標準解讀
GB/T 4937.12-2018《半導體器件 機械和氣候試驗方法 第12部分:掃頻振動》是中華人民共和國國家標準之一,該標準規定了半導體器件在特定條件下進行掃頻振動試驗的方法。它旨在評估半導體器件對由于運輸、安裝或使用過程中可能遇到的振動環境所造成的機械應力的耐受能力。
本標準適用于各種類型的半導體器件,包括但不限于晶體管、二極管、集成電路等。通過執行掃頻振動測試,可以模擬實際應用中這些組件可能會遭遇的不同頻率范圍內的振動情況,從而幫助制造商了解其產品在面對外部機械沖擊時的表現如何,并據此作出相應改進以提高產品質量和可靠性。
根據GB/T 4937.12-2018的規定,掃頻振動試驗通常會在一個可控環境中進行,其中包含了對加速度值、頻率范圍以及掃描速率的具體要求。此外,還詳細描述了樣品準備、安裝方式、測量設備的選擇與校準等方面的內容,確保每次實驗都能按照統一的標準來進行,保證結果的一致性和可比性。
對于參與測試的每個半導體器件來說,需要記錄下它們在整個振動過程中的性能變化情況,比如是否有物理損傷出現、電氣特性是否發生變化等關鍵指標。基于這些數據,研究人員能夠更準確地判斷出不同型號或批次間的產品差異,并為后續設計優化提供依據。
此標準作為一套完整的指導方針,不僅有助于提升國內半導體行業的技術水平,同時也促進了國際間的技術交流與合作,對于推動整個電子工業的發展具有重要意義。
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....
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- 現行
- 正在執行有效
- 2018-09-17 頒布
- 2019-01-01 實施




文檔簡介
ICS3108001
L40..
中華人民共和國國家標準
GB/T493712—2018/IEC60749-122002
.:
半導體器件機械和氣候試驗方法
第12部分掃頻振動
:
Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—
Part12Vibrationvariablefreuenc
:,qy
(IEC60749-12:2002,IDT)
2018-09-17發布2019-01-01實施
國家市場監督管理總局發布
中國國家標準化管理委員會
GB/T493712—2018/IEC60749-122002
.:
前言
半導體器件機械和氣候試驗方法由以下部分組成
GB/T4937《》:
第部分總則
———1:;
第部分低氣壓
———2:;
第部分外部目檢
———3:;
第部分強加速穩態濕熱試驗
———4:(HAST);
第部分穩態溫濕度偏置壽命試驗
———5:;
第部分高溫貯存
———6:;
第部分內部水汽含量測試和其他殘余氣體分析
———7:;
第部分密封
———8:;
第部分標志耐久性
———9:;
第部分機械沖擊
———10:;
第部分快速溫度變化雙液槽法
———11:;
第部分掃頻振動
———12:;
第部分鹽霧
———13:;
第部分引出端強度引線牢固性
———14:();
第部分通孔安裝器件的耐焊接熱
———15:;
第部分粒子碰撞噪聲檢測
———16:(PIND);
第部分中子輻照
———17:;
第部分電離輻射總劑量
———18:();
第部分芯片剪切強度
———19:;
第部分塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響
———20:;
第部分對潮濕和焊接熱綜合影響敏感的表面安裝器件的操作包裝標志和運輸
———20-1:、、;
第部分可焊性
———21:;
第部分鍵合強度
———22:;
第部分高溫工作壽命
———23:;
第部分加速耐濕無偏置強加速應力試驗
———24:(HSAT);
第部分溫度循環
———25:;
第部分靜電放電敏感度試驗人體模型
———26:(ESD)(HBM);
第部分靜電放電敏感度試驗機械模型
———27:(ESD)(MM);
第部分靜電放電敏感度試驗帶電器件模型器件級
———28:(ESD)(CDM);
第部分閂鎖試驗
———29:;
第部分非密封表面安裝器件在可靠性試驗前的預處理
———30:;
第部分塑封器件的易燃性內部引起的
———31:();
第部分塑封器件的易燃性外部引起的
———32:();
第部分加速耐濕無偏置高壓蒸煮
———33:;
第部分功率循環
———34:;
第部分塑封電子元器件的聲學掃描顯微鏡檢查
———35:;
第部分恒定加速度
———36:;
Ⅰ
GB/T493712—2018/IEC60749-122002
.:
第部分采用加速度計的板級跌落試驗方法
———37:;
第部分半導體存儲器件的軟錯誤試驗方法
———38:;
第部分半導體元器件原材料的潮氣擴散率和水溶解率測量
———39:;
第部分采用張力儀的板級跌落試驗方法
———40:;
第部分非易失性存儲器件的可靠性試驗方法
———41:;
第部分溫度和濕度貯存
———42:;
第部分集成電路可靠性鑒定方案指南
———43:(IC);
第部分半導體器件的中子束輻照單粒子效應試驗方法
———44:。
本部分為的第部分
GB/T493712。
本部分按照給出的規則起草
GB/T1.1—2009。
本部分使用翻譯法等同采用半導體器件機械和氣候試驗方法第部分
IEC60749-12:2002《12:
掃頻振動
》。
請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任
。。
本部分由中華人民共和國工業和信息化部提出
。
本部分由全國半導體器件標準化技術委員會歸口
(SAC/TC78)。
本部分起草單位中國電子科技集團公司第十三研究所
:。
本部分主要起草人遲雷彭浩岳振鵬李樹杰崔波高金環裴選張艷杰
:、、、、、、、。
Ⅱ
GB/T493712—2018/IEC60749-122002
.:
半導體器件機械和氣候試驗方法
第12部分掃頻振動
:
1范圍
的本部分的目的是測定在規定頻率范圍內振動對器件的影響本試驗是破壞性試
GB/T4937,。
驗通常用于有空腔的器件
,。
本試驗與基本一致但鑒于半導體器件的特殊要求采用本部分的條款
GB/T2423.10—2008,,。
2規范性引用文件
下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
電工電子產品環境試驗第部分試驗方法試驗振動正弦
GB/T2423.10—20082:Fc:()
(IEC60068-2-6:1995,IDT)
3試驗設備
本試驗所需設備包括能在規定條件下進行掃頻振動的振動裝置以及試驗后進行測量所必需的光
,
學和電氣設備
。
4試驗程序
樣品應剛性地安裝在振動臺上引出端和電纜也應安全固定以避免引入額外的引線共振應使樣
,,。
品做簡諧振動其振幅兩倍幅值為峰峰值或其峰值加速度為2取較小者振動頻
,1.5mm(-),200m/s,。
率在范圍內近似對數變化從再回到的整個頻率范圍的振
20Hz~2000Hz。20Hz~2000Hz20Hz
動時間不應少于在XY和Z個方向上各進行次這樣的循環共次
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