中央網信辦、工業和信息化部、國家能源局聯合印發《全國一體化大數據中心協同創新體系算力樞紐實施方案》，2022年2月，京津冀、長三角、粵港澳大灣區、成渝、內蒙古、貴州、甘肅、寧夏8地啟動了建設國家算力樞紐節點，并規劃了10個國家數據中心集群，依托8大算力樞紐和10大集群，更好引導數據中心集約化、規?；⒕G色化發展，促進東西部數據流通、價值傳遞，帶動數據中心相關產業由東向西有效轉移。國家東數西算戰略不斷取得進展，預計到2025年，韶關數據中心集群將建成50萬架標準機架、500萬臺服務器規模，投資超500億元。東數西算戰略聚焦于算力和數據存儲，工程的實施有望進一步拉動服務器數據存儲的總體市場規模，國產企業級SSD廠商有望打開增量空間。（3）生成式AI市場迅速擴張，提高了對AI服務器內存的需求。隨著人工智能產業加速發展，全球主要國家和地區紛紛加快AI基礎設施布局，AI服務器通常由CPU搭載GPU、FPGA、ASIC等加速芯片組成，以滿足高吞吐量互聯的需求，是人工智能基礎設施的核心。2022年全球AI服務器市場規模約為183億美元，預計2023年全球AI服務器市場規模增長15.30%，將達211億美元。2022年全球AI服務器出貨量約占整體服務器比重近1%，約為14.5萬臺，預計2023年出貨量將達15萬臺，到2026年將增長至22.5萬臺。AI大模型等人工智能技術發展，引發了對服務器算力需求的進一步增長，智能算力需求爆發式增長意味著需要搭載更大的存儲容量以提升處理速度，同時帶動存儲芯片需求成長。（4）汽車存儲市場發展迅速，主要以智能座艙和ADAS&AD為主。根據Yole報告，2021年，汽車存儲器市場規模達到43億美元，占全球存儲器市場收入的2.6%，占汽車半導體的10%。汽車存儲器2021到2027年的年均復合增長率為20%，超過同期存儲器市場和汽車半導體市場的增速。汽車存儲市場由NAND和DRAM主導，合計份額為80%，其中DRAM為41%，NAND為39%，NORFlash在汽車領域表現的占有率較高，市場份額為15%。具有信息娛樂單元、儀表盤和連接性的駕駛艙是目前主要的汽車存儲用戶，2021年占比達到71%，ADAS&AD緊跟其后，成為第二大車載內存用戶，2021年占收入的24%，動力總成、底盤和安全以及車身和舒適性等其他領域合計占需求的5%。預計到2027年，智能座艙仍將是存儲領域主要消費者，但ADAS&AD的收入份額將增至36%，技術方面，DRAM和NAND將占汽車內存收入的90%左右。（5）自動駕駛等級越高，對車載存儲容量、密度和帶寬的需求也大幅提升。車載市場目前主要的存儲應用包括DRAM（DDR、LPDDR）和NAND（eMMC和UFS等），其中低功耗的LPDDR和NAND將是主要增長點。高等級自動駕駛汽車對于車載存儲容量、密度和帶寬的需求更高，將需要采用更高帶寬的存儲器如LPDDR5、GDDR6等，以簡化系統設計。以NANDFlash為例，主要用于ADAS系統、IVI系統、汽車中控等，作用在于存儲連續數據，隨著自動駕駛等級提升，ADAS系統對NAND容量需求增長顯著，L1/L2級ADAS一般只需主流8-64GB的eMMC，L3級則提升至128/256GB，L5級最高可能超過2TB，可能進一步采用PCIeSSD。3.存儲廠商縮減資本開支以調配供需平衡3.1.存儲芯片市場行業集中度較高（1）DRAM和NANDFlash市場集中度高，呈現寡頭壟斷格局。根據Yole數據，2021年全球存儲市場中，DRAM占比為56.3%，NAND占比為40%，目前DRAM芯片的市場格局由三星、SK海力士和美光三家存儲廠商主導，CR3市場占有率合計已超過95%，最新數據來看，2023年Q2三星電子占全球DRAM市場營收的38.14%，SK海力士占比達32.29%，美光的市占率也達到25.03%，市場高度集中，寡頭壟斷的格局使得國內廠商對DRAM芯片議價能力很低，也使得DRAM芯片成為我國受外部制約最嚴重的基礎產品之一。