2.3掃描電鏡SEM2.3掃描電鏡SEM2.3.1SEM的特點和工作原理2.3.2掃描電鏡成像的物理信號2.3.3掃描電鏡的構造2.3.4掃描電鏡的主要性能2.3.5SEM樣品制備2.3.6X射線能譜儀輔助分析2.3.1SEM的特點和工作原理

◆1965年第一臺商用SEM問世;

◆SEM能彌補透射電鏡樣品制備要求

很高的缺點;

◆景深大;

◆放大倍數連續調節范圍大;

◆分辨本領比較高；◆樣品制備非常方便

◆可直接觀察大塊試樣

◆固體材料樣品表面和界面分析

◆適合于觀察比較粗糙的表面：

材料斷口和顯微組織三維形態掃描電鏡能完成：表（界）面形貌分析；配置各種附件，做表面成分分析及表層晶體學位向分析等。掃描電鏡的成像原理，和透射電鏡大不相同，它不用什么透鏡來進行放大成像，而是像閉路電視系統那樣，逐點逐行掃描成像。由三極電子槍發射出來的電子束，在加速電壓作用下，經過2-3個電子透鏡聚焦后，在樣品表面按順序逐行進行掃描，激發樣品產生各種物理信號，如二次電子、背散射電子、吸收電子、X射線、俄歇電子等。背散射電子這些物理信號的強度隨樣品表面特征而變。它們分別被相應的收集器接受，經放大器按順序、成比例地放大后，送到顯像管。供給電子光學系統使電子束偏向的掃描線圈的電源也是供給陰極射線顯像管的掃描線圈的電源，此電源發出的鋸齒波信號同時控制兩束電子束作同步掃描。因此，樣品上電子束的位置與顯像管熒光屏上電子束的位置是一一對應的。2.3.2掃描電鏡成像的物理信號

掃描電鏡成像所用的物理信號是電子束轟擊固體樣品而激發產生的。具有一定能量的電子，當其入射固體樣品時，將與樣品內原子核和核外電子發生彈性和非彈性散射過程，激發固體樣品產生多種物理信號。特征X射線背散射電子

它是被固體樣品中原子反射回來的一部分入射電子。又分彈性背散射電子和非彈性背散射電子，前者是指只受到原子核單次或很少幾次大角度彈性散射后即被反射回來的入射電子，能量沒有發生變化；后者主要是指受樣品原子核外電子多次非彈性散射而反射回來的電子。二次電子

它是被入射電子轟擊出來的樣品核外電子，又稱為次級電子。

在樣品上方裝一個電子檢測器來檢測不同能量的電子，結果如圖4-57所示。二次電子的能量比較低，一般小于50eV；背散射電子的能量比較高，其約等于入射電子能量E0。電子能譜吸收電子

它是被吸收電子隨著與樣品中原子核或核外電子發生非彈性散射次數的增多，其能量和活動能力不斷降低以致最后被樣品所吸收的入射電子。透射電子

它是入射束的電子透過樣品而得到的電子。它僅僅取決于樣品微區的成分、厚度、晶體結構及位向等。

圖5-58是電子在銅中的透射、吸收和背散射系數的關系。電子在銅中的透射、吸收和背散射系數的關系由圖知，樣品質量厚度越大，則透射系數越小，而吸收系數越大；樣品背散射系數和二次電子發射系數的和也越大，但達一定值時保持定值。

樣品本身要保持電平衡，這些電子信號必須滿足以下關系：

ip=ib+is+ia+it(4-69)

式中：ip是入射電子強度；

ib是背散射電子強度；

is是二次電子強度；

ia是吸收電子強度；

it是透射電子強度。將上式兩邊同除以ip，得

η+δ+a+T=1(4-70)

式中：η=ib/ip，為背散射系數；

δ=is/ip，為二次電子發射系數；

a=ia/ip，為吸收系數；

T=it/ip，為透射系數。特征X射線特征X射線是原子的內層電子受到激發之后，在能級躍遷過程中直接釋放的具有特征能量和波長的一種電磁波輻射。俄歇電子

如果原子內層電子能級躍遷過程所釋放的能量，仍大于包括空位層在內的鄰近或較外層的電子臨界電離激發能，則有可能引起原子再一次電離，發射具有特征能量的俄歇電子。2.3.3掃描電鏡的構造

掃描電鏡由六個系統組成

(1)電子光學系統（鏡筒）

(2)掃描系統

(3)信號收集系統

(4)圖像顯示和記錄系統

(5)真空系統

(6)電源系統

(1)電子光學系統（鏡筒）

由電子槍、聚光鏡、物鏡和樣品室等部件組成。它的作用是將來自電子槍的電子束聚焦成亮度高、直徑小的入射束(直徑一般為10nm或更小)來轟擊樣品，使樣品產生各種物理信號。

(2)掃描系統

掃描系統是掃描電鏡的特殊部件，它由掃描發生器和掃描線圈組成。它的作用是：1)使入射電子束在樣品表面掃描，并使陰極射線顯像管電子束在熒光屏上作同步掃描；2)改變入射束在樣品表面的掃描振幅，從而改變掃描像的放大倍數。

