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文檔簡介
單晶技能操作測試題一:填空題引晶時拉速的最佳范圍2-4mm。晶體發白或變色的原因有真空度不好、拉晶時斷氬氣、漏油。坩鍋變形的原因有熔料功率太高、坩堝質量不好、拉晶時間過長裝料過擠\裝料方法。引晶時籽晶發黑的原因有漏水、真空度不好。表面棱轉向的原因是料內有雜質(棱線偏移一般為晶向偏差較大,和籽晶質量有關)。溫控時液面嚴重晃動(除氣流、機械震動)的原因有連桿和底盤裝偏摩擦、連桿下部有料、托身裂和加熱器磨擦(伴隨打火X坩堝變形、連桿沒上緊(機械部分為磁流體老化或傳動皮帶損傷\伺服電機損壞等。放肩時出現晶體斷棱,而且形狀不規則是晶轉和堝轉轉向相同的原因。造成晶體變形的原因有拉速過快、液面和導流筒的位置太遠、拉第二段時長度沒加、轉肩時溫度沒控制好。等經過程中影響晶體外觀直徑因素有PID值設定、導流筒尺寸、拉速、溫控(堝隨比調校)等因素引起。等經過程中發現堝升無反應是連桿中心軸有雜物卡住,堝升限位到底,控制鍋升驅動器造故障等因素引起。等經過程中發現晶體晃動是氬氣流量太大,堝拉太近,氣體方向不對,堝轉快,機器水平度不好等因素引起。在料少的情況下,為了防止收尾結晶,需注意補溫度不能太快,拉速也不能太快。二:問答題:造成漏料的原因有哪些?如何避免?一:坩堝質量的問題。二:裝料時操作不當。三:熔料時操作不當。四:其它額外因素。在裝料前需仔細檢查坩堝,如有較大的氣泡及凹點都不能使用。裝料時應把較大料裝在中下部(裝料大小位置均勻避免翻料),坩堝弧度處也應裝表面光滑或有弧度的一些料。熔料時料下去后坩堝能升起盡量的升起,還有不要長時間的把功率開到很高,料一熔玩立馬把功率降下來!長時間會倒至坩堝變形,晰晶等等。拆爐時以現爐內氧化嚴重,是何原因引起的?1:吊渣換氣時沒換好(擋板密封圈燙壞而引起密封性不好)2:管道密封圈密封效果不好,漏速快所造成。3:下排氣口堵塞造成排氣不暢。4:真空泵出現故障(大部分為充氣式電磁閥損壞、皮帶受損、真空泵老化)。拆爐時托身和托底有硅料粘牢是何原因?1:坩堝內剩的料太多(淅晶)。2:熔料或回熔時功率過高,導致硅蒸氣散發。5.料熔完后因吊渣換氣,6.物體或仔晶無法熔化,發生液面漂浮一層無法熔化的是何原因?1:爐蓋上清爐時氧化物沒清理干凈。2:換氣時副室密封圈上可能有雜物(或密封圈損壞)導致不密封。或者換氣時操作不當。3:籽晶上沒擦干凈。如何合理控制轉肩的溫度和拉速?1:要看放肩時的快慢,一般轉肩時降3格溫度左右,拉速在2.5左右。2:放肩快,轉肩時要加點溫度和拉速。放肩慢要減點溫度和拉速。3:如果放得比較快的話比原先要早點收肩,反之,如果放得慢的話就比原先慢點收肩(100由于面密度較大,放肩時避免過快)。保證晶體無位錯生長,人為操作方面需做哪些工作?1:清爐時,須按規定操作,尤其是爐蓋和爐筒部份。2:裝料時一定要注意工藝衛生,不要沾污料。3:拉制過程中一定要按照工藝要求來做。拉制N型單晶時,為保證電阻率的準確性,需注意哪些方面?為避免電阻率偏移,要求:為避免電阻率偏移,要求:首先確定摻雜劑材料并確定材料特性,一般摻p和母合金投放位置在底部,料特性,一般摻p和母合金投放位置在底部,揮發可忽略。但拉制時避免回熔次數,每增加一次回熔偏移增大!但拉制時避免回熔次數,每增加一次回熔偏移增大!sb或As則料化完后投摻雜劑則料化完后投摻雜劑,摻sb或As則料化完后投摻雜劑,而且隨成晶時間長短需定時補摻!關于電阻率梯度和p型一樣。時補摻!關于電阻率梯度和p型一樣。拉晶數據為0時,如何處理及操作?瞬間關閉CPU,然后打開電腦重新啟動,把氬氣設定為45ML在檢查下陸游器的電源線和CPU及電腦上的連線是否接觸不好。如發現有漏料情況,需如何處理及操作?1.投料前確保單晶爐防爆閥狀態良好!投料前確保單晶爐防爆閥狀態良好!2.據漏硅速度,迅速停加熱,氬氣、真空不要停!如果坩堝可升降據漏硅速度,迅速停加熱,氬氣、真空不要停!則迅速升至量高限,同時停止堝轉。則迅速升至量高限,同時停止堝轉。3,準備滅火器至爐臺下方,確保燒穿波紋管后不能引起火災。準備滅火器至爐臺下方,確保燒穿波紋管后不能引起火災。4.如果漏硅速度很快,則停加熱后緊急疏散。如果漏硅速度很快,則停加熱后緊急疏散。漏硅時萬不可向爐內觀望!防止事故引起人身傷害.5.漏硅時萬不可向爐內觀望!防止事故引起人身傷害.三:計算題1.等經過程中,如何計算堝升行程的準確性,寫出計算公式?答:設拉速為L,晶體密度為M,液體密度為m,坩堝內徑為D,晶體直徑為d.公式:3J4x(—)'Kin品長x 若 x£+原鍋位2.80KG投料,6〃與8〃等經長度如何計算?(頭尾與堝底料去除8KG,單位mm)答:6〃 2.33入3」4戲號卜 —X圈I-8)X1/=946mm3計算引晶堝位,需記錄哪些數據?如何計算?(引晶堝位定為液面至導流筒20mm)答:設平口鍋位:105mm導流筒進加熱器:75mm液面至坩堝口的距離:130mm坩堝高出托身1
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