NANDFlash市場經過幾十年的發展，逐漸形成了由三星電子、鎧俠、西部數據、美光、SK海力士等組成的穩定市場格局，2023年Q2三星電子、鎧俠、SK海力士、西部數據、美光的營收占比分別為30.18%、20.05%、18.25%、15.09%、11.10%，CR5合計市占率達95%，國內的長江存儲也在慢慢進入NAND市場，但市占率相對較低。（2）NOR行業經歷二十多年演變，頭部廠商經歷多次洗牌。2003年由AMD和富士通整合各自的閃存業務合并成立飛索半導體，后逐漸發展為NORFlash領域頭部廠商，然而在2009年，公司申請了破產保護，三星電子也在2010年開始宣布退出NOR市場，由英特爾和意法半導體在2008年合資成立的恒億也在2010年被美光收購。全球NOR市場空間經過較長時間的下行，國際巨頭美光和賽普拉斯于2017年先后宣布逐步退出中低容量的消費電子市場，美光和賽普拉斯的退出使華邦、旺宏和兆易創新的份額開始上升，另外產能的減少也改善了市場的供需關系，2017年之后，全球NORFlash市場被旺宏、華邦、賽普拉斯、美光和兆易創新壟斷。（3）國際存儲巨頭相繼退出NORFlash市場，龍頭占據主要份額。NORFlash屬于利基型存儲，在全球存儲市場份額很小，根據Yole數據，2021年全球存儲市場中，NOR占比僅為2.1%。2015-2021年，受5G、TWS等新智能設備，以及居家辦公、遠程教育等需求帶動，NORFlash市場規模保持穩定增長，2021年市場規模達到28.84億美元，同比增長15.36%，其中旺宏、賽普拉斯、華邦、美光和兆易創新成為NORFlash全球前五大供應商，2017年占據全球92%以上的市場份額。隨著2017年國際存儲巨頭美光、賽普拉斯相繼退出低端NOR市場，華邦、旺宏、兆易創新則逐漸占據NORFlash剩余的主要市場份額，2021年三家存儲廠商的市占率分別為35%、33%和23%，CR3合計市占率達到91%，國內廠商例如普冉股份、北京君正、東芯股份、恒爍股份等也迅速加入市場。（4）國內廠商加快產業鏈布局，聚焦利基型存儲市場。存儲芯片行業屬于技術密集型產業，全球存儲芯片市場基本均被韓國、日本以及美國等國家壟斷，國內存儲芯片行業起步晚，缺乏技術積累，國內廠商除合肥長鑫和長江存儲外，大部分聚焦于利基型市場，與國際龍頭展開錯位競爭。國內代表性存儲芯片設計及制造企業包括兆易創新、長江存儲、長鑫存儲、武漢新芯、普冉股份等，近年來，中國紫光集團旗下長江存儲、武漢新芯，以及兆易創新及其合作廠商合肥長鑫等在DRAM和Flash領域逐漸突破技術壁壘，存儲芯片供給格局正在悄然變化，從過去高度依賴進口，到國產品牌逐漸開始占據市場。盡管目前國內存儲芯片產業整體發展與海外巨頭仍然存在差距，各家存儲芯片產品仍處于投產初期，尚未實現產品的規模量產，但隨著國內廠商不斷取得關鍵性技術突破，市場有望迎來黃金發展期。3.2.國內外存儲廠商業績普遍承壓（1）需求疲軟及客戶調整庫存，三星電子存儲業績大幅下滑。三星電子是全球存儲行業龍頭廠商，DRAM和NANDFlash的市占率均位列全球第一。三星電子成立于1969年，1974年三星收購了韓國半導體公司50%的股份并于1979年收購了剩余股份，改名三星半導體，并于1980年與三星電子合并，進一步鞏固了三星電子在半導體制造領域的統治地位。根據三星電子公布的財報數據，2022年Q3開始，三星電子業績開始出現下滑，公司2023年Q2實現營業收入60.01萬億韓元，同比-22%/環比-6%；實現營業利潤0.67萬億韓元，同比-95.26%/環比+4.69%。其中，存儲業務營收為8.97萬億韓元，同比-57%/環比+1%，存儲市況惡化使得三星電子整體業績回落，不僅存儲營收急速下滑，而且存儲所在的DS部門2023年Q2虧損4.36萬億韓元，上季度虧損4.58萬億韓元，環比虧損收窄。（2）美光2023年Q3業績環比改善，AI領域拉動存儲芯片需求增加。美光科技是全球領先的DRAM供應商之一，同時也是NAND閃存市場的領軍企業之一，其存儲芯片行業市占率全球領先。公司成立于1978年，總部位于美國愛達荷州博伊西市，最初是生產DRAM芯片的專業廠商，隨著技術不斷升級和業務范圍的擴大，美光科技逐漸成為了集計算存儲、移動存儲、服務器、網絡與通信、工業與汽車等多個領域的智能存儲解決方案提供商。