標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 8758-1988 砷化鎵外延層厚度紅外干涉測量方法》是一項國家標(biāo)準(zhǔn)，它詳細(xì)規(guī)定了使用紅外光干涉技術(shù)來測定砷化鎵材料上外延生長層厚度的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于對單晶砷化鎵襯底上通過氣相沉積、液相外延或分子束外延等工藝形成的砷化鎵外延層進行厚度測量。

在本標(biāo)準(zhǔn)中，主要介紹了如何利用紅外光源產(chǎn)生的光波，在經(jīng)過樣品表面反射后形成干涉條紋，并通過對這些條紋的分析計算出外延層的具體厚度值。此過程涉及到選擇合適的光源（如鎢絲燈）、調(diào)整實驗裝置使得光線能夠垂直入射到樣品表面以及采用適當(dāng)?shù)姆椒ㄓ涗浐吞幚硭玫降母缮鎴D樣等步驟。


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  • 1988-02-25 頒布
  • 1989-02-01 實施
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UDC661.868.1.46：620.1H21中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB8758-88砷化鎳外延層厚度紅外干涉測量方法Measuringthicknesssofepitaxiallayersofgalliumarsenidebyinfraredinterference1988-02-25發(fā)布1989-02-01實施家標(biāo)準(zhǔn)）發(fā)布

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)UDC661.868·1.46：620.1砷化鏢外延層厚度紅外干涉GB8758-88測量方法Measuringthicknessofepitaxiallayersofgalliumarsenidebyinfraredinterfercnce本標(biāo)準(zhǔn)適用于砷化鏢外廷層厚度的測定。，可測厚度大于2山m。要求襯底電阻率小于0.020·cm,外延層的電阻率大于0.12·cm。原理村底與外延層的光學(xué)常數(shù)差別較大,當(dāng)紅外光入射到外延片表面時,在反射光譜中產(chǎn)生干涉條紋。根據(jù)干涉條紋的極大值或極小值的波長位置、襯底和外延層的光學(xué)常數(shù)以及光束的入射角，計算出外延層的厚度。2樣品要求2-1樣品應(yīng)具有良好的光學(xué)表面，不應(yīng)有大面積的鈍化層2.2襯底和外延層的導(dǎo)電類型和襯底電阻率應(yīng)是已知的。3儀器和附件3.1儀器3.1.1波長范圍為2.5～50um（4000～200cm2）的雙光束紅外分光光度計或傅立葉變換紅外光譜儀、3.1.2波長重復(fù)性和波長精度至少為0.05um。3.1.3在1000cm-處,光譜分辨率為2cm2或更小.3.2附件3.2.1與分光光度計相匹配的反射附件,入射角不大于30°3.2.2光闌：應(yīng)以非反射的黑體材料制成，具有各種孔徑。4測量步驥4.1分光光度計校準(zhǔn)4.1.1測定波長精度和重復(fù)性。測址厚度為300～500m聚苯乙烯膜吸收光譜，并以3.303m吸收帶為測量參考譜帶,測量10.次，其結(jié)果應(yīng)滿足3.1.2的要求。4.1.2將反射附件置入光路中,測量100%線，其峰谷值應(yīng)小于8%。4.2.測量條件選擇4.2.1安裝反射附件。4.2.2按照下列步驃選擇最大的掃描速度。使用襯底和外延層電阻率分別為0.008·cm和0.12（·cm的外延片在波長大于25u

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