實驗二存儲器實驗實驗目的通過看懂教學計算機中已經使用的幾個存儲器芯片的邏輯連接關系和用于完成存儲器容量擴展的幾個存儲器芯片的布線安排，在教學計算機上設計、實現并調試出存儲器容量擴展的實驗內容。其最終要到達的目的是：1．深入理解計算機內存儲器的功能、組成知識；2．深入地學懂靜態存儲器芯片的讀寫原理和用他們組成教學計算機存儲器系統的方法〔即字、位擴展技術〕，控制其運行的方式；思考并比照靜態存儲器芯片和動態存儲器芯片在特性與使用場合等方面的異同。實驗說明教學計算機存儲器系統由8K的ROM和2K的RAM兩個存儲區組成，分別用EPROM芯片〔或EEPROM芯片〕和RAM芯片構成。TEC-2000教學計算機中還安排了另外幾個存儲器器件插座，可以插上相應存儲器芯片以完成存儲器容量擴展的教學實驗，為此必須比擬清楚地了解：1．TEC-XP教學機的存儲器系統的總體組成及其連接關系；2．TEC-XP教學機的有關存儲器芯片、I／0接口芯片的片選控制和讀寫命令的給出及具體使用方法；3．RAM和EPROM、EEPROM存儲器芯片在讀寫控制、寫入時間等方面的異同，并正確建立連線關系和在程序中完成正確的讀寫過程；4．如何在TEC-XP教學機中使用擴展的存儲器空間并檢查其運行的正確性。實驗內容1．要完成存儲器容量擴展的教學實驗，需為擴展存儲器選擇一個地址，即將擴展存儲器的片選〔標有／CS的2個插孔的上面一個〕與標有MEM／CS的插孔中的一個相連；2．用監控程序的D、E命令對存儲器進行讀寫，比擬RAM〔6116〕、EEPROM〔28系列芯片〕EPROM〔27系列芯片〕在讀寫上的異同；3．用監控程序的A命令編寫一段程序，對RAM〔6116〕進行讀寫，用D命令查看結果是否正確；4．用監控程序的A命令編寫一段程序，對擴展存儲器EEPROM〔28系列芯片〕進行讀寫，用D命令查看結果是否正確；如不正確，分析原因，改寫程序，重新運行。實驗要求1．實驗之前，應認真預先準備，寫出實驗步驟和具體設計內容，否那么實驗效率會特別低，一次實驗時間根本無法完成實驗任務，即使根本做對了，也很難說學懂了些什么重要教學內容；2．實驗過程中，應認真進行實驗操作，既不要因為粗心造成短路等事故而損壞設備，又要仔細思考實驗有關內容，提高學習的主動性和創造性，把自己想不太明白的問題通過實驗理解清楚，爭取最好的實驗效果，力求到達教學實驗的主要目的；3．實驗之后，應認真思考總結，寫出實驗報告，包括實驗步驟和具體實驗結果，遇到的主要問題以及分析與解決問題的思路。實驗報告中，還應寫出自己的學習心得和切身體會，也可以對教學實驗提出新的建議等。實驗步驟4．AT28C64B的讀操作和RAM一樣，而寫操作需要一定的時間，大約為1毫秒。因此，需要編寫一段延時子程序，在對EEPROM進行寫操作時，調用該延時子程序，以完成正確的讀寫。1〕用E命令改變內存單元的值并用D命令觀察結果。<1>在命令行提示符狀態下輸入：E5000↙屏幕將顯示；5000內存單元原值：按如下形式鍵入：5000原值：2424〔空格〕原值：3636〔空格〕原值：4848〔空格〕原值：5050↙<2>在命令行提示符狀態下輸入：D5000↙屏幕將顯示5000H~507FH內存單元的值，從5000開始的連續四個內存單元的值依次為2424363648485050。<3>斷電后重新啟動，用D命令觀察內存單元5000~5003的值。2〕AT28C64B存儲器不能直接用A命令輸入程序〔建議試一試〕，可將編寫好的程序用編程器寫入片內；也可將程序放到RAM〔6116〕中，調用延時子程序，訪問AT28C64B中的內存地址。下面給出的程序，在5000H~500FH單元中依次寫入數據0000H、0001H、．．．000FH。<1>從2000H單元開始輸入主程序：〔2000〕MVRDR0，0000MVRDR2，0010 ；R2記錄循環次數MVRDR3，5000 ；R3的內容為16位內存地址〔2006〕STRR[R3]，R0 ；將R0存放器的內容放到R3給出的內存單元中CALA2200 ；調用延時子程序INCR0 ；R0加11NCR3 ；R3加1DECR2 ；R2減lJRNZ2006 ；R2不為0跳轉到2006HRET<2>從2200H單元開始輸入延時子程序：〔2200〕PUSHR3MVRDR3，000F〔2203〕DECR3JRNZ2203POPR3RET<3>運行主程序，在命令提示符下輸入：G2000↙<4>程序執行結束后，在命令提示符下輸入：D5000↙〔2〕修改延時子程序，將其延時改短，可將延時子程序中R3的內容賦成00FF或0FFF等，再看運行結果，并記錄下來。實驗總結：