公司2023財年第三財季實現營業收入37.52億美元，同比下降56.58%，其中DRAM占營收比重的71%，NAND占27%；三季度調整后運營虧損14.69億美元，市場預期虧損16.9億美元，較上季度虧損20.77億美元顯著收窄。受益于生成式人工智能技術的加速普及，人工智能服務器對于內存芯片和存儲芯片市場需求拉動，疊加上游減產和渠道清庫存，傳統的個人電腦和智能手機市場，存儲芯片供大于求的難題有所緩解，存儲芯片行業開始逐漸回溫。（3）AI推動高端存儲產品銷售增加，SK海力士二季度營收虧損收窄。SK海力士成立于1983年，公司主要生產和提供電腦和移動產品等IT設備必需的DRAM和NAND閃存產品，在世界IT產業中占據主導地位，是世界第二大內存芯片廠商。自1984年生產16KbSRAM以來，之后持續提供世界最小、最高速、最低電壓的內存半導體，隨著移動端和PC端用戶量日益增多，對內存芯片的需求也越來越多，SKHynix加速產品布局，技術發展層層突破。公司2023財年第二財季實現營收7.31萬億韓元，較一季度5.09萬億韓元環比增長44%，同比減少47%；經營虧損2.88萬億韓元，相比去年同期是由盈轉虧，環比收窄15%；凈虧損2.99萬億韓元，凈利潤率-41%優于Q1和去年Q4。盡管PC、移動端市場弱勢，DDR4等普通DRAM價格持續下降，但隨著以ChatGPT為中心的生成式AI市場的擴大，用于AI服務器的存儲器產品需求強勢，HBM3、高性能DDR5和LPDDR5DRAM等高價格、高配置產品銷售增加，DRAM整體ASP比第一季度有所提高。（4）國內存儲廠商經營狀況下滑，多數業績表現不佳。面對全球消費電子行業需求疲軟、產業庫存較高、全球通脹、新冠疫情、經濟放緩等多重因素疊加，半導體存儲行業需求下滑，存儲產品價格下滑，市場整體表現下行趨勢。國內存儲廠商財務表現來看，大多數廠商出現營收、歸母凈利潤下滑，盈利水平下降，個別廠商如聚辰股份，把握DDR內存模組換代升級以及汽車級EEPROM芯片供應短缺帶來的市場發展機遇，應用于DDR5內存模組、汽車電子及工業控制等高附加值市場的產品于2021年第四季度起大批量供貨，帶動公司收入規模和資產規模持續擴張。隨著2023年下半年消費端需求逐步恢復，存儲芯片價格逐漸回暖，各廠商庫存水平恢復正常，存儲廠商業績情況有望呈現階段性恢復。3.3.頭部存儲廠商紛紛縮減資本開支（1）存儲大廠紛紛縮減資本支出，降低產能利用率以調配供需平衡。根據ICinsights數據顯示，全球半導體資本支出在2021年增長35%，2022年增長19%后，預計2023年下降14%，達1560億美元。細分來看，在存儲領域，以SK海力士和美光科技為首的存儲芯片廠商對半導體投資支出顯著下滑，其中，SK海力士在2023年降低50%資本支出，美光在2023年資本支出下降42%，存儲廠商龍頭三星電子2022年只增加了5%的資本支出，2023年維持上年同等水平。當前，存儲市場處于下行周期，全球存儲廠商面臨價格下降、產業本身的周期屬性以及外部經濟環境下行因素，為應對持續低迷的存儲芯片市場，三星電子、美光科技、SK海力士、西部數據等存儲芯片大廠都宣布將于2023年大幅度減產、削減資本開支，改善供需結構。（2）存儲芯片價格下跌幅度減緩，短期有望筑底反彈。截至2023年8月，年初至今DRAM現貨價格下跌30%左右，雖然DRAM廠商較早計劃減產，但由于今年服務器需求不如預期，服務器DRAM供應整體溢出嚴重，部分現貨DDR顆粒供應過剩，原廠不斷收縮供應過剩的DDR4轉向利潤更高的DDR5，市場供需狀況在產能調動中持續變化，供需兩端持續博弈，部分DRAM行情短期承壓。目前存儲行情位于底部橫盤階段，市場仍然處于爭奪存量需求的階段，在上游廠商減產、資源拉漲和消費持續復蘇的帶動下，預計下半年存儲行情將持續回暖。（3）NANDFlash價格日益趨緊，部分產品價格出現上揚趨勢。截至2023年8月28日，SLC2Gb256MBx8/SLC1Gb128MBx8現貨價格分別為0.79/0.82美元，環比7月28日跌幅為1.13%/2.26%；MLC64Gb8GBx8/MLC32Gb4GBx8現貨價格分別為3.86/2.06美元，環比小幅增長0.26%/0.34%，鞏固了NAND資源漲價趨勢；3DTLC256Gb現貨價格為2.10美元，環比保持不變。