寬禁帶立方氮化硼薄膜的制備與摻雜研究的開題報告_第1頁
寬禁帶立方氮化硼薄膜的制備與摻雜研究的開題報告_第2頁
寬禁帶立方氮化硼薄膜的制備與摻雜研究的開題報告_第3頁
全文預覽已結束

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

寬禁帶立方氮化硼薄膜的制備與摻雜研究的開題報告一、選題背景寬禁帶半導體材料在現代電子器件中具有廣泛的應用。作為一種新型寬禁帶半導體材料，立方氮化硼（c-BN）因其高硬度、高耐熱性、高導熱系數、高物理穩定性等優異性能，在化工、機械、電子等領域均有廣泛應用前景。然而，c-BN薄膜的制備技術及其摻雜方法研究仍處于起步階段，制備高質量寬禁帶c-BN薄膜及其摻雜技術是目前研究熱點。二、研究目的本課題旨在研究制備高質量寬禁帶c-BN薄膜的涂覆方法，并探討其在電子器件中的應用。同時，嘗試探討c-BN薄膜的不同摻雜方法和摻雜濃度對其電學性能的影響，以期為c-BN薄膜的應用提供科學依據。三、研究內容1.研究c-BN薄膜的制備工藝，包括化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）和濺射等方法，并對比分析不同方法的優缺點。2.研究不同條件下c-BN薄膜的微觀結構、形貌、硬度、導熱性等物理性質，并探討其在電子器件中的應用潛力。3.探討摻雜對c-BN薄膜電學性能的影響，包括摻雜濃度、摻雜原子類型等因素，并分析不同摻雜方法的優缺點和適用性。4.研究利用c-BN薄膜制備電子器件的方法和性能，包括p-n結、MOSFET、GBT等器件的制備方法和性能測試等。四、研究意義1.為寬禁帶半導體材料的研究提供新思路和技術方法，為應用提供技術支持。2.促進c-BN薄膜應用領域的拓展，拓寬其應用范圍。3.為相關產業的發展提供技術支持和科研支持。五、研究方案1.了解并掌握c-BN薄膜制備的現有技術路線和方法。2.確定研究c-BN薄膜的涂覆方法和實驗條件，在制備出c-BN薄膜后，進行材料表征和性能測試。3.探討c-BN薄膜的摻雜方法和摻雜濃度，并對不同摻雜方法的優劣進行分析和評價。4.基于研究結果，進一步探討c-BN薄膜在電子器件中的應用，并評估其適用性和應用前景。5.結合所得數據，撰寫論文，提交并通過答辯。六、研究預期成果1.制備出高質量寬禁帶c-BN薄膜，并對其進行表征和分析。2.確定c-BN薄膜的摻雜方法和摻雜濃度，分析其摻雜對電學性能的影響。3.系統性探討c-BN薄膜在電子器件中的應用和性能表現，并評估其應用價值和潛力。4.發表一篇在國內外知名SCI期刊上的高水平學術論文。七、研究所需資源1.物理實驗室、測試儀器2.文獻檢索、閱讀、翻譯軟件等3.專業期刊和論文庫的使用權限（如：Elsevier,SciDirect,Wiley,ACS等）4.經費資助：(1)碩士生獎學金(2000元/月)（2）碩士生科研發展基金（5000元/年）八、時間安排1、第一年：熟悉實驗室設備，進行相關文獻檢索和文章閱讀，深化對c-BN薄膜制備技術和摻雜方法的調研。2、第二年：開始進行實驗和數據采集，加深對

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論