標準解讀

《GB/T 33922-2017 MEMS壓阻式壓力敏感芯片性能的圓片級試驗方法》是一項國家標準，旨在規范MEMS（微機電系統）壓阻式壓力敏感芯片在圓片級別上的測試流程與方法。該標準適用于采用半導體工藝制造的壓力傳感器芯片，在未進行封裝前即圓片狀態下的性能檢測。通過定義一系列測試條件和步驟，確保不同制造商之間能夠有一致性高的測試結果，從而促進產品質量控制和技術交流。

標準中詳細描述了測試所需環境條件、儀器設備要求及具體操作步驟。對于環境條件，規定了溫度、濕度等參數范圍；關于儀器設備，則明確了精度等級及其他技術指標。測試項目包括但不限于零點輸出、靈敏度、非線性誤差、遲滯、溫度特性等關鍵性能指標。每項測試都有明確的操作指導，比如如何設置加載壓力值、讀取數據的方法以及如何計算最終結果。

此外，《GB/T 33922-2017》還提供了數據處理與分析的方法，幫助使用者準確評估被測樣品的質量狀況。通過標準化的數據記錄格式和統計分析手段，使得實驗結果更加直觀可靠，便于后續的研究開發或質量控制工作。

此標準為MEMS壓阻式壓力敏感芯片的研發人員、生產廠家及相關檢測機構提供了一個統一的技術依據，有助于提高整個行業的產品質量和競爭力。


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....

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  • 現行
  • 正在執行有效
  • 2017-07-12 頒布
  • 2018-02-01 實施
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文檔簡介

ICS31200

L55.

中華人民共和國國家標準

GB/T33922—2017

MEMS壓阻式壓力敏感芯片性能的

圓片級試驗方法

WaferleveltestmethodsforMEMSpiezoresistivepressure-sensitive

dieperformances

2017-07-12發布2018-02-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T33922—2017

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

試驗條件

4…………………1

大氣條件

4.1……………1

電磁條件

4.2……………2

振動條件

4.3……………2

測試系統

4.4……………2

試驗的一般規定

5…………………………2

證書文件

5.1……………2

預熱時間

5.2……………2

連接方式

5.3……………2

試驗內容和方法

6…………………………2

試驗準備

6.1……………2

電阻

6.2…………………2

常壓輸出

6.3……………3

靜態性能試驗

6.4………………………4

溫度性能試驗

6.5………………………7

Ⅰ

GB/T33922—2017

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國微機電技術標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標準主要起草單位北京大學中機生產力促進中心北京必創科技股份有限公司中國電子科

:、、、

技集團公司第十三研究所中北大學

、。

本標準主要起草人張威程紅兵陳得民李海斌崔波石云波朱悅

:、、、、、、。

Ⅲ

GB/T33922—2017

MEMS壓阻式壓力敏感芯片性能的

圓片級試驗方法

1范圍

本標準規定了壓阻式壓力敏感芯片簡稱壓力敏感芯片的術語和定義試驗條件試驗的

MEMS()、、

一般規定試驗內容和方法

、。

本標準適用于閉環和開環壓阻式壓力敏感芯片性能的圓片級試驗

MEMS。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

計數抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

半導體器件第部分半導體傳感器壓力傳感器

GB/T2052214-3:———

微機電系統技術術語

GB/T26111(MEMS)

3術語和定義

和界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T20522GB/T26111。

31

.

壓阻式壓力敏感芯片piezoresistivepressure-sensitivedie

采用技術在硅襯底上制造腔膜結構在膜上制作半導體電阻并組成惠斯通電橋利用半導

MEMS,,

體的壓阻效應實現將壓力信號轉化為電信號的芯片

。

32

.

閉環壓阻式壓力敏感芯片closedlooppiezoresistivepressure-sensitivedie

惠

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