隨著存儲大廠紛紛宣布大幅減產，NAND芯片供給端過?，F象將進一步改善，8月渠道需求環比有所恢復，存儲行情有底部反轉跡象。（4）美光在華銷售產品未通過網絡安全檢查，國產化自主安全可控需求凸顯。2023年5月21日，網信中國發文稱，網絡安全審查辦公室依法對美光公司在華銷售產品進行了網絡安全審查，審查發現，美光公司產品存在較嚴重網絡安全問題隱患，對我國關鍵信息基礎設施供應鏈造成重大安全風險，影響我國國家安全。為此，網絡安全審查辦公室依法作出不予通過網絡安全審查的結論。按照《網絡安全法》等法律法規，國內關鍵信息基礎設施的運營者應停止采購美光公司產品。美光是美國的存儲芯片行業龍頭，也是全球第三大存儲芯片巨頭，審查結果將影響美光的產品在中國市場的銷售，三星、SK海力士將逐漸取而代之，中國的存儲廠商也能獲得更多市場機會，此前采購美光存儲晶圓、芯片的中國存儲模組制造企業將進行產品結構調整。（5）美光在華銷售份額較高，國產替代空間廣闊。根據美光科技2022年財報數據，2022財年美光營收為307.58億美元，其中中國內地為33.11億美元，占比為11%，是除美國和中國臺灣外第三大市場。在美光銷售的產品中，DRAM內存是其最主要的來源，2022年營收223.86億美元，占比73%，NAND閃存是第二大產品，2022年營收78.11億美元，占比25%。根據ICInsights的數據，全球車規DRAM市占率前三分別為美光（45%）、北京君正（15%）和三星（11%），隨著美光在華銷售產品受到限制，國內車載存儲龍頭北京君正最先受益；SLCNAND領域，國內龍頭東芯股份有望從中受益；此外，根據CINNOResearch數據，2020年美光在全球NORFlash市場占約4%的份額，國內NORFlash龍頭廠商兆易創新有望加速產品升級以及提高市占率。4.公司介紹4.1.兆易創新：國內NORFlash龍頭廠商，多產品線多賽道布局（1）持續完善產品結構，支撐業務穩健發展。兆易創新是一家廣泛布局于存儲芯片、微控制器、傳感器芯片的半導體設計廠商，公司成立于2005年4月，公司前身是北京芯技佳易微電子科技有限公司，2009年12月正式更名為北京兆易創新科技有限公司。在存儲業務布局方面，公司2008年成功量產180nm串行NORFlash，2013年推出業界第一顆SPINANDFlash，2017年10月，公司聯合合肥長鑫，開展19nm制程的12英寸DRAM項目，首次涉足DRAM市場，并于2021年6月發布首款自有品牌DRAM產品。公司存儲器產品可分為三個部分，NORFlash、SLCNANDFlash和DRAM，在NORFlash領域，公司市場占有率全球第三、中國第一，累計出貨量近212億顆；在NANDFlash領域，公司實現了從SPINORFlash到SPINANDFlash車規級產品的全面布局，為車載應用的國產化提供豐富多樣的選擇；在DRAM領域，公司自研DRAM產品組合，在已有DDR4產品基礎上，推出DDR3L產品，廣泛應用在智慧家庭、工業、車載影音系統等領域。（2）業績保持高增長態勢，受終端需求不振短期下滑。收入端來看，公司營業收入從2018年22.46億元增長至2022年81.3億元，近五年復合增長率為37.9%，得益于前瞻性的戰略布局和持續研發創新，以及應對市場供需變化的快速反應能力，公司實現了經營業績高速成長，2021年公司營收同比增長89.25%。利潤端來看，歸母凈利潤從2018年4.05億元增長至2022年20.53億元，近五年復合增長率為50.05%，2021年同比增長165.33%。2022年，受經濟環境、地緣政治沖突等外部因素影響，存儲行業整體面臨周期下行壓力，消費電子市場整體表現低迷，市場需求疲軟，行業仍處于庫存消化調整期，公司產品銷售價格承壓，進一步導致營業收入和歸母凈利潤出現下滑。（3）盈利水平穩健，費用端管控良好。