ICS49035

CCSV.29

中華人民共和國國家標準

GB/T41033—2021

CMOS集成電路抗輻射加固設計要求

DesignrequirementsofradiationhardeningforCMOSIC

2021-12-31發布2022-07-01實施

國家市場監督管理總局發布

國家標準化管理委員會

GB/T41033—2021

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

術語定義和縮略語

3、………………………1

術語和定義

3.1…………………………1

縮略語

3.2………………2

設計流程

4…………………2

抗輻射加固設計要求

5……………………3

抗總劑量輻射加固設計原則與要求

5.1………………3

抗單粒子輻射加固設計原則與要求

5.2………………7

集成電路輻射效應建模與仿真要求

6……………………10

集成電路輻射效應建模與仿真一般要求

6.1…………10

集成電路輻射效應建模與仿真要求

6.2………………10

集成電路輻射效應建模與仿真方法

6.3………………10

輻照驗證試驗要求

7………………………11

總劑量輻照驗證試驗要求

7.1…………11

單粒子輻照驗證試驗要求

7.2…………14

GB/T41033—2021

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規則的規定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國宇航技術及其應用標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC425)。

本文件起草單位中國航天科技集團有限公司第九研究院第七七一研究所

:。

本文件主要起草人劉智葛梅謝成民王斌于洪波岳紅菊姚思遠李海松耿增建胡巧玉

:、、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T41033—2021

CMOS集成電路抗輻射加固設計要求

1范圍

本文件規定了集成電路抗輻射總劑量單粒子加固設計的流程設計要求建模仿真驗

CMOS(、)、、、

證試驗要求

。

本文件適用于基于體硅工藝的數字集成電路模擬集成電路和數模混合集成電路的

/SOICMOS、

抗輻射總劑量單粒子加固設計

(、)。

2規范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,。,()

本文件

。

集成電路術語

GB/T9178

3術語定義和縮略語

、

31術語和定義

.

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T9178。

311

..

總劑量輻射效應totalionizingdoseeffectsTID

;

總劑量輻射效應是指電離輻射的累積導致器件的參數發生退化的現象

。

312

..

單粒子效應singleeventeffectsSEE

;

具有一定能量的單個重離子或質子射入集成電路引發集成電路翻轉鎖定燒毀等致使集成電路

,、、,

性能退化或功能失效的現象的統稱

。

313

..

單粒子翻轉效應singleeventupseteffectsSEU

;

由單粒子輻射引發集成電路邏輯狀態改變的效應

。

314

..

單粒子瞬態效應singleeventtransienteffectsSET

;

由單粒子輻射導致集成電路輸出端出現異常脈沖信號的效應