先進半導體材料-南京理工大學中國大學mooc課后章節答案期末考試題庫2023年_第1頁
先進半導體材料-南京理工大學中國大學mooc課后章節答案期末考試題庫2023年_第2頁
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文檔簡介

先進半導體材料_南京理工大學中國大學mooc課后章節答案期末考試題庫2023年（）具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩定性好等性質和強的抗輻照能力，是第三代半導體材料。

參考答案:

GaN

概率密度函數等于

參考答案:

[ψ(x)e^(-j(E∕?)t)][ψ*(x)e^(+j(E∕?)t)]_|ψ(x)|2_ψ(x)ψ*(x)_Ψ(x,t)?Ψ*(x,t)

硅是最常用的半導體材料，它是（）族元素

參考答案:

IV

GaAs具有（）晶格結構

參考答案:

閃鋅礦

下圖平面的密勒指數是（）【圖片】

參考答案:

100

位于A、B兩條曲線頂部的空穴，有效質量【圖片】

參考答案:

B大

第四族元素半導體材料的晶體結構是（）

參考答案:

金剛石

同時存在施主雜質和受主雜質的半導體稱為

參考答案:

雜質半導體

費米能級與（）無關

參考答案:

分布函數

摻雜原子的（）決定了半導體材料中起主要作用的載流子電荷將是導帶電子還是價帶空穴

參考答案:

種類

在固體材料中，固體結合力有（）

參考答案:

離子鍵_范德華力_金屬鍵

固體材料包括（）基本類型

參考答案:

單晶_多晶

兩種電荷相反的離子通過庫侖吸引形成（）鍵

參考答案:

離子

電子處于無限深勢阱中，粒子運動表現為（）

參考答案:

駐波

對于下面這張能帶圖，以下說法錯誤的是【圖片】

參考答案:

導帶中的電子停留在能量最小的k=0處

關于量子態密度，以下說法錯誤的是

參考答案:

密度是在單位體積中求得的

關于分布函數，以下說法錯誤的是

參考答案:

所有電子的能量都低于費米能級

以下哪些圖片表示能帶

參考答案:

__

回旋共振實驗可以

參考答案:

得到E-k關系_測量電子的有效質量_研究晶態固體中電子的能帶結構

Si和Ge都是元素周期表中第四族元素，從物理性質中可以看出：（）的禁帶寬度大，電阻率也較高，因此它可制作高壓器件。

參考答案:

鍺

（）是集成電路中最常用的半導體材料，它在自然界分布極廣。

參考答案:

Si

1905年,愛因斯坦提出了光波也是由()組成的假設,從而解釋了光電效應。

參考答案:

光量子_光子_分立的粒子

對于簡并半導體，以下說法正確的是

參考答案:

雜質未充分電離_禁帶寬度變窄_EF接近或進入了導帶或價帶_形成雜質帶

當粒子撞擊到勢壘時，存在有限的概率穿過勢壘到達另一側。這種現象稱為（）效應。

參考答案:

隧道

半導體中的載流子在外場的作用下，作定向運動，這種運動為（）

參考答案:

漂移

下圖中，位于能帶底部的空穴有效質量（）【圖片】

參考答案:

>0

自由空間中的粒子運動表現為（）

參考答案:

行波

關于Ψ(x,t)錯誤的是

參考答案:

Ψ(x,t)代表一個實際物理量

以下為n型半導體的是

參考答案:

__

與載流子濃度無關的是

參考答案:

摻雜濃度

溫度升高，晶格振動（聲子）散射中載流子壽命（）

參考答案:

減小

雜質濃度越大，遷移率

參考答案:

越低

一般摻雜時，以下說法錯誤的是

參考答案:

在高溫條件下，升高溫度，遷移率升高

與遷移率有關的

參考答

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