受終端智能化需求和供應鏈本土化趨勢，公司產品市場需求持續旺盛，毛利率從2018年38.25%增長至2022年47.66%，凈利率也從2018年17.99%增長至25.25%，保持穩定增長態勢。此外，公司積極開拓新市場、新客戶，優化產品和客戶結構，費用端保持良好水平，近年來，由于人員規模增加、員工報酬增加、以及股權激勵費用增加，導致人工費用增加，銷售/管理/研發費率有所提高。（4）存儲業務筑牢根基，多元化布局助力穩健經營。公司業務是多賽道多產品線的組合布局，目前主要是存儲器、微控制器和傳感器三大類，存儲器又分為SPINOR、SLCNAND和DRAM，微控制器包括ARM核和RISC-V開源內核，傳感器包括觸控和指紋識別芯片。從業務收入情況來看，存儲業務是公司收入的主要來源，2019-2023H1年占營收比例均保持在60%以上，公司各項業務整體上均保持穩定增長態勢，2022年存儲業務、傳感器業務收入減少，主要是受消費市場需求疲軟影響，得益于公司多元化產品布局，其來自工業、網通領域的收入增加彌補了消費領域的收入下滑，并帶動微控制器業務收入增長。（5）公司主要關注要素：1）NORFlash方面，公司推出512Mb、1Gb、2Gb的大容量SPINORFlash產品，填補國產空白，在汽車應用上，公司GD25產品全面滿足車規級AEC-Q100認證，SPINORFlash車規級產品2Mb~2Gb容量已全線鋪齊，為市場提供全國產化車規級閃存產品；2）NANDFlash方面，38nm和24nm兩種制程全面量產，容量覆蓋1Gb~8Gb，其中車規產品GD5F系列SPINAND，容量覆蓋1Gb~4Gb，38nmSLCNANDFlash車規級產品搭配車規級SPINORFlash，為進入車用市場提供更多機會；3）DRAM方面，公司已量產DDR4、DDR3L產品，并通過與代工廠商的緊密合作關系，獲得穩定的產能保障；4）MCU方面，公司GD32MCU產品已成功量產38大產品系列、超過450款MCU產品，實現對通用型、低成本、高性能、低功耗、無線連接等主流應用市場的全覆蓋。4.2.東芯股份：國內領先的存儲芯片設計公司，聚焦中小容量存儲芯片（1）緊跟存儲芯片國產化浪潮，聚焦中小容量存儲芯片領域。東芯股份成立于2014年11月，是國內領先的存儲芯片設計公司，聚焦于中小容量存儲芯片的研發、設計和銷售，實現芯片設計、制造、封裝測試等環節全流程的掌控能力，是少數可以同時提供NAND、NOR、DRAM等主要存儲芯片完整解決方案的公司。公司搭建了穩定可靠的供應鏈體系，設計研發并量產的24nmNAND、48nmNOR均為我國領先的閃存芯片工藝制程，實現了國內閃存芯片的技術突破。憑借強大的研發能力和穩定的供應鏈體系，產品已進入國內外眾多知名客戶，被廣泛應用于通訊設備、安防監控、可穿戴設備、移動終端等終端產品。（2）收入持續穩健增長，利潤端短期承壓。收入端，公司營業收入從2018年5.10億元增長至2022年11.46億元，近五年復合增長率為22.43%，主要得益于公司產品線不斷豐富，對客戶的導入陸續完成，產品逐步放量，銷售規模有所擴大，且隨著市場持續回暖，產品價格上漲。利潤端，公司加強布局、完善多渠道供應鏈及交貨方式，在2020年首次實現盈利，并在2021年實現歸母凈利潤2.62億元，同比增長1240.27%，2022年受地緣政治局勢緊張、全球經濟下滑、半導體行業周期性波動等因素影響，公司利潤端有所下滑。（3）規模效應顯現疊加產品結構持續優化，盈利能力穩步提升。隨著公司銷售規模逐步擴大，規模效應開始顯現，同時公司在持續微縮制程及提高良率的同時對現有產品的結構進行持續優化，高附加值和高毛利率產品的銷售占比提升，如大容量SLCNAND等，因此毛利率水平得到很大提升。費用率方面，公司持續加大研發投入力度，保證公司產品的技術先進性，2022年公司研發費用1.10億元，占營收比重為9.63%，同比+3.03pct，銷售費用、管理費用管控良好，2022年較上期分別-0.09pct/-0.14pct。（4）NORFlash業務出現大幅下滑，技術服務收入實現翻倍增長。