ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標準

GB/T16596—2019

代替

GB/T16596—1996

確定晶片坐標系規范

Specificationforestablishingawafercoordinatesystem

2019-03-25發布2020-02-01實施

國家市場監督管理總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T16596—2019

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替確定晶片坐標系規范與相比除編輯性修

GB/T16596—1996《》。GB/T16596—1996,

改外主要技術變化如下

:

規范性引用文件中刪除了和增加了和

———GB/T12964、SEMIM12SEMIM13,GB/T34479

見第章年版的第章

YS/T986(2,19962);

增加了晶片坐標系的建立原則見第章

———“”(3);

增加了晶片背面坐標系和三維坐標系見

———“”“”(4.2、4.3);

刪除了晶片坐標系的應用及有關內容中的和見年版的

———“”4.1.14.1.2(19964.1.1、4.1.2);

增加了在中用邊緣輪廓模板建立的邊緣參考坐標系用于邊緣的參照其與本晶

———“SEMIM1,,

片坐標系不同邊緣輪廓模板和邊緣輪廓參數使用不同的坐標系具體如下在某些情

。,:……”“

況下無圖形的晶片表面不易區分正面和背面對晶片的直徑沒有特殊規定但對于自動設

,”“,

備可能只接收標稱直徑的晶片等內容見

,”(5.3、5.6、5.9)。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位有色金屬技術經濟研究院有研半導體材料有限公司浙江海納半導體有限公司

:、、、

浙江省硅材料質量檢驗中心上海合晶硅材料有限公司

、。

本標準主要起草人盧立延孫燕潘金平楊素心樓春蘭胡金枝李素青

:、、、、、、。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為

:

———GB/T16596—1996。

Ⅰ

GB/T16596—2019

確定晶片坐標系規范

1范圍

本標準規定了使用直角坐標和極坐標建立晶片正面坐標系背面坐標系和三維坐標系的程序

、。

本標準適用于有圖形和無圖形的晶片坐標系的建立該坐標系用于確定和記錄晶片上的缺陷顆

。、

粒等測試結果的準確位置

。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

晶片通用網格規范

GB/T16595

硅片字母數字標志規范

GB/T34479

晶片正面系列字母數字標志規范

YS/T986

半導體設備通信標準報文內容的規范

SEMIE52(SECS-Ⅱ)[SpecificationforSEMI

equipmentcommunicationsstandard2messagecontent(SECS-Ⅱ)]

硅單晶拋光片規范

SEMIM1(Specificationforpolishedsinglecrystalsiliconwafers)

3晶片坐標系的建立原則

31總則

.

本標準中的晶片坐標系利用晶片中心點作為直角坐標系X-Y或極坐標系r-θ的原點可確定晶

()(),

片上任意點的坐標對于無圖形晶片可直接使用本晶片坐標系也可與矩形陣列或極坐標重疊陣列一

。,,

起使用本晶片坐標系也可用于確定另一坐標系的原點或其他基準點的位置而這另一坐標系則常表

。,

示或記錄了晶片上的局部區域芯片或圖形陣列的位置特征

、。

32晶片正面坐標系

.

將晶片正表面向上放置確定晶片中心點位置建立右手直角坐標系主定位基準位于Y軸負方

,。。

向根據應用選擇直角坐標系或極坐標系參考X軸正向

。()。

33晶片背面坐標系

.

圍繞主定位基準的平分線Y軸轉動晶片直至晶片背表面朝上除了X軸的方向與正面坐標系

(),。

相反背面坐標系的其他內容與正面坐標系相同

,