標準解讀
《GB/T 4937.20-2018 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第20部分:塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響》是針對塑封表面安裝半導體器件在特定環境條件下性能穩定性的測試標準。該標準主要關注的是這類器件在經歷高溫高濕環境后,再進行焊接加熱過程中的可靠性表現。
標準中詳細規定了試驗的具體條件與步驟,包括但不限于預處理、溫度循環、濕度存儲以及后續的焊接模擬等環節。其中,預處理階段是為了確保所有待測樣品處于一致的狀態;溫度循環用于模擬實際使用中可能遇到的極端溫差變化情況;濕度存儲則是為了評估器件在長時間暴露于高濕度環境下對外部因素的抵抗能力;最后通過模擬焊接過程來考察器件經過上述惡劣條件后的電氣特性和機械強度是否受到影響。
整個試驗流程旨在提供一種標準化的方法,幫助制造商及相關方了解并驗證塑封表面安裝型半導體產品在面對復雜多變的應用場景時能否保持良好的工作狀態。通過對這些嚴格測試項目的執行,可以有效提升產品質量控制水平,并為用戶提供更加可靠的產品選擇依據。
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....
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- 現行
- 正在執行有效
- 2018-09-17 頒布
- 2019-01-01 實施





文檔簡介
ICS3108001
L40..
中華人民共和國國家標準
GB/T493720—2018/IEC60749-202008
.:
半導體器件機械和氣候試驗方法
第20部分塑封表面安裝器件耐潮濕
:
和焊接熱綜合影響
Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—
Part20ResistanceoflasticencasulatedSMDstothecombinedeffectof
:pp
moistureandsolderingheat
(IEC60749-20:2008,IDT)
2018-09-17發布2019-01-01實施
國家市場監督管理總局發布
中國國家標準化管理委員會
GB/T493720—2018/IEC60749-202008
.:
目次
前言
…………………………Ⅲ
范圍
1………………………1
規范性引用文件
2…………………………1
總則
3………………………1
試驗設備和材料
4…………………………1
濕熱試驗箱
4.1…………………………1
再流焊設備
4.2…………………………1
基板
4.3…………………2
波峰焊設備
4.4…………………………2
氣相再流焊的溶劑
4.5…………………2
助焊劑
4.6………………2
焊錫
4.7…………………2
程序
5………………………2
初測
5.1…………………2
外觀檢查
5.1.1………………………2
電測試
5.1.2…………………………2
聲學掃描內部檢查
5.1.3……………2
干燥
5.2…………………3
水汽浸漬
5.3……………3
一般要求
5.3.1………………………3
非干燥包裝的試驗條件
5.3.2SMD…………………3
干燥包裝的水汽浸漬
5.3.3SMD……………………3
焊接熱
5.4………………4
概述
5.4.1……………4
紅外對流或對流再流焊接的加熱方法
5.4.2………5
氣相再流焊接的加熱方法
5.4.3……………………6
波峰焊的加熱方法
5.4.4……………6
恢復
5.5…………………7
最終檢測
5.6……………7
外觀檢查
5.6.1………………………7
電特性測試
5.6.2……………………7
聲學掃描檢查
5.6.3…………………7
應在相關文件中規定的細節
6……………7
附錄資料性附錄塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響的試驗方法描述及細節
A()………9
水汽浸漬描述
A.1………………………9
水汽浸漬指南
A.1.1…………………9
Ⅰ
GB/T493720—2018/IEC60749-202008
.:
基于水汽浸漬的考慮
A.1.2…………9
水汽含量測量程序
A.2………………13
焊接熱方法
A.3………………………14
紅外對流和對流再流焊接的溫度曲線
A.3.1………14
氣相焊接的溫度曲線
A.3.2…………16
波峰焊接的加熱方法
A.3.3…………16
圖樣品溫度曲線測量方法
1………………2
圖波峰焊加熱
2……………7
圖溫度相對濕度下的水汽擴散過程
A.185℃、85%…………………10
圖樹脂厚度和第一層界面的定義
A.2…………………10
圖時的水汽浸漬到飽和所需時間與樹脂厚度的函數關系
A.385℃…………………10
圖樹脂中水汽含量飽和度與溫度的對應關系
A.4……………………11
圖不同浸潤條件下第一界面樹脂中水汽含量與厚度的對應關系
A.5………………11
圖方法水汽浸漬條件下的第一界面樹脂中水汽含量與厚度的對應關系
A.6A……12
圖方法水汽浸漬條件下的第一界面樹脂中水汽含量與厚度的對應關系
A.7B……13
圖方法條件水汽浸漬條件下第一界面樹脂中水汽含量與厚度的對應關系
A.8BB2……………13
圖共晶焊接的紅外對流和對流再流焊溫度曲線
A.9Sn-Pb…………14