公司的主要產品為非易失性存儲芯片NANDFlash、NORFlash，易失性存儲芯片DRAM以及衍生產品MCP，從產品收入情況來看，2022年公司NAND產品實現收入7.08億元，同比增長7.27%，經過多年發展，公司的品牌知名度和產品得到客戶的廣泛認可，公司NAND產品在國內的市場地位日趨凸顯，銷售規模和盈利能力逐步提升，2022年NORFlash產品實現收入0.72億元，同比下滑61.47%，主要由于消費電子需求下滑，穿戴式應用需求走弱所致，同時DRAM、MCP和技術服務比去年同期也分別增長了3.22%、26.38%和99.70%，技術服務增長較多主要是由于項目進度投入增加，按照履約進度確認技術服務收入增加。（5）公司主要關注要素：1）NANDFlash，公司在28nm及24nm的制程上持續開發新產品，不斷擴充SLCNANDFlash產品線，部分新產品已達到量產標準，公司先進制程的1xnmNANDFlash產品已完成首輪晶圓流片及首次晶圓制造，并已完成功能性驗證。2）NORFlash，公司的NORFlash產品在力積電的48nm制程上持續進行更高容量的新產品開發，目前512Mb、1Gb大容量NORFlash產品都已有樣品可提供給客戶，此外，公司在中芯國際的NORFlash產品制程從65nm推進至55nm，目前該制程產線已完成首次晶圓流片。3）DRAM，公司設計研發的LPDDR4x及PSRAM產品均已完成工程樣片并已通過客戶驗證。4）車規產品研發進度方面，公司基于中芯國際38nm工藝平臺的SLCNANDFlash以及基于力積電48nm工藝平臺的NORFlash均有產品通過AEC-Q100測試，將適用于要求更為嚴苛的車規級應用環境。4.3.北京君正：國內車載存儲龍頭廠商，“計算+存儲+模擬”三線布局（1）收購美國公司ISSI及其子公司Lumissil，公司發展邁向新臺階。公司成立于2005年7月，自成立以來，不斷研發新產品推向市場，公司產品先后進入指紋識別、教育電子、PMP等重點應用領域，2011年5月，公司成功在深交所創業板上市。2020年，公司完成對北京矽成半導體有限公司收購，正式切入存儲與模擬芯片賽道，北京矽成經營主體ISSI原為美國上市公司，1995年在納斯達克上市，主營業務為集成電路存儲芯片以及模擬芯片的研發、技術支持和銷售。本次并購是公司發展中的重要里程碑，自此，公司擁有三大業務品牌：Ingenic、ISSI和Lumissil，分別包括微處理器芯片和智能視頻芯片、存儲芯片、模擬與互聯芯片的業務，公司擁有了面向多類重要芯片領域的核心技術，并擁有全球化的客戶資源、渠道資源、市場資源和全球化的人才資源。（2）業績保持高增長態勢，短期擾動不改長期發展勢頭。收入端，公司營業收入從2018年2.60億元增長至2022年54.12億元，近五年復合增長率為114%，2022年，在全球經濟局勢動蕩、通脹率提升、流動性收緊和經濟增長乏力背景下，集成電路市場增速相應放緩，市場從芯片供不應求到去庫存的下行周期。在2022年集成電路設計領域普遍出現業績壓力較大的情況下，公司收入實現逆勢增長。利潤端，公司歸母凈利潤從2018年0.14億元增長至2022年7.89億元，近五年復合增長率為174%，消費電子市場在2021年高速增長之后，2022年陷入低迷，公司總體利潤水平也受到影響，出現下滑。隨著市場整體庫存水平的下降，供需平衡逐漸改善，預計未來消費電子市場有望逐漸復蘇，市場需求有望恢復。（3）盈利水平保持穩健，費用端持續優化。毛利率方面，2018-2022年，公司一直保持良好的盈利水平，2020年由于公司全資子公司北京矽成納入公司合并報表編制范圍，毛利率出現下滑，其余年份公司毛利率維持在40%左右的較高水平。費用端數據來看，公司近幾年費用持續優化，銷售費用率、管理費用率逐步下降，此外，公司持續加強技術與產品研發投入，2022年研發費用占收入比重達12%，增強核心技術的積累和新產品的更新迭代的同時，也提高了公司的市場競爭力。（4）并表后業務規模大幅提高，存儲芯片業務筑牢基本面。公司主要產品線包括微處理器芯片、智能視頻芯片、存儲芯片、模擬與互聯芯片，產品被廣泛應用于汽車電子、工業與醫療、通訊設備及消費電子等領域。