(3)信號收集系統

掃描電鏡應用的物理信號可分為：1)電子信號，包括二次電子、背散射電子、透射電子和吸收電子。吸收電子可直接用電流表測，其他電子信號用電子收集器；2)特征X射線信號，用X射線譜儀檢測；3)可見光訊號（陰極熒光），用可見光收集器。常見的電子收集器是由閃爍體、光導管和光電倍增管組成的部件。其作用是將電子信號收集起來，然后成比例地轉換成光信號，經放大后再轉換成電信號輸出(增益達106)，這種信號就用來作為掃描像的調制信號。收集二次電子時，為了提高收集有效立體角，常在收集器前端柵網上加上+250V偏壓，使離開樣品的二次電子走彎曲軌道，到達收集器。這樣就提高了收集效率，而且，即使是在十分粗糙的表面上，包括凹坑底部或突起外的背面部分，都能得到清晰的圖像。圖4.62。(a)加偏壓前(b)加偏壓后圖4.62加偏壓前后的二次電子收集情況

當收集背散射電子時，由于背散射電子能量比較高，離開樣品后，受柵網上偏壓的影響比較小，仍沿出射直線方向運動。收集器只能收集直接沿直線到達柵網上的那些電子。同時，為了擋住二次電子進入收集器，在柵網上加上-250V的偏壓。現在一般用同一部收集器收集二次電子和背散射電子，這通過改變柵網上的偏壓來實現。將收集器裝在樣品的下方，就可收集透射電子。(4)圖像顯示和記錄系統

這一系統的作用是將信號收集器輸出的信號成比例地轉換為陰極射線顯像管電子束強度的變化，這樣就在熒光屏上得到一幅與樣品掃描點產生的某一種物理訊號成正比例的亮度變化的掃描像，同時用照相方式記錄下來，或用數字化形式存儲于計算機中。(5)真空系統(6)電源系統掃描電鏡的真空系統和電源系統的作用與透射電鏡的相同。2.3.4掃描電鏡的主要性能(1)放大倍數掃描電鏡的放大倍數可用表達式

M=AC/AS式中AC是熒光屏上圖像的邊長，AS是電子束在樣品上的掃描振幅。目前大多數商品掃描電鏡放大倍數為20-20000倍，介于光學顯微鏡和透射電鏡之間。(2)分辨本領SEM的分辨本領與以下因素有關：

1)入射電子束束斑直徑入射電子束束斑直徑是掃描電鏡分辨本領的極限。熱陰極電子槍的最小束斑直徑6nm，場發射電子槍可使束斑直徑小于3nm。2)入射束在樣品中的擴展效應

電子束打到樣品上，會發生散射，擴散范圍如同梨狀或半球狀。入射束能量越大，樣品原子序數越小，則電子束作用體積越大。由圖可以看出，只有在離樣品表面深度0.3L2區產生的背散射電子有可能逸出樣品表面，二次電子信號在5-10nm深處的逸出，吸收電子信號、一次X射線來自整個作用體積。這就是說，不同的物理信號來自不同的深度和廣度。入射束有效束斑直徑隨物理信號不同而異，分別等于或大于入射斑的尺寸。因此，用不同的物理信號調制的掃描象有不同的分辨本領。二次電子掃描象的分辨本領最高，約等于入射電子束直徑，一般為6-10nm，背散射電子為50-200nm，吸收電子和X射線為100-1000nm。

影響分辨本領的因素還有信噪比、雜散電磁場和機械震動等。(3)景深

SEM景深很大。它的景深取決于分辨本領和電子束入射半角ac。由圖可知，掃描電鏡的景深F為

因為ac很小，所以上式可寫作

圖4.64景深的依賴關系

2.3.5SEM樣品制備

SEM固體材料樣品制備方便，只要樣品尺寸適合，就可以直接放到儀器中去觀察。樣品直徑和厚度一般從幾毫米至幾厘米，視樣品的性質和電鏡的樣品室空間而定。

對于絕緣體或導電性差的材料來說，則需要預先在分析表面上蒸鍍一層厚度約10～20nm的導電層。否則，在電子束照射到該樣品上時，會形成電子堆積，阻擋入射電子束進入和樣品內電子射出樣品表面。導電層一般是二次電子發射系數比較高的金、銀、碳和鋁等真空蒸鍍層。

在某些情況下掃描電鏡也可采用復型樣品。

SEM樣品制備大致步驟：

1.從大的樣品上確定取樣部位；

2.根據需要，確定采用切割還是自由斷裂得到表界面；

3.清洗；

4.包埋打磨、刻蝕、噴金處理，2.3.6X射線能譜儀輔助分析X射線能譜儀X射線能譜儀分析原理X射線顯微分析：細聚焦的高能電子束（直徑約為lum）照射樣品，激發出物質的特征X射線，其能量或波長決定于組成該物質的元素種類，其強度決定于元素的含量。能譜儀用半導體探測器檢測X射線的能量并按其大小展譜，根據能量大小確定產生該能量特征X射線的元素。波譜儀根據晶體對X射線的衍射效應，利用已知面網間距的分光晶體把不同波