圖無鉛焊接的紅外對流和對流再流焊溫度曲線
A.10…………………14
圖分段曲線
A.11…………………………16
圖氣相焊接的溫度曲線條件
A.12(ⅠA)………………16
圖浸入焊槽的浸潤方法
A.13……………17
圖紅外對流再流焊接和波峰焊接的對應關系
A.14……………………17
圖波峰焊接過程中本體溫度
A.15SMD………………17
表非干燥包裝的水汽浸漬條件
1SMD…………………3
表干燥包裝的水汽浸漬條件方法
2SMD(A)…………3
表干燥包裝的水汽浸漬條件方法
3SMD(B)…………4
表共晶過程再流焊溫度分類
4Sn-Pb———………………5
表無鉛過程再流焊溫度分類
5———………………………5
表氣相再流焊接的加熱條件
6……………6
表波峰焊的浸潤條件
7……………………7
表與實際貯存條件等效的焊接熱前水汽浸漬條件對照表
A.1………11
表分段曲線
A.2…………………………15
Ⅱ
GB/T493720—2018/IEC60749-202008
.:
前言
半導體器件機械和氣候試驗方法由以下部分組成
GB/T4937《》:
第部分總則
———1:;
第部分低氣壓
———2:;
第部分外部目檢
———3:;
第部分強加速穩態濕熱試驗
———4:(HAST);
第部分穩態溫濕度偏置壽命試驗
———5:;
第部分高溫貯存
———6:;
第部分內部水汽含量測試和其他殘余氣體分析
———7:;
第部分密封
———8:;
第部分標志耐久性
———9:;
第部分機械沖擊
———10:;
第部分快速溫度變化雙液槽法
———11:;
第部分掃頻振動
———12:;
第部分鹽霧
———13:;
第部分引出端強度引線牢固性
———14:();
第部分通孔安裝器件的耐焊接熱
———15:;
第部分粒子碰撞噪聲檢測
———16:(PIND);
第部分中子輻照
———17:;
第部分電離輻射總劑量
———18:();
第部分芯片剪切強度
———19:;
第部分塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響
———20:;
第部分對潮濕和焊接熱綜合影響敏感的表面安裝器件的操作包裝標志和運輸
———20-1:、、;
第部分可焊性
———21:;
第部分鍵合強度
———22:;
第部分高溫工作壽命
———23:;
第部分加速耐濕無偏置強加速應力試驗
———24:(HSAT);
第部分溫度循環
———25:;
第部分靜電放電敏感度試驗人體模型
———26:(ESD)(HBM);
第部分靜電放電敏感度試驗機械模型
———27:(ESD)(MM);
第部分靜電放電敏感度試驗帶電器件模型器件級
———28:(ESD)(CDM);
第部分閂鎖試驗
———29:;
第部分非密封表面安裝器件在可靠性試驗前的預處理
———30:;
第部分塑封器件的易燃性內部引起的
———31:();
第部分塑封器件的易燃性外部引起的
———32:();
第部分加速耐濕無偏置高壓蒸煮
———33:;
第部分功率循環
———34:;
第部分塑封電子元器件的聲學掃描顯微鏡檢查
———35:;
第部分恒定加速度
———36:;
Ⅲ
GB/T493720—2018/IEC60749-202008
.:
第部分采用加速度計的板級跌落試驗方法
———37:;
第部分半導體存儲器件的軟錯誤試驗方法
———38:;
第部分半導體元器件原材料的潮氣擴散率和水溶解率測量
———39:;
第部分采用張力儀的板級跌落試驗方法
———40:;
第部分非易失性存儲器件的可靠性試驗方法
———41:;
第部分溫度和濕度貯存
———42:;
第部分集成電路可靠性鑒定方案指南
———43:(IC);
第部分半導體器件的中子束輻照單粒子效應試驗方法
———44:。
本部分為的第部分
GB/T493720。
本部分按照給出的規則起草
GB/T1.1—2009。
本部分使用翻譯法等同采用半導體器件機械和氣候試驗方法第部分
IEC60749-20:2008《20:
塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響
》。
與本部分中規范性引用的國際文件有一致性對應關系的我國文件如下
:
半導體器件機械和氣候試驗方法第部分外部目檢
———GB/T4937.3—20123:(IEC60749-
3:2002,IDT)
請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任
。。
本部分由中華人民共和國工業和信息化部提出
。
本部分由全國半導體器件標準化技術委員會歸口
(SAC/TC78)。
本部分起草單位中國電子科技集團公司第十三研究所深圳市標準技術研究院
:、。
本部分主要起草人高金環彭浩高瑞鑫沈彤茜裴選劉瑋
:、、、、、。
Ⅳ
GB/T493720—2018/IEC60749-202008
.:
半導體器件機械和氣候試驗方法
第20部分塑封表面安裝器件耐潮濕
:
和焊接熱綜合影響
1范圍
的本部分規定了塑封表面安裝半導體器件的耐焊接熱評價方法該試驗為破
GB/T4937(SMD)。
壞性試驗
。
2規范性引用文件
下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
電工電子產品環境試驗第部分試驗方法試驗帶引線器件的可
IEC60068-2-20:2008
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