存儲業務方面，公司存儲芯片產品可分為SRAM、DRAM和Flash三大類，公司SRAM產品品類豐富，包括了不同容量的同步SRAM、異步SRAM、高速QDRSRAM等產品；DRAM產品研發包括了從SDR、DDR1、DDR2、LPDDR2、DDR3到DDR4、LPDDR4等各類產品；公司Flash產品線包括了目前全球主流的NORFlash存儲芯片和NANDFlash存儲芯片。從業務收入情況來看，公司各項業務整體上均保持穩定增長態勢，其中存儲芯片業務是公司收入的主要來源，2022年收入占比達到75%。（5）公司主要關注要素：1）存儲芯片領域，公司的8GLPDDR4已完成工程樣品的生產并開始向客戶送樣，新規格的2GLPDDR2、4GLPDDR4等產品于報告期內完成了量產工作；公司進行了16M~128M不同電壓的多款超低功耗、高性價比NORFlash芯片研發與投片工作，其中部分產品于報告期內實現了量產。2）智能視頻領域，公司的產品線不斷拓展，目前公司有面向安防監控市場的IPC產品T系列芯片、面向后端NVR等設備的A1芯片以及面向泛視頻類市場的C100芯片，公司將在A1和C100的基礎上分別進行下一代升級產品的研發，從而形成A系列和C系列產品，公司的產品系列已由單一芯片平臺擴展到多芯片平臺。3）模擬與互聯芯片領域，公司不斷豐富車規級、工業級等高品質LED驅動芯片的產品種類，繼續進行面向汽車應用的LIN、CAN、GreenPHY、G.vn等網絡傳輸產品的研發和測試等工作，部分產品進行了樣品生產和風險量產，GreenPHY產品已向客戶提供了樣品。4）微處理器芯片領域，公司完成了X1600系列芯片的測試和量產工作，進行了下一代升級產品X2600的研發，該產品在圖像處理和顯示性能等方面均有進一步提升，具有較高的功能靈活性和擴展性。4.4.江波龍：國內領先的多品類存儲廠商，雙品牌+四產線雙輪驅動成長（1）聚焦于存儲產品和應用，收購Lexar進一步開拓海外市場。江波龍電子成立于1999年，經過十多年的技術積累，公司打造了FORESEE品牌并在存儲行業擁有良好的口碑，2011年發布FORESEE品牌eMMC，SSD存儲產品。2017年公司成功收購Lexar，Lexar1996年誕生于美國，是具有27年歷史的國際高端消費類存儲品牌，業務涉及攝影、影音、高端移動存儲場景領域，在存儲領域擁有全球化、全產品、全鏈路布局。根據Omdia數據，2021年，Lexar存儲卡全球市場份額位列第二名，Lexar閃存盤全球市場份額位列第三名，根據TrendForce發布的2021年全球SSD模組企業自有品牌渠道市場出貨量排名，Lexar品牌出貨量位列該市場全球第四名。2022年8月5日，公司成功登陸深交所創業板，同時發布企業級SSD，跨出企業級SSD高端存儲領域的第一步。（2）深耕存儲行業20余年，逐步完善產品布局。通過不斷的技術積累和迭代，公司驅動自身規模和價值提升，通過創新封裝集成設計和NANDFlash主控芯片定制，成功開發了一體化U盤模塊UDP和SSD模塊SDP，有效簡化產品后端組裝工藝，實現規模化、高品質量產，率先在行業中推廣應用，為公司帶來業務規模和市場價值。2011年，公司開始自主開發eMMC存儲器，2019年開始規模量產工規級、車規級eMMC存儲器，在國產eMMC存儲器領域具有市場領先地位。2020年公司車規級eMMC通過AEC-Q100可靠性驗證標準。（3）產品+品牌雙輪驅動，加快產業布局。公司主要從事Flash及DRAM存儲器的研發、設計和銷售，提供消費級、工規級、車規級存儲器以及行業存儲軟硬件應用解決方案。公司面向消費電子、工業、通信、汽車、安防、監控等行業應用市場和消費者市場，為客戶提供高性能、高品質、創新領先的存儲芯片與產品。按產品劃分，公司目前擁有嵌入式存儲、固態硬盤、移動存儲和內存條四大產品線，按品牌劃分，公司已經形成了面向工業市場（ToB）的FORESEE品牌產品矩陣及面向消費者個人市場（ToC）的Lexar（雷克沙）品牌產品矩陣。（4）收入持續穩健增長，受行業景氣下行利潤端短期下滑。收入端來看，公司營業收入從2018年42.28億元增長至2022年83.30億元，近五年復合增長率為18.48%。2022年，公司業績出現明顯下滑，一是受宏觀不利因素影響，全球經濟下行風險加劇，市場需求持續疲軟，存儲市場供大于求，量價齊跌；二是2021年行業景氣度高，公司業績創造新高，導致2022年同比基數較高。利潤端來看，2018-2021年，公司歸母凈利潤保持高速增長，2021年達到10.13億元，2022年，由于存儲芯片行業整體承壓公司利潤出現下滑，較上年同期下滑92.81%。（5）盈利水平穩健，費用端管控良好。毛利率方面，2018-2021年，公司毛利率一直保持穩定增長趨勢，2022年受宏觀環境影響，疊加消費市場的低迷，毛利率有所波動，在原廠減產效應以及宏觀經濟修復的雙重驅動之下，存儲市場有望在下半年進入企穩的階段，公司凈利率有望得到恢復。費用端來看，隨著公司業務規模的不斷擴大，人員數量有所增長，同時公司經營業績逐年提升，人員績效薪酬相應有所增長，從而使得銷售/管理費率2022年有所增長，此外，公司一直持續加大研發投入，2022年公司研發費用達到3.56億元，公司的研發投入更多集中于企業級存儲產品、自研小容量存儲芯片等未來高增長潛力的領域，這些新領域都還需要持續的技術投入和資源投入。（6）各項業務保持穩定增長，嵌入式存儲營收貢獻最大。從業務收入情況來看，公司各項業務整體上均保持穩定增長態勢，公司主營業務收入主要來源于嵌入式存儲、移動存儲和固態硬盤，內存條是公司2020年新推出的產品，尚處于市場推廣期，收入貢獻較小，但增長速度較快。嵌入式存儲和固態硬盤是公司重點產品，近年來銷售規模和占比呈逐年上升趨勢，移動存儲產品主要包括U盤、存儲卡及個人便攜移動存儲設備等，收入規模較為穩定，但隨著公司整體收入規模的增長，銷售占比顯著下降。（7）公司主要關注要素：1）嵌入式存儲方面，目前公司能夠大規模供應eMMC5.1產品，自研固件的UFS2.2產品已經量產出貨；在LPDDR4、LPDDR4X之外，成規模送樣FORESEE品牌的LPDDR5，并為后續量產出貨做好相應準備；公司自研SLCNANDFlash存儲芯片產品：512Mbit、1Gbit、2Gbit、4Gbit均已實現量產，并率先推出了512MbSLCNANDFlash小容量存儲芯片。2）固態硬盤方面，持續拓展企業級和高端消費級SSD市場，公司已經推出多款高速SSD產品，消費類PCIe接口SSD最高可實現7,500MBps/6,500MBps的讀寫速度，SATA接口SSD最高可實現550MBps/500MBps的讀/寫速度。3）移動存儲方面，大容量產品方面，公司推出2TBCFexpress金卡和1TBMicroSDPLAY卡；高速傳輸產品方面，推出讀取速度1900MB/s，寫入速度1700MB/s的CFexpress鉆石卡產品；創新產品方面，推出指紋識別閃存盤、與nanoSIM卡同尺寸的NMCard產品。4）內存條方面，公司內存條產品線覆蓋DDR4及DDR5系列規格，產品容量包含4GB到64GB，公司亦正在有序導入DDR5的RDIMM產品，不斷豐富公司RDIMM產品線。4.5.普冉股份：非易失存儲領域新星，“存儲+”打開第二成長曲線（1）非易失性存儲新進者，積極拓展“存儲+”戰略。普冉股份成立于2016年，2021年8月23日成功登陸上交所科創板，公司在非易失性存儲器芯片領域深耕多年，憑借其低功耗、高可靠性的產品優勢，在下游客戶處積累了良好的品牌認可度，成為了國內NORFlash和EEPROM的主要供應商之一。根據存儲需求的不同，公司的NORFlash產品應用于低功耗藍牙模塊、TWS耳機、手機觸控和指紋、可穿戴設備、車載導航和安全芯片等領域，EEPROM產品應用于手機攝像頭模組、智能儀表、網絡通信、家電等領域。在立足于存儲芯片領域的基礎上，實施基于先進工藝和存儲器優勢的“存儲+”戰略，積極拓展通用微控制器和存儲結合模擬的全新產品線。（2）業績持續高增長，受終端需求下降短期承壓。收入端，公司營業收入從2018年1.78億元增長至2022年9.25億元，近五年復合增長率為51%，2022年，全球經濟總量增速放緩，消費動力不足，消費電子產品等的出貨量縮減等影響傳導至上游廠商，對公司的主營業務收入規